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TNY278设计的12V电源

TNY278是PI的低功耗高效率的电源控制IC，其内部集成700V高压MOSFET管、振荡器,同时集成了高压开关电流源功能、电流限流功能及热关断功能。采用开/关控制方式，提供一个灵活的设计方案，电流限流点可得到更高的峰值功率，或在开放式应用中得到更高的连续输出功率，适合于低成本电路，具有出色的灵活性。

本次利用TNY278设计的6W的小功率开关电源，电源支持宽范围的输入电压，电路输出电流0.5A，输出电压12V，电路功耗低、效率高。

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k6666
LV.9
2
2020-12-04 12:36
无需偏置绕组或偏置组件,频率调制降低l了电源的成本。
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k6666
LV.9
3
2020-12-04 12:37
@k6666
无需偏置绕组或偏置组件,频率调制降低l了电源的成本。
芯片精确的迟滞热关断保护与自动恢复需要消除了手动复位，增加安全性和可靠性。
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svs101
LV.8
4
2020-12-04 16:14
@k6666
无需偏置绕组或偏置组件,频率调制降低l了电源的成本。
输入欠压检测阈值设置使用单可选电阻,元件数目很少增强可靠性和支持单双面印刷电路板布局
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svs101
LV.8
5
2020-12-04 16:15
@k6666
芯片精确的迟滞热关断保护与自动恢复需要消除了手动复位，增加安全性和可靠性。
主控芯片的高带宽，可以提供快速的无过冲和出色的瞬态负载响应。
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svs101
LV.8
6
2020-12-04 16:15
结合了高电压功率MOSFET开关同在一个设备的电源控制器.不同于传统的PWM。
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fengxbj
LV.8
7
2020-12-04 16:25
@k6666
芯片精确的迟滞热关断保护与自动恢复需要消除了手动复位，增加安全性和可靠性。
TNY278低系统成本和高灵活性方案，简单的开/关控制，无需环路补偿
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fengxbj
LV.8
8
2020-12-04 16:26
@svs101
结合了高电压功率MOSFET开关同在一个设备的电源控制器.不同于传统的PWM。
适合小型功率电子产品的电源供给，也可以作为辅助电源设计应用。
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uf_1269
LV.8
9
2020-12-04 17:14
@svs101
结合了高电压功率MOSFET开关同在一个设备的电源控制器.不同于传统的PWM。
TNY278主要是用来设计小功率电源的，输出采用开关模式来恒压，也就是变频模式。
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uf_1269
LV.8
10
2020-12-04 17:16
@svs101
输入欠压检测阈值设置使用单可选电阻,元件数目很少增强可靠性和支持单双面印刷电路板布局
PI的 TNY 系列 是可以通过2个外置电阻设置电压工作上下门限的，典型值4M的阻值。
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cb_mmb
LV.8
11
2020-12-04 17:20
@uf_1269
PI的TNY系列是可以通过2个外置电阻设置电压工作上下门限的，典型值4M的阻值。
可以通过调节这个电阻，调节上下门限值，我记得是可以70VDC启动的 TNY系列。
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cb_mmb
LV.8
12
2020-12-04 17:22
@uf_1269
TNY278主要是用来设计小功率电源的，输出采用开关模式来恒压，也就是变频模式。
采用这种开关模式可以大大降低空载跟待机时的功率损耗。也就是省电。
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gxg1122
LV.10
13
2020-12-05 12:26
@uf_1269
PI的TNY系列是可以通过2个外置电阻设置电压工作上下门限的，典型值4M的阻值。
是可以这样操作的，设计调试简单，就是精度由电阻精度决定。
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gxg1122
LV.10
14
2020-12-05 12:27
@cb_mmb
采用这种开关模式可以大大降低空载跟待机时的功率损耗。也就是省电。
比较省电，待机功耗非常低。适合小功率的产品应用。
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gxg1122
LV.10
15
2020-12-05 12:28
@svs101
主控芯片的高带宽，可以提供快速的无过冲和出色的瞬态负载响应。
电源的设计输出精度比较高，产品的优势是高效率低功耗。
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svs101
LV.8
16
2020-12-08 14:38
@fengxbj
TNY278低系统成本和高灵活性方案，简单的开/关控制，无需环路补偿
系统的电源体积比较小，适合小空间要求的开发方案。同时产品的待机功耗很低。。
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fengxbj
LV.8
17
2020-12-08 14:47
@cb_mmb
采用这种开关模式可以大大降低空载跟待机时的功率损耗。也就是省电。
12V的小功率电源做辅助供电的方案比较多，待机功耗低，可以满足大部分的需求。
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尘埃中的一粒沙
LV.5
18
2020-12-14 12:29
@svs101
系统的电源体积比较小，适合小空间要求的开发方案。同时产品的待机功耗很低。。
TNY278芯片在待机电源的设计应用案例比较多，功耗小，电路简单，满足大部分的输出电压需求。
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尘埃中的一粒沙
LV.5
19
2020-12-14 12:30
@cb_mmb
可以通过调节这个电阻，调节上下门限值，我记得是可以70VDC启动的TNY系列。
那这个电压是挺高的。电源的开发应用保护比较齐全，设计起来简单。
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谢厚林
LV.12
20
2021-01-27 08:48
@尘埃中的一粒沙
那这个电压是挺高的。电源的开发应用保护比较齐全，设计起来简单。

这个产品非常好，简单可靠，有一个小缺点：就是没有输入过压保护，输入过压保护在家电应用中非常重要。

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opingss88
LV.10
21
2021-05-05 11:38
@fengxbj
TNY278低系统成本和高灵活性方案，简单的开/关控制，无需环路补偿

保持输出二极管的导通时间和整个开关周期时间比例恒定，实现了输出电流的恒定

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opingss88
LV.10
22
2021-05-05 11:39
@gxg1122
是可以这样操作的，设计调试简单，就是精度由电阻精度决定。

反馈引脚直接连接到分压器网络，以实现快速瞬态负载响应

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黑夜公爵
LV.10
23
2021-05-05 11:40
@尘埃中的一粒沙
TNY278芯片在待机电源的设计应用案例比较多，功耗小，电路简单，满足大部分的输出电压需求。

电流限流状态调节器在中轻度负载条件下以非连续方式降低电流限流阈值

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黑夜公爵
LV.10
24
2021-05-05 11:41
@fengxbj
TNY278低系统成本和高灵活性方案，简单的开/关控制，无需环路补偿

在接近交流峰值电压处仅在很短的时间内才有输入电流流经桥式整流电路

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lx25hb
LV.8
25
2021-05-05 20:33
@cb_mmb
采用这种开关模式可以大大降低空载跟待机时的功率损耗。也就是省电。

开关管的损耗有三个部分，分别为导通损耗，栅极损耗和开关损耗。 

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uf_1269
LV.8
26
2021-05-05 20:43
@lx25hb
开关管的损耗有三个部分，分别为导通损耗，栅极损耗和开关损耗。 

导通损耗其实就是导通损耗 MOSFET完全导通时，漏－源之间有一个电阻Ron上的损耗。

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xxbw6868
LV.9
27
2021-05-05 20:46
@uf_1269
导通损耗其实就是导通损耗MOSFET完全导通时，漏－源之间有一个电阻Ron上的损耗。

栅极损耗为驱动栅极电荷损耗。即栅极电容的充放电损耗，它不是损耗在MOSFET上，而是栅极 电阻或驱动电路上。

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spowergg
LV.10
28
2021-05-05 20:58
@xxbw6868
栅极损耗为驱动栅极电荷损耗。即栅极电容的充放电损耗，它不是损耗在MOSFET上，而是栅极电阻或驱动电路上。

开关损耗是随着MOSFET的交替导通与截止（非谐振），瞬态电压和电流的交越导致功率损耗。

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kckcll
LV.9
29
2021-05-05 21:02
@spowergg
开关损耗是随着MOSFET的交替导通与截止（非谐振），瞬态电压和电流的交越导致功率损耗。

开关电路中带有电感，电流或电压一般总是同时达到最大时转换。

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dianre888
LV.6
30
2021-05-05 21:05
@kckcll
开关电路中带有电感，电流或电压一般总是同时达到最大时转换。

从损耗的角度希望驱动越硬越好，也就是要求驱动波形的前后沿陡。

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beakline
LV.6
31
2021-05-05 21:10
@dianre888
从损耗的角度希望驱动越硬越好，也就是要求驱动波形的前后沿陡。

因为MOSFET的输入是一 个电容，驱动波形越陡，即开关时dUg/dt越大。

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