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MOSFET SPEC內 On-State Drain Current 是什麼？

各位前輩

最近在看MOSFET SPEC時發現有一行是On-State Drain Current，不是很請清楚這是什麼？請問有知道的人可以幫忙解釋給小弟知道嗎？謝謝

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dy-Pihfvr5I
LV.1
2
2021-01-05 11:34

漏极导通电流 

因为是MOS管 在漏源导通时你也可以理解是源极导通电流

一般分析MOS管载流能力也是主要看这项参数

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阿不里89
LV.3
3
2021-01-05 12:11
@dy-Pihfvr5I
漏极导通电流 因为是MOS管在漏源导通时你也可以理解是源极导通电流一般分析MOS管载流能力也是主要看这项参数

你好，MOS管的電流不是看ID嗎？

請問兩者的區別是什麼？謝謝

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dy-Pihfvr5I
LV.1
4
2021-01-05 15:40
@阿不里89
你好，MOS管的電流不是看ID嗎？[图片]請問兩者的區別是什麼？謝謝

刚刚没说清楚 MOS管有id(on) id和idm 这三个分别是导通漏极电流 连续漏电流和最大漏电流 

id(on)就是你今天问的 on-state drain current 这个是有条件的 VGS=10V VDS=7.5V 你可以认为是这个状态下的id 只会给一个下限

因为MOS管漏极电流Id与漏源电压Vds和栅源电压Vgs都有关系 比如 N沟道增强型MOS管 当Vgs一定时，vds增大id一般也会增大 具体参考曲线图

Id就是MOS管的连续漏极电流 一般满足手册上的VGS然后和温度呈现非线性关系 idm就是最大的脉冲电流 

所以你参考MOS管的载流能力的时候 都会考虑id(on) id和idm 

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阿不里89
LV.3
5
2021-01-05 18:15
@dy-Pihfvr5I
刚刚没说清楚MOS管有id(on)id和idm这三个分别是导通漏极电流 连续漏电流和最大漏电流 id(on)就是你今天问的on-statedraincurrent这个是有条件的VGS=10VVDS=7.5V你可以认为是这个状态下的id只会给一个下限因为MOS管漏极电流Id与漏源电压Vds和栅源电压Vgs都有关系比如 N沟道增强型MOS管 当Vgs一定时，vds增大id一般也会增大具体参考曲线图Id就是MOS管的连续漏极电流一般满足手册上的VGS然后和温度呈现非线性关系idm就是最大的脉冲电流 所以你参考MOS管的载流能力的时候都会考虑id(on)id和idm 
謝謝您的解釋，但為何id(on)電流會大於idm的電流？idm不就是最大了嗎？
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dy-Pihfvr5I
LV.1
6
2021-01-07 09:09
@阿不里89
謝謝您的解釋，但為何id(on)電流會大於idm的電流？idm不就是最大了嗎？
没有啊 idm一般都是最大的 你仔细看看你的datasheet 我不知道你的芯片型号所以不知道你的idm是多大 
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阿不里89
LV.3
7
2021-01-08 13:28
@dy-Pihfvr5I
没有啊idm一般都是最大的你仔细看看你的datasheet我不知道你的芯片型号所以不知道你的idm是多大 

/upload/community/2021/01/08/1610083513-38962.pdf

您好，規格書如附件，您可以再幫忙解釋說明一下嗎？謝謝

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阿不里89
LV.3
8
2021-01-10 16:05
都沒有人能夠做解釋及說明嗎？
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dy-Pihfvr5I
LV.1
9
2021-01-12 15:25
@阿不里89
/upload/community/2021/01/08/1610083513-38962.pdf您好，規格書如附件，您可以再幫忙解釋說明一下嗎？謝謝
你的PDF手册上并没有Pulsed Drain Current，也就是idm这项参数 我看了pdf 请参照figure.1来计算载流能力 例如：导通之后的电压是5V，使用TTL控制的话，载流能力就是在1.5A左右。如果要考虑温度，TEMPERATURE FIGURE也得仔细参考。极限情况下你也可以通过Rds(ON)来反推MOS管的工作情况。最后，除了id(on)和id，figure也是MOS管很重要的描述，看pdf的时候可以多加了解。
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