你好请问能说下原因吗？

你的PDF手册上并没有PulsedDrainCurrent，也就是idm这项参数我看了pdf请参照figure.1来计算载流能力例如：导通之后的电压是5V，使用TTL控制的话，载流能力就是在1.5A左右。如果要考虑温度，TEMPERATUREFIGURE也得仔细参考。极限情况下你也可以通过Rds(ON)来反推MOS管的工作情况。最后，除了id(on)和id，figure也是MOS管很重要的描述，看pdf的时候可以多加了解。

没有啊idm一般都是最大的你仔细看看你的datasheet我不知道你的芯片型号所以不知道你的idm是多大 

刚刚没说清楚MOS管有id(on)id和idm这三个分别是导通漏极电流 连续漏电流和最大漏电流 id(on)就是你今天问的on-statedraincurrent这个是有条件的VGS=10VVDS=7.5V你可以认为是这个状态下的id只会给一个下限因为MOS管漏极电流Id与漏源电压Vds和栅源电压Vgs都有关系比如 N沟道增强型MOS管 当Vgs一定时，vds增大id一般也会增大具体参考曲线图Id就是MOS管的连续漏极电流一般满足手册上的VGS然后和温度呈现非线性关系idm就是最大的脉冲电流 所以你参考MOS管的载流能力的时候都会考虑id(on)id和idm 

漏极导通电流 因为是MOS管在漏源导通时你也可以理解是源极导通电流一般分析MOS管载流能力也是主要看这项参数