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10KW电子负载CV模式下的电流冲击该如何优化。

图一:黄色为电压波形,蓝色为电流波形。在电压上升至设置电压时,电流有很高的冲击。外部电源限流在50A,实际冲击有164A左右。

图二:黄色为MOS GS波形,蓝色为电流波形。从该图可以分析出MOS驱动的凸波导致MOS完全导通,电流突变,但对电压凸波影响不大。

分析:电流冲击的原因,外部电源响应过慢,电子负载限流电路响应较慢,导致的电流冲击。

图三:该图为艾德克斯10KW电子负载,其电流也有冲击,但该冲击较小。、

请教各位老师:电子负载CV模式下,调节电压电流反馈环路,该问题已经优化不了多少。(电压电流环路如图四所示)请教各位老师有没有合适的环路或者办法可以解决该问题,还望不吝赐教。

    图四

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2021-01-08 16:29
IGBT的驱动波形非常牛B,是什么型号的IC,波形上升斜率非常好
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2021-01-09 09:08
@米山人家
IGBT的驱动波形非常牛B,是什么型号的IC,波形上升斜率非常好
MOSFET
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