SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适用于高温、高频、大功率等应用场合。
特点
1:要求驱动器具有更高的门极峰值输出电流、更高的dv/dt耐受能力。
2:要求驱动器的传播延迟很低且抖动量很小，以便有效传递高开关频率下的非常短的脉冲。
3:要求驱动器具有双路输出端口。
4:支持高开关频率（开关频率至少支持400KHz）
5:支持高安全隔离电压
6: 3-5V的负压关断，开启要18V-20V。(100W左右无须负压关断)
- 高达4A峰值驱动电流，-40~125度宽温度范围，通过AEC-Q100认证。
- 业界最高的抗扰性能（200kV/μs）和闩锁免疫能力（400kV/μs），支持超快速开关。
- 最大60ns传输延迟，非常低的抖动200ps p-p，这里需要说明一下，传输延迟的影响因素与容耦隔离驱动芯片本身的副边供电电压VDDA/VDDB、负载电容、工作温度均有关
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第三代半导体功率器件，碳化硅MOS管以其出色的高耐压，低导通电阻，高工作频率，耐高温，抗辐射等优良性能，是开关电源，电机驱动等大功率领域的理想选择。
以国内AST品牌碳化硅MOS为例。其量产碳化硅MOS管，单管耐压最高可到3300v,导通电阻最小做到15毫欧，完成从650V，900V，1200V，1700V全系列产品线。产品大批出货用于新能源汽车，工业电源及消费类领域。
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