驱动部分采购于屹晶微官网,整体方案基于官方 EG1611+EG8205双全桥原理图修改而来,计划前级采用HY5110W16颗推EE70B变压器,工作频率40-60k暂按40K试验,后级EG8025驱动8颗IKW60N60H3 IGBT。
官方前级为EG1611+EG2132,EG2132输出电流能力IO+/- 1A/1.5A 驱动力肯定不够计划用EG2183D替换其输出电流能力IO+/- 2A/2.5A,如果还不够就上41/42图腾柱.
头疼的是后级和布线
EG8025集成了两路 600V 半桥高压 MOS 驱动器,驱动器的输出电流能力为+/ -2A,内置四路独立的逐周 PWM 关断保护, 不知道+/ -2A的驱动电流能否驱动 2颗IKE60N60H3
如果不行就更换IGBT为 RJH60F4DPQ-A0的IGBT,RJH60F4DPQ-A0其参数为25° 600 V 60 A,,100°30A
如果还不行就得EG8025+变驱了。
开始上图 后期成功会公布所有设计源文件 大家一起玩。
升压部分原理图,打板之前会加上预留的图腾柱驱动,暂时还没加。
H桥部分原理图,这里IGBT并管请大神看看有问题没有谢谢。
副电源原理图 此图来自论坛非常不错的此处修改为7+7pin ee35变压器为后级改变驱留下空间。
PCB布局EG8025采用电流环控制所以不好布线 请大神多提意见。
随便搞的模型