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请教下在选择PI栅极驱动芯片时需要考虑什么?

       SID1182KQ为一个8 A / 1200 V单通道IGBT / MOSFET栅极驱动器，SIC1182K在开启阶段结合了短路保护，并通过高级有源钳位在关断时实现过压限制，所有这些都通过一个传感引脚完成。SIC1182K隔离式SiC栅极驱动器增加了引脚，以增加其在实际电路中的驱动功能的稳健性。为了实现这些高性能SiC器件的最大特性，还必须选择适合应用需求的栅极驱动器。请教下在选择栅极驱动芯片时需要考虑什么?

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kckcll
LV.9
2
2021-07-28 17:16

要考虑驱动电平与驱动电流的要求，有些还需要负电压关断。

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lx25hb
LV.8
3
2021-07-28 17:30
@kckcll
要考虑驱动电平与驱动电流的要求，有些还需要负电压关断。

栅极开启电压较低，在实际系统中容易发生误导通，因此通常建议使用栅极负压关断

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cb_mmb
LV.8
4
2021-07-28 17:33

不同SiC MOSFET器件的栅极开启电压参数不一样，设计时要注意。

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uf_1269
LV.8
5
2021-07-28 17:49
@cb_mmb
不同SiCMOSFET器件的栅极开启电压参数不一样，设计时要注意。

SiC MOSFET具有较小的栅极电容，所需要的驱动功率相对于传统IGBT显著较小。

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trllgh
LV.9
6
2021-07-28 17:56
@cb_mmb
不同SiCMOSFET器件的栅极开启电压参数不一样，设计时要注意。

驱动电流的大小与开关器件工作速度有很大关系的。

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