Inn3367设计的快充电源

集成有输入过压及欠压保护、输出过压保护、过功率保护、过流保护、过温保护以及输出整流管短路保护。

氮化镓（GaN）技术可以替代初级侧的传统硅晶体管，从而降低开关损耗。

InnoSwitch3 IC方案具有系统极为简单和元件数少的特点，可实现超紧凑的高可靠性案例。

开发的电源经过设计优化后，效率可以达到94%，非常高的，功耗也很低。

快充电源的开发适合大功率的终端设备，缩短充电时间，提升用户体验。

氮化镓GaN技术在整个负载范围内的效率高达95％，在封闭式适配器不需散热片就可以实现更大功率。

主要是PI的这个系列芯片集成了同步整流功能，电源的开发效率高，功耗很低。

电源的芯片INN3367集成了同步整流的次级侧控制器，设计可省去光耦器，提高产品质量。

快充电源现在设计功率越来越大，功率大电流大，充电的时候发热就明显，芯片的过温保护功能可以有效保证产品的稳定剂负载的安全。

集成了总线电压、电流和故障报告的遥测技术，以及可动态设定的各项保护功能。

首次AC上电时，使用内部高压电流源对BPP引脚电容进行充电。

次级侧控制器提供输出电压检测、输出电流检测并提供驱动给同步整流（SR）的MOSFET。

有30W、45W和65W 系列可提供5V3A、9V3A、15V3A、20V2.25A四个固定电压档位。

现在的快充电源体积越来越小，可以支持多种电压输出，接口统一，满足不同功率等级的输出。

现在的快充电源设计开发支持的功率可以到100W，甚至120W。

主要是将电源效率提高把初级能量传输到次级，可将充电器的转换效率提升到92%以上。

集成了PWM主控芯片、650V功率器件、同步整流控制器等大部分主要功能，非常不错

为实现最佳输出调节，关断初级MOSFET2.1μs后反馈电压必须稳定到1%的范围内

在开启的时候使用弱驱动降低次级应力，并在Vds电压下降时采用强驱动，更快导通，降低导通电阻，来降低开关损耗，在驱动结束的时候采用弱驱动，从而优化EMI特性和效率。

将模拟握手协议确保次级侧能够在初级侧开始再次开关时接管控制权

在次级侧无需电压或电流反馈电路即可实现具有近似CV/CC输出的电源输出

输入电容容量用来计算大容量电容的最小及最大直流输入电压

绕线式电阻属于可熔阻燃型电阻，也可以用作保险丝来限定浪涌电流

自动重启动功能可在输出短路情况下减小平均输出电流

反馈引脚接收来自初级反馈偏置绕组的信号或通过光耦器接收信号

整体电源效率比一般分立元件高出2-3%，主要是优化了寄生参数的影响吧

这个控制器拥有丰富的快充协议，是PI自有吗

峰值测量时的最大保持功能以及精确的经过温度补偿的本地振荡器