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TNY255设计的小功率电源

TNY255芯片集成了电源控制器开关的高压功率MOS场效应管，和常规的PWM（脉宽调制）控制器不同，该芯片采 用了一个简单的开/关控制输出电压。振荡器的频率定在130kHz，最大占空比，典型值为67% 。

TNY255设计的5V电源，电源输出电压5V，电流1.5A，考虑选择EE16型磁心可满足输出7.5W功率的要求。整个电路尺寸小，成本低，非常不错的电源。

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奋斗的青春
LV.10
2
2021-10-19 14:47

每当MOS场效应管关断时，5.8V校准器向从漏极拉电流向连接到BYPASS引脚的旁路电容充电，充电到5.8V

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奋斗的青春
LV.10
3
2021-10-19 14:47
@奋斗的青春
每当MOS场效应管关断时，5.8V校准器向从漏极拉电流向连接到BYPASS引脚的旁路电容充电，充电到5.8V

当MOS场效应管导通时，TinySwitch释放出存储在旁路电容上的能量。

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奋斗的青春
LV.10
4
2021-10-19 14:48
@奋斗的青春
当MOS场效应管导通时，TinySwitch释放出存储在旁路电容上的能量。

Tny255内部电路的功耗非常低，从漏极拉入的电流可供TinySwitch连续运行，一般选择0.1uF旁路电容足够高频退耦和能量存储。

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electronicLee
LV.4
5
2021-10-19 16:12

频率较高，一方面减少了无源器件的体积、另一方面无光耦和钳位电路，减少了成本，研发周期缩短

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k6666
LV.9
6
2021-10-19 19:01
@奋斗的青春
每当MOS场效应管关断时，5.8V校准器向从漏极拉电流向连接到BYPASS引脚的旁路电容充电，充电到5.8V

不同的旁路电容容值可以实现不同的功能，修改很方便的。

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k6666
LV.9
7
2021-10-19 19:02
@奋斗的青春
每当MOS场效应管关断时，5.8V校准器向从漏极拉电流向连接到BYPASS引脚的旁路电容充电，充电到5.8V

一旦BYPASS引脚电压低于5.1V，只有回升到5.8V才使能（打开）功率MOS场效应管。

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k6666
LV.9
8
2021-10-19 19:03
@electronicLee
频率较高，一方面减少了无源器件的体积、另一方面无光耦和钳位电路，减少了成本，研发周期缩短

频率高了的确产品的体积比较小，适合小产品的开发案例。该芯片开发的性能也不错的。

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QQ906871卖电容D
LV.3
9
2021-10-21 16:37

频率高了的确产品的体积比较小，适合小产品的开发案例。该芯片开发的性能也不错的。

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gxg1122
LV.10
10
2021-10-21 17:47
@奋斗的青春
当MOS场效应管导通时，TinySwitch释放出存储在旁路电容上的能量。

边沿消隐电路用于在功率MOS场效应管打开瞬间，抑制限流比较器。

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gxg1122
LV.10
11
2021-10-21 17:48
@k6666
频率高了的确产品的体积比较小，适合小产品的开发案例。该芯片开发的性能也不错的。

吸收电路可将TNY255漏极关断时在初级产生的尖峰电压限定在安全范围内。

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svs101
LV.8
12
2021-10-21 17:56
@k6666
一旦BYPASS引脚电压低于5.1V，只有回升到5.8V才使能（打开）功率MOS场效应管。

芯片内部具有确的迟滞热关断保护功能，具备自动恢复功能，减少人工干预。

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谢厚林
LV.12
13
2021-10-21 22:36
@svs101
芯片内部具有确的迟滞热关断保护功能，具备自动恢复功能，减少人工干预。

这个产品为PI的第一代TNY系列

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谢厚林
LV.12
14
2021-10-21 22:36
@谢厚林
这个产品为PI的第一代TNY系列

用的人很少了

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svs101
LV.8
15
2021-10-22 17:03
@谢厚林
用的人很少了

产品的后续维修可能用的比较多，早期产品应用案例很多，用着不错的IC.

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gxg1122
LV.10
16
2021-10-28 13:40
@electronicLee
频率较高，一方面减少了无源器件的体积、另一方面无光耦和钳位电路，减少了成本，研发周期缩短

芯片增加了自动重起动计数器和输入欠压检测电路。一旦发生输出短路、控制环开路或掉电故障,均能保护芯片不受损坏。

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gxg1122
LV.10
17
2021-10-28 13:40
@svs101
产品的后续维修可能用的比较多，早期产品应用案例很多，用着不错的IC.

正常工作时由此端控制内部功率MOSFET的通断。该端还可用于输入欠压检测。

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k6666
LV.9
18
2021-11-05 15:05
@奋斗的青春
当MOS场效应管导通时，TinySwitch释放出存储在旁路电容上的能量。

TNY255工作频率设置在130kHz，变压器尺寸小，成本低，比较适合低成本案例。

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k6666
LV.9
19
2021-11-05 15:08
@奋斗的青春
Tny255内部电路的功耗非常低，从漏极拉入的电流可供TinySwitch连续运行，一般选择0.1uF旁路电容足够高频退耦和能量存储。

由于TinySwitch内部电路的功耗非常低，从漏极拉入的电流可供TinySwitch连续运行。

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ehi763
LV.6
20
2021-12-04 20:41
@奋斗的青春
Tny255内部电路的功耗非常低，从漏极拉入的电流可供TinySwitch连续运行，一般选择0.1uF旁路电容足够高频退耦和能量存储。

要实现功耗低，要采用偏置电路，待机功耗可以降低到100多mW，节省成本可以采用自供电。

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ehi763
LV.6
21
2021-12-04 20:46
@electronicLee
频率较高，一方面减少了无源器件的体积、另一方面无光耦和钳位电路，减少了成本，研发周期缩短

开关电源一般采用几百K的工作频率，这个跟电路也有很大关系，输入电压的大小，变压器磁材的选择，主开关管的选择。

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眼睛里的海
LV.9
22
2021-12-04 20:59
@gxg1122
吸收电路可将TNY255漏极关断时在初级产生的尖峰电压限定在安全范围内。

吸收与太多因素有关，比如漏感、绕组结构、分布电感电容、器件等效电感电容、二极管反向恢复特性等等

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spowergg
LV.10
23
2021-12-04 21:00
@gxg1122
吸收电路可将TNY255漏极关断时在初级产生的尖峰电压限定在安全范围内。

RCD吸收不是阻尼吸收，而是靠非线性开关D 直接破坏形成电压尖峰的谐振条件。

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眼睛里的海
LV.9
24
2021-12-04 21:22
@ehi763
开关电源一般采用几百K的工作频率，这个跟电路也有很大关系，输入电压的大小，变压器磁材的选择，主开关管的选择。

像锰锌铁氧体材料允许的工作频率从几十K到几百K，一般频率越高那么你的磁性元件的体积就越小，当然成本也越低。

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tabing_dt
LV.10
25
2021-12-04 21:26
@k6666
TNY255工作频率设置在130kHz，变压器尺寸小，成本低，比较适合低成本案例。

频率高，变压器可以用成本低的EE16磁芯，不需要绝缘带/端空，简化了变压器结构，降低成本

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tabing_dt
LV.10
26
2021-12-04 21:28
@spowergg
RCD吸收不是阻尼吸收，而是靠非线性开关D直接破坏形成电压尖峰的谐振条件。

吸收电路中的C 的大小决定吸收效果也就是电压尖峰，同时决定了吸收功率。

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spowergg
LV.10
27
2021-12-04 21:43
@眼睛里的海
像锰锌铁氧体材料允许的工作频率从几十K到几百K，一般频率越高那么你的磁性元件的体积就越小，当然成本也越低。

其实一般的电源芯片有的是固定频率有的是允许用户自己设置频率，而IGBT的开关器件一般再20KHz以内的开关频率应用。

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tmpeger
LV.10
28
2022-11-13 12:03
@k6666
一旦BYPASS引脚电压低于5.1V，只有回升到5.8V才使能（打开）功率MOS场效应管。

电感不能过大，过大会造成开关电源反馈回路增益降低，降低系统的工作带宽

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