逆变不稳定总炸管和驱动，怀疑布线不好，帮忙指点一下

正在重新画板，主要调整了H桥部分

栅极上直接反向并二极管，你有多少管烧你多少。

炸管是原理有问题，和基本布线无关

最多几十KHz的频率，布线问题除了会有异常的温升，一般不会引起炸管

直接并二极管有多少炸多少，  是什么原理，请分析一下好不

请把原理图贴出来。

估计是指，关段速度过快，关段di/dt过大，容易导致器件Vcepeak超标

原理图贴出来，大家可以帮你分析一下，直接看PCB的话有点辛苦。

这种基本上是栅级电阻选的不合理，上下两管死区小，导致二个管子共通

并二极管为什么会炸管？我都是直接并的！

已补充原理图在1楼，麻烦帮忙看下

怎么调整呢，比较疑惑的是前级400V位置接60V就完全没问题

逆变那个电感离EG8010模块很近，这个没影响？

他用的是超结MOS，这种MOS所需的驱动电流比较小，在驱动IC能提供比较大的下拉电流的前提下栅极电阻反并二极管势必引起很快的关断速度，然后DS电压就会引起很高的关断尖峰，而且DS无法承受这个DV/DT，必炸无疑。

看什么管子，有的管子可以并，但他用的那个管不能并。

栅极电阻用到33-47欧左右，反并的二极管上再串10-15欧左右。

炸管子不在乎电压超了或者电流超了，用示波器抓一抓波形才好分析，楼上的大神也提到了你当前用的MOS的驱动参数不合理，你也可以换个MOS试试看

前级通电就烧驱动，或者mos管了，现在独立供个60V去测试

有时烧mos，有时烧驱动eg2113。

之前一直没关注Vds，测试到的波形推算Vds过压。

母线电压60V，高频上管的gs和ds波形

那说明我眯着眼睛都知道你是哪里的问题。

请问下你IR2110输出为什么不用三极管图腾扩流呢

而是使用4452这样的芯片对接呢

看了楼主的波形，上下管貌似没有死区时间。上下管有波形重叠情况。

试了栅极电阻用68欧左右，反并的二极管串22欧，空载ds尖峰还是很大。电阻换过好多种了，都降不下去，驾驭不了HY65R201MF这个管。

同板子换svf13n50一点尖峰都没有，这两个管子的ciss，Qg参数，电桥测量GS电容都比较接近。搞不懂了。

因为三极管扩流具有1V左右的残余电压，在高压管VTH不够高的情况下是致命的，但是三极管延时要小一点这个是优点。使用MIC4452驱动能力强不说，最主要的是残余电压低，基本可以忽略，但是延时就略大了。

因为工艺不同器件的延迟时间也会有差异就需要匹配不同的死区时间了。我看你的死区时间也不够，栅极电阻调大之后就更不够了，建议你同步调大死区时间。

兄弟  你这7812供电应该就是烧管根源了

电流不够？

前级供电，特别是在占空比未全开时，杂波太大，进入驱动小板，炸管是正常的

带重载烧管子是驱动电压低！不过IGBT12V驱动是不行的！