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INN3279C设计的45W电源

电源采用InnoSwitch3-CP系列PowiGaNTM离线反激式开关芯片INN3279C,INN3279C最大输出85W,该设计为最大输出功率45W,5V/6.5A或者9V/5A或者15V/3A输出,主要是适用于多种应用场合的充电器。本设计方案满足技术参数:输入电源100~135VAC,5V/6.5A或者9V/5A或者15V/3A输出,空载损耗小于30mW,带USB TYPE-A/C接口,额定输入电压时平均效率大于91%,具备过流、过压和过热保护功能。下图为实物图。

INN3279C-H222内部集成一个750V的氮化镓开关管,能够达到更大的设计功率和效率,芯片较高的集成度,外围器件少。电源可实现全负载范围内能够精确的恒压恒流恒功率输出,效率达到91%以上。空载损耗小于50mW,是一款性能非常不错的设计方案。

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2021-12-15 21:32

功率管用GaN来设计可以极大的提高开关频率来减小磁芯的尺寸,磁芯体积的减小意味着适配器可以做的更加的小型化。

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iszjt
LV.5
3
2021-12-17 10:33

InnoSwitch3-CP系列整合了多种保护功能,包括线电压过压和欠压保护、输出过压和过电流限制,以及过温关机。此系列装置支援常见的Latch与Auto-restart组合,可满足多种应用的要求,如快速充电和 USB PD 设计。

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2021-12-17 13:15

全负载范围内能够精确的恒压恒流恒功率输出,效率达到91%以上

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dbg_ux
LV.9
5
2021-12-17 16:45
@川理学子
功率管用GaN来设计可以极大的提高开关频率来减小磁芯的尺寸,磁芯体积的减小意味着适配器可以做的更加的小型化。

INN3279C-H215内部集成一个750V的氮化镓开关管,最大设计功率可达85W。

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trllgh
LV.9
6
2021-12-17 17:01
@dbg_ux
INN3279C-H215内部集成一个750V的氮化镓开关管,最大设计功率可达85W。

具备输入过电压和欠电压保护,输出过压和过流限制,及过热关断功能,保护功能很多。

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2021-12-17 17:32
@trllgh
具备输入过电压和欠电压保护,输出过压和过流限制,及过热关断功能,保护功能很多。

Fluxlink技术,省去了反馈系统中使用光耦合器,可靠性更高。

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tabing_dt
LV.10
8
2021-12-18 11:02

PI的Innoswitch3-CP系列AC/DC电源,支持QC3.0和PD快充协议。

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2021-12-18 11:51

效率很高,有氮化镓的加持,开关频率确实可以提高很多,功率密度也上去了。

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#回复内容已被删除#
10
trllgh
LV.9
11
2021-12-18 15:46
@tabing_dt
PI的Innoswitch3-CP系列AC/DC电源,支持QC3.0和PD快充协议。

要支持快充协议,还需要外加快充的物理接口芯片,如PI的CHY103支持QC3.0

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xxbw6868
LV.9
12
2021-12-20 20:39
@trllgh
要支持快充协议,还需要外加快充的物理接口芯片,如PI的CHY103支持QC3.0

智能充电器基本都是通过USB两根数据线和被充电设备进行通信,通信内容基本是增加和减小电流的大小.

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xxbw6868
LV.9
13
2021-12-20 20:39
@tabing_dt
PI的Innoswitch3-CP系列AC/DC电源,支持QC3.0和PD快充协议。

目前已经出现了可以同时支持QC和PD最新协议的集成芯片。

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dbg_ux
LV.9
14
2021-12-21 20:00
@大海的儿子
Fluxlink技术,省去了反馈系统中使用光耦合器,可靠性更高。

电源输出效率高,可以达到90%以上,主要是集成了SR的同步整流功能,还有采用的全新的封装热阻低。

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dbg_ux
LV.9
15
2021-12-21 20:01
@xxbw6868
智能充电器基本都是通过USB两根数据线和被充电设备进行通信,通信内容基本是增加和减小电流的大小.

QC3.0以上适配器可以按照0.2V每格的大小调节输出电压,实现最大功率充电。

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小燕纸
LV.5
16
2021-12-21 23:30

额定输入电压时平均效率大于91%,具备过流、过压和过热保护功能

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XHH9062
LV.9
17
2021-12-22 15:57

纹波控制在啥范围

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米修儿
LV.4
18
2021-12-23 14:34

电源可实现全负载范围内能够精确的恒压恒流恒功率输出,效率达到91%以上,确实挺不错

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2021-12-27 20:16

这个芯片设计的45W电源在变压器设计中怎么考虑其EMC

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cmdz002
LV.5
20
2022-01-14 11:45

内部集成一个750V的氮化镓开关管,能够达到更大的设计功率和效率,芯片较高的集成度,外围器件少

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liunian0711
LV.1
21
2022-01-25 11:12

电源能耗比是多少

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cmdz002
LV.5
22
2022-02-22 08:30

空载损耗小于50mW,性能非常不错。

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hellbaron
LV.6
23
2022-02-24 15:44

反激电源的效率91%,真的非常高了,我做的话应该最高做到85%

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tmpeger
LV.10
24
2022-09-10 22:51
@trllgh
具备输入过电压和欠电压保护,输出过压和过流限制,及过热关断功能,保护功能很多。

为了改善电容的高频特性,多个不同特性的电容器可以并联起来使用

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黑夜公爵
LV.10
25
2022-10-10 22:17
@trllgh
具备输入过电压和欠电压保护,输出过压和过流限制,及过热关断功能,保护功能很多。

计算输出阻抗时候输入电感的输入端要接地, 输出阻抗是较低的曲线 

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opingss88
LV.10
26
2022-10-12 20:34
@trllgh
具备输入过电压和欠电压保护,输出过压和过流限制,及过热关断功能,保护功能很多。

光耦器镜像三极管的击穿电压要高于在最高瞬态输入电压情况下的偏置电压

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黑夜公爵
LV.10
27
2022-11-15 22:06
@dbg_ux
INN3279C-H215内部集成一个750V的氮化镓开关管,最大设计功率可达85W。
各开关周期在初级功率MOSFET的漏极电流达到器件的电流限流值时终止
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tmpeger
LV.10
28
2022-11-16 20:51
@trllgh
具备输入过电压和欠电压保护,输出过压和过流限制,及过热关断功能,保护功能很多。

器件的限流点与反射电压具有函数关系, 使得负载端阻抗降低时负载电流维持近似恒定

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