CR5259 芯片特性：
CR5259 是采用内置 650V 高压功率 MOSFET，反激式 PWM 功率开关；
内置软启动，减小 MOSFET 的应力，内置斜坡补偿电路；
65kHz 开关频率，具有频率抖动功能，使其具有良好的 EMI 特性；
全电压输入范围，待机功耗:< 75mW；
输出接 20AWG 1.5 米，四点平均效率:>87.0%，满足“能源之星 V2.0-VI 级能效”
具有“软启动、OCP、SCP、OTP、OVP 自动恢复等保护功能；
电路结构简单、较少的外围元器件，适用于小功率 AC/DC 电源适配器、充电器。
CR5259是一款采用内置高压功率MOSFET，具有优化的图腾驱动电路以及电流模式PWM控制器，适用于待机功耗<75mW的小功率AC/DC电源适配器、充电器电源。
CR5259在重载或中等负载时，工作在PWM模式，频率为65kHz。当负载逐渐减小时，振荡器的工作频率逐渐降低，最后稳定在 22kHz左右。在空载和轻载时，电路采用间歇模式，有效的降低了待机功耗。该样机大73.8mm×36.8mm，AC264V输入待机功耗<75mW，平均效率>87.0%，能够满足“能源之星V2.0 VI级能效”与欧洲COCT2标准；具有“软启动、OCP、SCP、OTP、OVP自动恢复”等多种保护功能；由振荡电路产生的频率抖动，可以改善EMI特性。
样机的变压器，采用了EE22加宽磁芯（PC40材质），变压器绕制工艺部分，
请见后文详细说明。
