目前测试的是上图的拓扑，下MOS受到MCU控制，同时开关，不管输入AC的相位，只调节PWM占空比。
MCU可以测到 ：输入AC的电压波形、HV的电压、AC输入的电流
电压外环，电流内环，PWM频率20KHz
电压外环已经关闭，先只测试 内环电流环，内环控制周频率 6KHz （每秒计算控制6000次，每个电压周期控制100次）
发现如下问题：轻载时，大致可以达到提高PF值的效果（见下图）
下图AC输入 110VAC 60Hz，HV串接 2 个 230V200W 白炽灯负载
把HV升压到266V，测得输入的 PF = 0.96
（上图 黄色为输入电压波形，蓝色为输入电流波形）
加大负载：HV串接 2 个 110V200W 白炽灯负载
把HV升压到170V，测得输入的 PF = 0.71
（上图 黄色为输入电压波形，蓝色为输入电流波形）
负载的轻重严重影响效果，不知道是哪里的问题，请教一下
控制算法问题？
不该测输入电流？要测电感电流？
PI控制器参数不对？
电流传感器有延迟？
HV电容大小不合适？
升压电感饱和？
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再请教下，电流的采样是不是应该在MOS开启期间采，采电感电流
那么应该在哪个瞬间采呢？上升沿后立即采，还是下降沿之前，还是高电平中间呢，（见上图）
或是其他某些时刻呢？
多谢多谢
