【讨论】看看如何改善降低MOS管的发热量

各位兄弟 我想出一招 不知道可否,请各位兄弟帮小弟拿捏拿捏.原理图见下帖!

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/27/1110934187.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

》条件:DC直流电压输入变化在100~600V范围,输出功率10W,D15齐纳管齐纳击穿电流为8.5mA,此处正考虑使用rensas的HZ20-2,它的齐纳击穿电流为2mA.D12和D13是在TOP管关断时起保护使用.
》分析:第一贴的图中,如果按照在低压保证能稳到15V,则最小齐纳击穿电流要达到2mA左右(使用HZ20-2),则R1=100/2mA=50Kohms,那么高压600V时,流过R1的电流I=600/50K=12mA,则消耗在R1上的功率为P=12mA*12mA*50K=7.2W,显然这是不合理的.R1的阻值不能过小.R1下降能保证Q2的驱动电压,但是使电源效率低下,R1上升,提高效率,但是齐纳管没被齐纳击穿,不能完全打开Q2,使得Q2温度过高.
》思路一:使用较大R1,并使用较小齐纳击穿电流的大电压稳压二极管替代D15,例如1N5271(100V),但是在温度上升,齐纳击穿点下降时,造成Q2驱动过大,极有可能超过20V.
》思路二:如上图所示,使用C1并在D12,D13旁边,这样在TOP关断时,给C1充电,在打开,齐纳二极管需要击穿电流时,提供击穿电流2mA,C1在这里起到能量转移作用,R2用来调整充放电周期.
》我的个人结论,思路二实现的话,更加可靠,效率更高,但是必须解决以下问题:C1必须能提供2mA的电流,且承受1kv电压,C1的充放电周期须大于开关频率132khz,但不宜超过1.5~2倍,否则使得MOS导通器件,驱动不够,归结为C1和R2如何选取才能保证以上条件,请各位帮忙看看.

希望大家多帮帮忙,我压力很大,急切需要解决这个问题.

稳压管的特性曲线如下图,请确定你的稳压管的工作点
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这个我明白 HZ20-2的最小电流是2mA 1N5245的最小电流是8.5mA

如果温度上升的话,稳压管的工作点会偏移,当你的电流小于最小击穿电流时,我认为会造成不稳

研究这个
我个人认为意义不大,失败的可能性大的多
不如研究一下自激

自激 我不大懂,你能给我提供一些资料吗

你帮我看看我的第二种思路好吗

在变压器上加一绕组,给稳压管供电.

你这样能保证MOS管后于top动作吗

如果这样我觉得mos管就没意义了 用top上串电阻不就好了

这办法只解决稳压管供电2mA,基本上不会改变时序.
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所以不能那么做

这个电源的输出功率才10W,只不过输入电压范围宽,应可以用1000V的MOS管+PWM做好.
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我这个知道 当初这么做只是想让外围电路简单一点