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開關電源mosfet炸機

開關電源mosfet炸機

最近在客戶端出現了一個很不正常的問題,就是mosfet劑穿,而且數量很多,目前在工廠的製程中也出現此問題,
線路圖如下(输出为5V,1.6A,客户直接通市电出现不良)
其中pwm ic為OB2262,MOSFET使用為IPS FTA04N65,在客户端损坏的零件有R6,D7,R10,U1,其中的VGS和VDS电压均已经测试,波形如下,U1的启动电阻为1000K,(R3,R4),吸收回路未损坏,已经把不良零件给供应商去分析,其结果为EOS,产线制程OK,请各位看看,还需要测试那些参数啊.

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/69/685561222338745.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);"> 685561222338847.doc

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LV.4

2

2008-09-26 00:46

1.应该跟客户端使用的用电环境应该有关系,如电网波动, 突然间超出了MOS的耐压承受能力.
2.电气过载,
以上是可能原因,

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LV.1

3

2008-09-26 09:34

@river-2008

1.应该跟客户端使用的用电环境应该有关系,如电网波动,突然间超出了MOS的耐压承受能力.2.电气过载,以上是可能原因,

要把IC的SENSE负压控制在-0.3V以下,不然开机很容易炸.

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LV.4

4

2008-09-26 11:36

@

要把IC的SENSE负压控制在-0.3V以下,不然开机很容易炸.

请教为什么我测试mos的Vds电压最小值有-20V啊,是不是和我的示波器的探棒有关系啊??

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LV.3

5

2008-09-26 21:50

我的理解:电路中R7和c4应该不用装,参考原厂的DATASHEET即可了.否则会引起电流检测不准确,引起电流过大,磁芯饱和炸机.MOS耐压足够了.

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LV.7

6

2008-09-26 22:45

@why_why

我的理解:电路中R7和c4应该不用装,参考原厂的DATASHEET即可了.否则会引起电流检测不准确,引起电流过大,磁芯饱和炸机.MOS耐压足够了.

R7和C4一般都需要的,做前沿消隐

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LV.7

7

2008-09-26 22:51

开关机波形拿出来看下.感觉是R10先坏的,有可能是开关机的时候变压器饱和.如果已经量产了,你的麻烦就大了.

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LV.1

8

2008-09-27 08:42

@morning

开关机波形拿出来看下.感觉是R10先坏的,有可能是开关机的时候变压器饱和.如果已经量产了,你的麻烦就大了.

最好检测一下 Sense端的信号变化Vsense Input Voltage Maximum Rating:-0.3~7 Volts

U1(OB2262) 要是工作异常那烧T1的可能性就很大了

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LV.9

9

2008-09-27 10:55

@okpy

最好检测一下Sense端的信号变化VsenseInputVoltageMaximumRating:-0.3~7VoltsU1(OB2262)要是工作异常那烧T1的可能性就很大了

T1 的G级为什么不加下拉电阻,这样的话T1可以100%关断吗?

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LV.2

10

2008-09-27 11:33

顶一下,最好测测mosfe与外界的导热参数

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LV.5

11

2008-09-27 12:04

有可能和小的快恢复二极管,有关系.

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LV.4

12

2008-10-08 08:52

@river-2008

1.应该跟客户端使用的用电环境应该有关系,如电网波动,突然间超出了MOS的耐压承受能力.2.电气过载,以上是可能原因,

電網波動的因素基本可以排除,在生產中我們使用264V測試,而在客戶端只有220V的市電,

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LV.4

13

2008-10-08 08:55

@morning

开关机波形拿出来看下.感觉是R10先坏的,有可能是开关机的时候变压器饱和.如果已经量产了,你的麻烦就大了.

開關機的波形正常,且我把那些現象重新模擬下,只有T1擊穿時才能造成拿麼多零件的不良.產品已經量產了,所以我們的RD暫時不接受此客退,只能我們PE來分析.

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LV.1

14

2010-08-22 21:23

@alex0663

有可能和小的快恢复二极管,有关系.

电源开关MOS是使用6N62的管子，电源芯片是OB2263芯片驱动，使用中经常出现炸板现象，请各位看看,还需要测试那些参数，分析是什么原因？

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LV.6

15

2010-08-22 22:45

@姚彪1

电源开关MOS是使用6N62的管子，电源芯片是OB2263芯片驱动，使用中经常出现炸板现象，请各位看看,还需要测试那些参数，分析是什么原因？

给几个意见参考下

1复查采样电阻的功率是否足够大

2对mos做失效分析，看里面的die是否有瑕疵

3mos在开关的时候会有一定振荡，驱动电路改进下，也可以在mos的G到地价格10k的电阻

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LV.10

16

2010-08-23 08:50

@evdi

给几个意见参考下1复查采样电阻的功率是否足够大2对mos做失效分析，看里面的die是否有瑕疵3mos在开关的时候会有一定振荡，驱动电路改进下，也可以在mos的G到地价格10k的电阻

MOS 的GS之间为什么没有放电电阻阿?

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LV.11

17

2010-08-23 09:54

会不会与U1的VCC脚电压有关，传个电路图看看...有可能是VCC的电压把OB2262损坏了...

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LV.1

18

2010-08-23 11:03

vcc和辅助绕组之间是否应该加个电阻？

变压器工艺怎么样？漏感控制得好吗？RCD吸收回路是否设计合理？

1M的电阻有点小么？我一般都是1.5M加一个510K的。

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