电路图怎么复制不上去啊!
好,对于一个单端正激电路先介绍对于其变压器的设计.纸上谈兵!
INPUT:400V OUTPUT:24V ,10A
对于其变压器无非就是:Np Ns Lp Nset＝Np:Ns
对于其变压器尺寸一定的情况下:磁芯的大小已经确定即Ae,窗口面积Aw一定.磁芯的材料我们可以选择,希望其Bs越高越好.
先取:fs＝80k D＝0．4 dB＝0．25Bs(稍后解释原因)
Vin＝Np*Ae*dB/dt,推出:Np值了.
(Vin/Nset-Vo)*DTs＝Vo(1-D)Ts 推出:Nset
这样Ns也知道了.
Vin＝Lp*di/dt,可知Lp越大,di越小.则变压器的励磁电流越小.
嗯,我们希望的是变压器损耗越小越好,成本越低越好.
我们已经计算出来了,变压器的各项参数,接下来就是其优化的过程.
变压器为什么取80K,dB为什么取0.25Bs?
好,f和dB与铁损成正比.我们希望它们越小越好,但是Vin＝Np*Ae*dB*f/D,f和dB越小,Np就要越大,Ns也要变大,铜损就增加.成本就增加了.那好,我们就把f变的更大吧,虽然铜损减小了,但铁损又会增大.
因此,铁损和铜损的选取需要折衷.
关于单端正激电路的设计
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继续我的讨论.
关于占空比D的选取,这就涉及一个问题,占空比多大的时候达到磁复位.这就也涉及到辅助去磁绕组的作用了.
去磁绕组是和主绕组已反激的方式工作的.当开关关断的时候,去磁绕组带黑点同名端产生高电压,使二极管开通,于是被嵌位为输入电压值,于是其能量以Vin=Lf*di/(1-D)Ts,励磁电流以这样的斜率下降为零, 主电感必须满足:
Vin*DTs/(Np*Ae)<=Vin*(1-D)Ts/(Ns*Ae) D推出有一个最大值的要求.可以选择合适的D值.
关于输出电感的设计,
Ls=(Vin/Nset-Vo)*DTs/di,而di的大小Io的大小和工作状态决定.
根据Io就可以求出ipeak值.
关于其磁芯材料的选取.根据Vo=NAedB/(1-D)Ts,选择合适的材料使其Bs越大越好.这样就确定了输出电感的匝数和电感量.为了避免饱和,要留气隙.
关于占空比D的选取,这就涉及一个问题,占空比多大的时候达到磁复位.这就也涉及到辅助去磁绕组的作用了.
去磁绕组是和主绕组已反激的方式工作的.当开关关断的时候,去磁绕组带黑点同名端产生高电压,使二极管开通,于是被嵌位为输入电压值,于是其能量以Vin=Lf*di/(1-D)Ts,励磁电流以这样的斜率下降为零, 主电感必须满足:
Vin*DTs/(Np*Ae)<=Vin*(1-D)Ts/(Ns*Ae) D推出有一个最大值的要求.可以选择合适的D值.
关于输出电感的设计,
Ls=(Vin/Nset-Vo)*DTs/di,而di的大小Io的大小和工作状态决定.
根据Io就可以求出ipeak值.
关于其磁芯材料的选取.根据Vo=NAedB/(1-D)Ts,选择合适的材料使其Bs越大越好.这样就确定了输出电感的匝数和电感量.为了避免饱和,要留气隙.
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@sunguoying
继续我的讨论.关于占空比D的选取,这就涉及一个问题,占空比多大的时候达到磁复位.这就也涉及到辅助去磁绕组的作用了.去磁绕组是和主绕组已反激的方式工作的.当开关关断的时候,去磁绕组带黑点同名端产生高电压,使二极管开通,于是被嵌位为输入电压值,于是其能量以Vin=Lf*di/(1-D)Ts,励磁电流以这样的斜率下降为零,主电感必须满足:Vin*DTs/(Np*Ae)
你的计算有点问题,纠正如下:
1、正激变压器不需要计算感量,磁芯确定后根据
Np=(Vindcmin*Ton)/ (△B*Ae)计算变压器就好;
2、输出电感是作续流用的,时间应该取Toff;
3、正激变压器一般不需要磨气隙,磨气隙是为了增加△B的工作范围;
并不是为了防止磁芯饱和,反激磨气隙才是为了防止磁芯饱和.
1、正激变压器不需要计算感量,磁芯确定后根据
Np=(Vindcmin*Ton)/ (△B*Ae)计算变压器就好;
2、输出电感是作续流用的,时间应该取Toff;
3、正激变压器一般不需要磨气隙,磨气隙是为了增加△B的工作范围;
并不是为了防止磁芯饱和,反激磨气隙才是为了防止磁芯饱和.
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@sunguoying
继续我的讨论.关于占空比D的选取,这就涉及一个问题,占空比多大的时候达到磁复位.这就也涉及到辅助去磁绕组的作用了.去磁绕组是和主绕组已反激的方式工作的.当开关关断的时候,去磁绕组带黑点同名端产生高电压,使二极管开通,于是被嵌位为输入电压值,于是其能量以Vin=Lf*di/(1-D)Ts,励磁电流以这样的斜率下降为零,主电感必须满足:Vin*DTs/(Np*Ae)
好,接下来,介绍一下几个重要元器件的损耗分析:
1.原边MOS管.
由于原边MOS管走的是励磁电流非常小,求出其励磁电流的有效值Irms后,Pcond=Irms^2*Rdson,接着求出其开通损耗,关断损耗.求出MOS管的总损耗.
2.输出整流二极管的损耗.
Ploss=Io*Vf
3.变压器的损耗
铁损:按照经验公式计算.
铜损:原边的铜损和副边的铜损
原边的铜损: Ploss=Irms-primary^2*Rloss*K,
Ploss-second=Irms^2*Rloss*k (k为肌肤效应系数)
1.原边MOS管.
由于原边MOS管走的是励磁电流非常小,求出其励磁电流的有效值Irms后,Pcond=Irms^2*Rdson,接着求出其开通损耗,关断损耗.求出MOS管的总损耗.
2.输出整流二极管的损耗.
Ploss=Io*Vf
3.变压器的损耗
铁损:按照经验公式计算.
铜损:原边的铜损和副边的铜损
原边的铜损: Ploss=Irms-primary^2*Rloss*K,
Ploss-second=Irms^2*Rloss*k (k为肌肤效应系数)
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@sunguoying
好,接下来,介绍一下几个重要元器件的损耗分析:1.原边MOS管.由于原边MOS管走的是励磁电流非常小,求出其励磁电流的有效值Irms后,Pcond=Irms^2*Rdson,接着求出其开通损耗,关断损耗.求出MOS管的总损耗.2.输出整流二极管的损耗.Ploss=Io*Vf3.变压器的损耗铁损:按照经验公式计算.铜损:原边的铜损和副边的铜损原边的铜损:Ploss=Irms-primary^2*Rloss*K, Ploss-second=Irms^2*Rloss*k (k为肌肤效应系数)
MOS的电流应该取峰值电流,至于损耗P=开通损耗+开关损耗+交流损耗;交流损耗一般可以不计,因为高频下此值很小;变压器及铜损去算太麻烦,没这个必要去算!实验时把温升控制好就行了!这个需要根据经验来定了.
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@anjlin
你的计算有点问题,纠正如下:1、正激变压器不需要计算感量,磁芯确定后根据 Np=(Vindcmin*Ton)/(△B*Ae)计算变压器就好;2、输出电感是作续流用的,时间应该取Toff;3、正激变压器一般不需要磨气隙,磨气隙是为了增加△B的工作范围; 并不是为了防止磁芯饱和,反激磨气隙才是为了防止磁芯饱和.
1,对于后面计算励磁电流的时候,我需要用到Lp计算励磁电流,从而计算损耗,因此我必须要知道我所设计的变压器的保证的主电感的大小.
2.输出电感我需要算出它的电感量,因此需要一个公式才能求出.这必然涉及到输出电感的伏秒平衡.
3.正激变压器是不需要磨气隙,我是说其输出电感需要加上气隙,哦,不好意思,也可能不需要,可能大部分都不需要,不好意思,这个有误.纠正一下.你说的对.
2.输出电感我需要算出它的电感量,因此需要一个公式才能求出.这必然涉及到输出电感的伏秒平衡.
3.正激变压器是不需要磨气隙,我是说其输出电感需要加上气隙,哦,不好意思,也可能不需要,可能大部分都不需要,不好意思,这个有误.纠正一下.你说的对.
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