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DC-DC模块(UC3843做的),效率过低,仅76%

最近用UC3843做了一个隔离的DC-DC模块电源.输入9-18V,输出22V-200mA.
采用的是ER11/5的磁芯,材质为PC44,B在环境温度120度时为390.
骨架用的5*5的贴片骨架,因为有高度限制.
变压器初级8T,线径为0.29mm.电流密度为8A
次级11T,线径为0.29mm.
辅助绕组为6T,线径为0.14mm.
设计最大占空比为35%.

现在的情况是效率为76%.想要提高效率.变压器温度为50度(环境温度为23度时的测试值).
骨架的限制,无法绕更多的线.

这个电源的要求是在环境温度为90度时可以正常工作.按现在的情况来看估计60度应该都过不了.

哪位高手可以帮忙看看.估计是变压器设计的不好,帮忙算算看!
小弟不甚感激!
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xiawenjin
LV.4
2
2008-10-07 17:17
ER11/5磁芯的Ae为11.9
帮忙算算,谢谢了!
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11119
LV.6
3
2008-10-07 17:31
@xiawenjin
ER11/5磁芯的Ae为11.9帮忙算算,谢谢了!

 

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xiawenjin
LV.4
4
2008-10-07 19:12
@xiawenjin
ER11/5磁芯的Ae为11.9帮忙算算,谢谢了!
之前测试在环境温度为25度时变压器的温度到68度左右.
我改了一下,
变压器初级7T,线径为0.29mm.
次级17T,线径为0.29mm.
辅助绕组为12T,线径为0.14mm.
测试了一下,当带载到180mA时,MOSFET门级驱动信号出现一个小脉冲+一个大脉冲;估计是进入了电流连续模式.
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xiawenjin
LV.4
5
2008-10-07 19:12
@xiawenjin
之前测试在环境温度为25度时变压器的温度到68度左右.我改了一下,变压器初级7T,线径为0.29mm.次级17T,线径为0.29mm.辅助绕组为12T,线径为0.14mm.测试了一下,当带载到180mA时,MOSFET门级驱动信号出现一个小脉冲+一个大脉冲;估计是进入了电流连续模式.
之前的那个也会进入连续模式
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xiawenjin
LV.4
6
2008-10-07 19:41
@xiawenjin
之前的那个也会进入连续模式
测了一下,温度没有多大的改善.环境温度25.5度时变压器的温度为67度.
带载200mA时的效率为77%,效率有所改善
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11119
LV.6
7
2008-10-07 19:47
@xiawenjin
测了一下,温度没有多大的改善.环境温度25.5度时变压器的温度为67度.带载200mA时的效率为77%,效率有所改善
你这样应该改善不大
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xiawenjin
LV.4
8
2008-10-08 15:06
@11119
你这样应该改善不大
今天又改了一下,把次级线圈增加了几T,效率上升到81%.温度下降到60度.
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LV.1
9
2008-10-08 16:32
体积要求如何,可以考虑增加core的大小,匝数不要变,换更粗的线,应该ok
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xiawenjin
LV.4
10
2008-10-08 22:16
@
体积要求如何,可以考虑增加core的大小,匝数不要变,换更粗的线,应该ok
对大小、高度都有要求.我之前用EE10做过,效率可以到86%,但是过不了高度限制
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LV.1
11
2008-10-09 09:27
@xiawenjin
对大小、高度都有要求.我之前用EE10做过,效率可以到86%,但是过不了高度限制
想高效率,可以考虑采用平面变压器,或者提高最大占空比到0.5以上,优化磁的选择
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xiawenjin
LV.4
12
2008-10-09 22:49
@
想高效率,可以考虑采用平面变压器,或者提高最大占空比到0.5以上,优化磁的选择
同时工作连续模式和断续模式,会使电路工作不稳定的.采用平面变压器也要考虑成本啊.买小批量的磁芯,别人都不买啊,很郁闷的
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LV.1
13
2008-10-10 10:38
@xiawenjin
同时工作连续模式和断续模式,会使电路工作不稳定的.采用平面变压器也要考虑成本啊.买小批量的磁芯,别人都不买啊,很郁闷的
不会不稳定的,跨越连续断续模式
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hutushen
LV.4
14
2008-10-10 16:49
@
不会不稳定的,跨越连续断续模式
说了半天,都不知道用的什么拓扑,频率多少,最大占空比怎么只有35%?
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LV.1
15
2008-10-10 17:17
@hutushen
说了半天,都不知道用的什么拓扑,频率多少,最大占空比怎么只有35%?
提高占空比,恩
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xiawenjin
LV.4
16
2008-10-11 18:40
@hutushen
说了半天,都不知道用的什么拓扑,频率多少,最大占空比怎么只有35%?
这个好要说啊,不说也知道是反激了.设计变压器的时候,设计的最大占空比.
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xiawenjin
LV.4
17
2008-10-11 18:43
@
提高占空比,恩
提高占空比到50%左右的时候,MOSFET驱动信号就会出现一小脉冲后面跟一个大脉冲.工作会不稳定,变压器的发热量就更大了
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LV.1
18
2008-10-13 09:10
@xiawenjin
提高占空比到50%左右的时候,MOSFET驱动信号就会出现一小脉冲后面跟一个大脉冲.工作会不稳定,变压器的发热量就更大了
然后迢环路调稳定啊,你这个是斜坡补偿没加够吧
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xiawenjin
LV.4
19
2008-10-14 16:57
@
然后迢环路调稳定啊,你这个是斜坡补偿没加够吧
就是在3脚和4脚之间加的电容太小了,还太大了!怎么该?我该该试试
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xiawenjin
LV.4
20
2008-10-18 18:42
@xiawenjin
这个好要说啊,不说也知道是反激了.设计变压器的时候,设计的最大占空比.
今天改了一下电路,效率可以做到87%了,温度也下降了不少啊!
估计在环境温度90度下工作应该没有什么问题了
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LV.1
21
2008-10-20 09:03
@xiawenjin
今天改了一下电路,效率可以做到87%了,温度也下降了不少啊!估计在环境温度90度下工作应该没有什么问题了
呵呵,可以说说怎么改了吗
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huxiaowei
LV.3
22
2008-10-30 18:57
@xiawenjin
就是在3脚和4脚之间加的电容太小了,还太大了!怎么该?我该该试试
也可以在6脚和三角加电阻啊
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xiawenjin
LV.4
23
2008-11-02 10:29
@huxiaowei
也可以在6脚和三角加电阻啊
能说说为什么不?
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mbyd
LV.6
24
2008-11-02 21:03
@xiawenjin
今天改了一下电路,效率可以做到87%了,温度也下降了不少啊!估计在环境温度90度下工作应该没有什么问题了
电路改一下就长了十个点,怎么改的呀,我也想见识一下呀,呵呵,分享一下嘛
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xiawenjin
LV.4
25
2008-11-03 13:24
@mbyd
电路改一下就长了十个点,怎么改的呀,我也想见识一下呀,呵呵,分享一下嘛
初级采用双绕,增加初级电流.在原来的变比基础上给次级增加了2,降低占空比.
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LV.1
26
2008-11-03 15:07
@xiawenjin
初级采用双绕,增加初级电流.在原来的变比基础上给次级增加了2,降低占空比.
占空比降低?应该对效率没啥好处.
呵呵,说明还是双线并绕起到了效果.原边铜损比较大吧
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LV.1
27
2008-11-03 15:11
@
占空比降低?应该对效率没啥好处.呵呵,说明还是双线并绕起到了效果.原边铜损比较大吧
另外之前的辅助绕组如果是和输出是6比8的关系的话,VCC可能比较高
(22*3/4-0.7)=15.8,损耗是个问题,现在改为6比10的话,原边Vcc就只有12.5,这可能起了效果
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huxiaowei
LV.3
28
2008-11-05 18:19
你的图呢?从你的叙述只能看到占空比有点小啊1
起码要用到0.4啊  这样没什么办法啊!
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xiawenjin
LV.4
29
2008-11-08 18:02
@
另外之前的辅助绕组如果是和输出是6比8的关系的话,VCC可能比较高(22*3/4-0.7)=15.8,损耗是个问题,现在改为6比10的话,原边Vcc就只有12.5,这可能起了效果
基本如你所说!之前的占空比在满载的时候大与40,电路处于不稳定状态,增加了MOSFET的开关损耗;因为我的板很小,所以散热方面就不好解决.更改后满载占空比小于40,解决了这个问题.改占空比主要是应对热问题
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老钟电源IC
LV.11
30
2012-10-17 13:53
@xiawenjin
今天又改了一下,把次级线圈增加了几T,效率上升到81%.温度下降到60度.

那有成效了.

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老钟电源IC
LV.11
31
2012-10-17 13:54
@xiawenjin
能说说为什么不?

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