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电源部分电路的分析

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此为18.8v稳压电源的部分电路,好像是过流保护,请帮忙分析一下是如何工作的,不胜感激!回复或者QQ:782345879联系均可.谢过先!


补充:现有出现一问题 本来这是过流保护的 但是现在电流升到600毫安左右不变化了 而且还有输出 三极管集电极处电压在7V左右 还请各位帮忙分析一下 有什么想法尽管发表 错对无所谓 大家一起讨论一下
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2008-10-14 10:56
好心的人还请帮帮忙啊...
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2008-10-14 11:13
你再看看你三极管有没有接错位置,这个图纸是原来的图纸还是你画的时候你画错了,因该是利用R4上的压降来限流吧
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hjjk
LV.6
4
2008-10-14 11:32
有过流和短路保护,
R4为电流检测电阻,358的-为电流检测输入,+为基准电压,“-”电压大于+时,输出高电压,使P MOS内阻增大至直关断,从而实现限流,当输出电流增大,直到R4两端压降大于0.6V时,V56导通,使MOS关断.
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luo3753
LV.5
5
2008-10-14 13:27
@hjjk
有过流和短路保护,R4为电流检测电阻,358的-为电流检测输入,+为基准电压,“-”电压大于+时,输出高电压,使PMOS内阻增大至直关断,从而实现限流,当输出电流增大,直到R4两端压降大于0.6V时,V56导通,使MOS关断.
“-”电压大于+时,输出高电压!!!!
楼上的兄弟!!,这里是不是分析错啦

反向输入端大于正向输入端时,输出的是低电位才是对的吧?
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2008-10-14 14:12
@hjjk
有过流和短路保护,R4为电流检测电阻,358的-为电流检测输入,+为基准电压,“-”电压大于+时,输出高电压,使PMOS内阻增大至直关断,从而实现限流,当输出电流增大,直到R4两端压降大于0.6V时,V56导通,使MOS关断.
这个电路估计只限定与固定输入固定输出的才可以,限流保护是利用R4上的压降来实现,我刚才没看清楚MOS管是9530,至于358那部分,我倒觉得可以称之为反馈,要不怎么实现输出稳压呢?
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2008-10-14 14:20
@ytdfwangwei
这个电路估计只限定与固定输入固定输出的才可以,限流保护是利用R4上的压降来实现,我刚才没看清楚MOS管是9530,至于358那部分,我倒觉得可以称之为反馈,要不怎么实现输出稳压呢?
多谢各位了...
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2008-10-14 17:10
V56的三极管是不是多余的 可以去掉吗
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power_sz
LV.7
9
2008-10-14 23:49
我敢肯定你这电路无法有输出,即使有也是不可控的.原因是和MOSFET的
导通条件有关.、、、
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2008-10-15 08:33
@power_sz
我敢肯定你这电路无法有输出,即使有也是不可控的.原因是和MOSFET的导通条件有关.、、、
呵呵 我这是已经投放市场的产品,只是想进一步分析一下电路工作原理...
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2008-10-18 11:21
不会吧 都沉了
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pads2005pcb
LV.7
12
2008-10-19 00:52
@caoyuangulang
不会吧都沉了
电路接方本身就有错,按图中接方是无法正常工作的,V52是增强型P沟道的MOSFET,型号为 IRF9530,其栅极接收了由于齐纳二极管D4的正向电压降因而略微为正值的反向栅极偏置电压.V52的栅极至源极电压变为负,MOSFET管才可以导通,本图中不具备负压差的产生条件,MOSFET管不导通,图中MOSFET管的D与S接反.  因此,该电路不成立有功能的说法.
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2008-10-19 20:12
@pads2005pcb
电路接方本身就有错,按图中接方是无法正常工作的,V52是增强型P沟道的MOSFET,型号为IRF9530,其栅极接收了由于齐纳二极管D4的正向电压降因而略微为正值的反向栅极偏置电压.V52的栅极至源极电压变为负,MOSFET管才可以导通,本图中不具备负压差的产生条件,MOSFET管不导通,图中MOSFET管的D与S接反.  因此,该电路不成立有功能的说法.
系统上电 三极管截止 MOS管导通 系统正常工作 当负载电流过大 三级管导通 MOS管关断 无输出 起到保护作用...
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yxdz
LV.7
14
2008-10-20 07:58
@caoyuangulang
系统上电三极管截止MOS管导通系统正常工作当负载电流过大三级管导通MOS管关断无输出起到保护作用...
继续啊,关注中
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hdzpc
LV.5
15
2008-10-20 09:38
@caoyuangulang
系统上电三极管截止MOS管导通系统正常工作当负载电流过大三级管导通MOS管关断无输出起到保护作用...
有一点不太清楚,P沟道的MOS管导通的负压差从何而来!
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xkw1
LV.9
16
2008-10-20 09:52
@hdzpc
有一点不太清楚,P沟道的MOS管导通的负压差从何而来!
R7提供,相对FET而言,源对负电源就是负压.
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yxdz
LV.7
17
2008-10-22 18:53
@xkw1
R7提供,相对FET而言,源对负电源就是负压.
看你们的了,
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xkw1
LV.9
18
2008-10-23 00:02
先暂时抛开电压反馈网络,MOS其实是三极管的阔流管,三极管现在工作在完全电流负反馈模式.电流负反馈和电压负反馈在三极管集电极处线或.
在三极管BE间电压达到0.5V以前;完全截止.三极管BE达到0.6V后;进入线性区.负载电流增大;三极管BE电压上升---集电极电压上升,MOSFET的G-S间电压下降,MOSFET被抑制导通,电流取样电阻电压下降(BE电压下降).这就是电路的电流负反馈做保护的工作过程.所以;该电路是截流保护,不是关闭保护.如果用小单向晶闸管代替PNP三极管的话,可以实现关闭保护;上电恢复功能.
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ysun
LV.6
19
2008-10-23 19:42
@xkw1
先暂时抛开电压反馈网络,MOS其实是三极管的阔流管,三极管现在工作在完全电流负反馈模式.电流负反馈和电压负反馈在三极管集电极处线或.在三极管BE间电压达到0.5V以前;完全截止.三极管BE达到0.6V后;进入线性区.负载电流增大;三极管BE电压上升---集电极电压上升,MOSFET的G-S间电压下降,MOSFET被抑制导通,电流取样电阻电压下降(BE电压下降).这就是电路的电流负反馈做保护的工作过程.所以;该电路是截流保护,不是关闭保护.如果用小单向晶闸管代替PNP三极管的话,可以实现关闭保护;上电恢复功能.
无负载输出12.6V左右,负载大于2mA输出0v
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xkw1
LV.9
20
2008-10-24 11:40
@ysun
无负载输出12.6V左右,负载大于2mA输出0v
如果真是这样的话,多半是管子开路或运放接反了.
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LV.1
21
2008-10-24 15:51
@xkw1
先暂时抛开电压反馈网络,MOS其实是三极管的阔流管,三极管现在工作在完全电流负反馈模式.电流负反馈和电压负反馈在三极管集电极处线或.在三极管BE间电压达到0.5V以前;完全截止.三极管BE达到0.6V后;进入线性区.负载电流增大;三极管BE电压上升---集电极电压上升,MOSFET的G-S间电压下降,MOSFET被抑制导通,电流取样电阻电压下降(BE电压下降).这就是电路的电流负反馈做保护的工作过程.所以;该电路是截流保护,不是关闭保护.如果用小单向晶闸管代替PNP三极管的话,可以实现关闭保护;上电恢复功能.
xkw1分析的关于电流反馈的部分比较赞同
电压反馈的效果呢,这里看不太懂
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2008-11-30 20:12
@xkw1
先暂时抛开电压反馈网络,MOS其实是三极管的阔流管,三极管现在工作在完全电流负反馈模式.电流负反馈和电压负反馈在三极管集电极处线或.在三极管BE间电压达到0.5V以前;完全截止.三极管BE达到0.6V后;进入线性区.负载电流增大;三极管BE电压上升---集电极电压上升,MOSFET的G-S间电压下降,MOSFET被抑制导通,电流取样电阻电压下降(BE电压下降).这就是电路的电流负反馈做保护的工作过程.所以;该电路是截流保护,不是关闭保护.如果用小单向晶闸管代替PNP三极管的话,可以实现关闭保护;上电恢复功能.
实践证明此电路在从新上电后能够正常输出 我也是这样分析的 我要是想改进为电流降到保护值之下后系统自动恢复输出 去掉358应该是可以的吧  为什么不行 请指教
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2008-12-04 14:26
正常输出等于输入电压,当负载电流达到600mA左右的时候开始限流,也就说电流不会超过600mA,具体准确值要看你的9012参数.限流后输出电压下降,当下降到基准电压以下时,358翻转,mos管锁死
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2008-12-04 21:07
@lajiaoxiaoxin
正常输出等于输入电压,当负载电流达到600mA左右的时候开始限流,也就说电流不会超过600mA,具体准确值要看你的9012参数.限流后输出电压下降,当下降到基准电压以下时,358翻转,mos管锁死
前辈能否说的详细点 比方说电流超过600后 为什么输出就变小了
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facts
LV.3
25
2008-12-05 11:04
@caoyuangulang
V56的三极管是不是多余的可以去掉吗
V56起到过载和短路限流作用
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