SIC1182K是PI公司推出的eSOP-R16B封装的单通道碳化硅（SiC）MOSFET门极驱动器，其内部采用固体绝缘FluxLink技术极大的加强了驱动器的绝缘性能，SIC1182K的驱动电流可达到±8A。
SIC1182K可以通过一个检测引脚来提供短路保护以及过压限制，如果所驱动的SiC MOSFET提供电流检测端子，SIC1182K还能提供可调的过流检测，以代替短路保护。VCC引脚和SO引脚（开漏输出引脚）间应接一个1kΩ上拉电阻RSO，在故障情况下，该电阻能为SO引脚提供至少5mA的电流。次级侧电源接在VISO引脚和COM引脚之间。VTOT=20V，则导通时GH引脚电压VGH=15V（相对于VEE引脚），关断时GL引脚的电压VGL=﹣5V（相对于VEE引脚）。VEE和COM引脚之间、VISO和VEE引脚之间都要接一个不小于3μF的电容（CS1、CS2），在SiC MOSFET的门极充电时起缓冲作用。GH和VGXX引脚间要接一个10nF的电容。
为保证门极电压的稳定和短路期间对漏极电流的限制，SiC MOSFET的门极通过一个肖特基二极管DSTO与VISO引脚相连。为避免由系统上电引起的寄生导通，SiC MOSFET的门极通过一个22kΩ的电阻RDIS与COM引脚相连。
在SNS引脚和SiC MOSFET漏极之间连接一串TVS二极管，以实现高级有源钳位功能。关断时，若流入SNS引脚的电流达到ISNS，就会触发高级有源钳位，从而使GL的电流逐渐减小，通常可减小至20mA，效果远强于单独由TVS二极管提供的基础有源钳位。针对1200V的SiC MOSFET，由TVS提供的总电压限制应设为900V。
