观看学习氮化镓器件心得

相对于第一代硅基半导体，氮化镓半导体具有禁带宽度大，电导率高、热导率高。

同时氮化镓半导体具有临界击穿电场高、电子迁移率高、频率特性好等特点。

氮化镓技术的特点及优势，带来的应用环境更广，性能稳定可靠。

使用氮化镓能让充电器在体积做小的同时，内部设置多口输出的降压电路，而不增加整体体积。

氮化镓优势具有高耐压、高速开关、低导通电阻、高效率的特性，可以支持更高的开关频率。

氮化镓技术会使Ciss值减小，显著减小初级控制器或外挂驱动器的功耗。

进而可以降低驱动器的温升，提高稳定性并提高效率。相比硅MOS10V的驱动电压降低，也降低了驱动器的驱动难度。

对应的GaN的栅极是通过掺杂的GaN消耗，使得电子沟道关断。因此GaN耐压能力，驱动电压都比MOS管低。

GaN具有更宽的带隙和电子迁移率，其开关速度更快，具有更高的效率和功率密度.

氮化镓技术设计的产品带来系统的优势是易散热、体积小、功耗低、功率大。

氮化镓设计的开关可以支持在300摄氏度以上的环境使用，耐高温。

GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度。

氮化镓技术设计开发的优势，工艺先进，产品的性能出色，下一代半导体技术发展的方向。

氮化镓的开关耐压很高，同时支持更高的工作频率，利于产品体积缩小。

集成氮化镓技术的芯片比独立氮化镓器件具有更小的体积，更高的开关速度，更低功耗及更高的效率，高频率低损耗的优势

频率一高，就得上固态电容。

普通高频低阻的电解对100K以上的频率还是不够给力，在小批量测试中，老化的时候都会有鼓包的。

我也觉得集成氮化镓技术未来会是一种趋势

PI的功率器件就是做得好！！

氮化镓器件可真的是未来的发展趋势啊

拥有准谐振反激QR架构以及有源钳位ACF架构

PI集成氮化镓技术以后的主流技术啊

目前氮化镓器件是主流方案了，特别是在PD快充行业

没有反向恢复时间

PI集成氮化镓技术的芯片与独立氮化镓器件的优势相当明显，尤其用于45W及以上的快充电源产品中，小体积、低发热等优势极为明显，获得了消费者高度认可。

集成氮化镓技术的芯片比独立氮化镓器件具有更小的体积，更高的开关速度，更低功耗及更高的效率，高频率低损耗的优势

但是价格会相对较高呀，如果不是追求绝对的效率，这个差价可能不是可以接受的。

学习的基本知识，对于实际应用的设计心得不知道你有没有啊

基础物理了不起，新材料

氮化镓开关管的驱动电路通普通 MOS 管还是不同，设计中还是要熟悉器件特性

反馈引脚直接连接到分压器网络，以实现快速瞬态负载响应