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INN3165设计的25W充电器

    InnoSwitch3-CE 是集成了650 V MOSFET、同步整流、FluxLink反馈的离线反激式恒压/恒流准谐振的开关电源集成电路,次级侧提供输出电压、输出电流,进而感测和驱动到提供同步整流的MOSFET,由于该产品兼具高集成度和卓越性能,所以表现出了很高的功率密度和效率特性,比较适合用来设计功率在65 W以内的应用场合,也适合用来设计充电器。

InnoSwitch3-CE 实物图:

    INN3165C是InnoSwitch3-CE 产品系列中具有绝缘、安全等级集成反馈的AC/DC集成电路,该产品拥有极其快速的瞬态响应,且与负载时序无关;它内置了同步整流,以实现高效率。该产品输入交流电压范围为85V-265V,满载效率超过88%,最大输出电流和最大输出电压分别为5A、5V,所以最大输出功率可达25W,在实际应用中最好不要满载使用,最好是其额定的70-80%。电源的实现主要包括主MOSFET,初级侧控制器和次级侧控制器,一般次级感应反馈系统上需要使用光电耦合器,该集成电路所采用的二级侧控制器内置了同步整流和Fluxlink技术,无需使用光电耦合器。此外空载输入功率小于35 mW,线路输入小于20 mW,且受变压器变化影响比较小。

电路板性能指标:

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2022-07-13 12:36

这类电源无需散热片,电源设计更小、更轻便,体积更小型化。

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2022-07-13 12:37

5V的充电器都需要有电缆压降补偿功能,电缆压降补偿是减少总充电时间的关键要求。

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tabing_dt
LV.10
4
2022-07-13 12:50
@眼睛里的海
这类电源无需散热片,电源设计更小、更轻便,体积更小型化。

不用散热片的话,就要想办法降低损耗,提高效率了,InnoSwitch3效率都比较高,有的都可以做到90%以上的效率。

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tabing_dt
LV.10
5
2022-07-13 12:50

具有多种设定的缆线压降补偿,满足不同的额充电器应用场合。

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ehi763
LV.6
6
2022-07-14 14:00
@tabing_dt
具有多种设定的缆线压降补偿,满足不同的额充电器应用场合。

该产品系列将初级和次级控制器以及符合安全标准的反馈机制集成到了单个集成电路中。

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ehi763
LV.6
7
2022-07-14 14:01
@眼睛里的海
5V的充电器都需要有电缆压降补偿功能,电缆压降补偿是减少总充电时间的关键要求。

主要是当电源的额定功率越高,充电线有线损,导致电池终端电压很低,电池可能充不饱的现象或者很慢。

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tabing_dt
LV.10
8
2022-07-18 13:03
@ehi763
该产品系列将初级和次级控制器以及符合安全标准的反馈机制集成到了单个集成电路中。

还集成了多项保护特性,包括输入过压及欠压保护、输出过压及过流限制以及过温关断.

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tabing_dt
LV.10
9
2022-07-18 13:03

IC的内部有个基准电压为1.266 V,阈值约为33 mV,这个阈值来检测负载情况来减少损耗。

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2022-07-18 13:15
@tabing_dt
不用散热片的话,就要想办法降低损耗,提高效率了,InnoSwitch3效率都比较高,有的都可以做到90%以上的效率。

为了提高转换效率和降低开关损耗,芯片可在初级开关的电压接近其最小电压时强制进行开关。

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2022-07-18 13:15
@tabing_dt
IC的内部有个基准电压为1.266V,阈值约为33mV,这个阈值来检测负载情况来减少损耗。

一旦超过这些电阻上的电流检测阈值,器件就会调整开关脉冲的数量,以保持固定的输出电流。

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tabing_dt
LV.10
12
2022-07-19 12:54
@眼睛里的海
为了提高转换效率和降低开关损耗,芯片可在初级开关的电压接近其最小电压时强制进行开关。

这种工作模式不会检测初级侧的励磁振荡波谷的位置,而是使用正激引脚的峰值电压来选通次级请求。

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tabing_dt
LV.10
13
2022-07-19 12:55
@ehi763
主要是当电源的额定功率越高,充电线有线损,导致电池终端电压很低,电池可能充不饱的现象或者很慢。

因此有必要根据负载电流的压降比,对充电器进行输出电压补偿来加快充电。

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2022-07-19 13:01
@tabing_dt
还集成了多项保护特性,包括输入过压及欠压保护、输出过压及过流限制以及过温关断.

输出电流采用外部检测的方式,可提供精确的恒流/恒压调整率,从而提高设计灵活性。

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cmdz002
LV.5
15
2022-07-22 20:47

 INN3165C-H101-TL是一款InnoSwitch™-CE系列CV/CC反激式转换芯片。该器件集成650V MOSFET同步整流, FluxLink™反馈CV和CC可达65W。

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2022-07-23 13:51

效率最好有90%吗

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听听1234
LV.3
17
2022-07-23 20:49

InnoSwitch3-CE 是集成了650 V MOSFET、同步整流、FluxLink反馈的离线反激式恒压/恒流准谐振的开关电源集成电路,

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cwm4610
LV.6
18
2022-07-25 13:38

方案是好的,但是实际制作的过程中需要注意的地方很多很多

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Fourier
LV.1
19
2022-07-26 19:57
@眼睛里的海
这类电源无需散热片,电源设计更小、更轻便,体积更小型化。

无需散热,会不会导致充电器工作的时候温度过高,发烫

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hellbaron
LV.6
20
2022-07-27 13:49

这芯片得多少钱一个,挺贵的吧

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cwm4610
LV.6
21
2022-08-24 11:38

无需散热片,电源设计更小、更轻便,体积更小型化。这是优势!

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紫蝶
LV.9
22
2022-09-24 18:49

楼主这个电路设计有电源原理图吗?参考学习下,最近做类似的设计。

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紫蝶
LV.9
23
2022-09-24 18:50

25w的功率输出,5V电压150mV的纹波是不是有点大了?这个系列的设计应该没这么大吧?

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2022-10-26 13:56

二级侧控制器内置了同步整流和Fluxlink技术无需使用光电耦合器,节省了外部光耦

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tabing_dt
LV.10
25
2023-02-09 20:23
@名字不好取
效率最好有90%吗

为有更的高效率,在次级侧采用同步整流驱动,以功率MOSFET取代二级管,减低导通时间,减少损耗,电源可工作在DCM-CCM间平滑切换。

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opingss88
LV.10
26
2023-04-20 20:18
@ehi763
主要是当电源的额定功率越高,充电线有线损,导致电池终端电压很低,电池可能充不饱的现象或者很慢。

选择磁芯时要综合考虑绕线面积、磁芯截面积及磁芯表面积与体积的比例

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spowergg
LV.10
27
2023-04-25 20:07
@opingss88
选择磁芯时要综合考虑绕线面积、磁芯截面积及磁芯表面积与体积的比例

当设计应用需要较小的磁心截面积时,可以选用BPD型的磁心产品。

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xxbw6868
LV.9
28
2023-04-25 20:33
@spowergg
当设计应用需要较小的磁心截面积时,可以选用BPD型的磁心产品。

漏磁和漏感与磁芯结构有直接关系.如果磁芯不需要气隙,则尽可能采用封闭的环形和方框型结构磁芯。

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紫蝶
LV.9
29
2023-05-15 11:31
@tabing_dt
具有多种设定的缆线压降补偿,满足不同的额充电器应用场合。

PI所用的是次级侧的控制器同时控制三个开关,从而做到精准的控制,实现效率最大化的设计

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opingss88
LV.10
30
2023-10-11 22:43
@tabing_dt
还集成了多项保护特性,包括输入过压及欠压保护、输出过压及过流限制以及过温关断.

初级功率MOSFET的次级侧控制可避免两个MOSFET发生任何交越导通

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黑夜公爵
LV.10
31
2023-12-14 21:28

额外握手协议可以在次级侧检测到初级侧提供多于所要求周期的情况下被调用

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