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请教一个NMOS高侧驱动的问题

正常的NMOS高侧驱动如下图所示,高侧必须配置独立的隔离电源,以提供高于VBUS的驱动电压。

三相桥就得有3路隔离电源V1 V2 V3.

但是能不能只提供一个隔离电源,比如将隔离电源负极接在VBUS上呢?

这样隔离驱动器提供的电压 高=VBUS+10V 低=VBUS.

这样不论高侧NMOS开关与否,共模电压点维持在VBUS,依然能对NMOS进行开关。

像下面这样。

我试了仿真没有问题,但是好像所有的方案都是驱动VGS,没人驱动VGD。

共模点都在栅极上。

求大佬解惑。

能否将共模点接在漏极上,从而对多个共漏极的NMOS开关进行驱动以简化电源设计。

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2022-08-26 14:48

我想的是,如果在上电时刻,栅极电源为零,之后Vbus(24V)先上电,隔离电源(10V)再上电进行输出,此时栅极电压为34V,源极电压0V Vgs=34V>一般的mos耐压±20V,可能导致击穿,但是如果给栅源加上泄放电阻和稳压二极管就可以避免。 除此之外大佬们看看还有什么问题

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2022-08-26 17:58
@dy-hRfTwFJm
我想的是,如果在上电时刻,栅极电源为零,之后Vbus(24V)先上电,隔离电源(10V)再上电进行输出,此时栅极电压为34V,源极电压0VVgs=34V>一般的mos耐压±20V,可能导致击穿,但是如果给栅源加上泄放电阻和稳压二极管就可以避免。除此之外大佬们看看还有什么问题

关断后,GS电荷怎么快速放电?光靠泄放电阻是不够的。

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sxliujin
LV.3
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2022-08-26 21:33
@ymyangyong
关断后,GS电荷怎么快速放电?光靠泄放电阻是不够的。

如果只是低频DC开关的用途,就只依靠Rgs放电,对我目前应用不太影响,慢关断还能降低电压尖峰。 请问只有这一个缺点吗。

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2022-08-28 13:41
@sxliujin
如果只是低频DC开关的用途,就只依靠Rgs放电,对我目前应用不太影响,慢关断还能降低电压尖峰。请问只有这一个缺点吗。

感觉驱动电流做不大,试试就知道了。

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