这个电路中的可控硅可以换成MOSFET或者IGBT 吗?

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我在实验中发现,如果用导线代替SCR 开关,T2次级放电火花非常强,但通过SCR开关,火花强度减弱,估计使SCR的内阻过大,因此引出了下列的问题.

问题:
1、图中的SCR 可以换成MOSFET 或者IGBT吗? 电路如何改动? 我可以使用单片机精确控制MOSFET的开和关.

2、当T1工作频率在50KHz时,图中1uF的电容使用哪种型号比较好? low ESR的电容有没有耐压400V的?