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inn3367设计的USB PD电源

利用INN3367设计的USB电源,整个设计精简的外围电路,主要归功于InnoSwitch3-Pro芯片的应用。芯片内部集成了PWM主控芯片、650V功率器件、同步整流控制器等大部分主要功能,电源工程师在应用过程中只需要搭配一些必要的被动元器件和协议芯片,即可完成高性能快充产品的设计,加速产品上市周期并节约开发成本。

搭配英集芯协议IC来支持多种输出电压,拥有丰富的快充协议,兼顾了产品的性能和成本。提供了小体积、高密度、高效率的30W快充产品设计方案。

利用该芯片设计的电源,通用输入电压范围,输出支持5V3A、9V3A、15V2A、20V1.5A四组电压档位,以及3.3-5.9V 3A,3.3-11V 2.25A和3.3-20V 1.5A三组PPS电压档位。

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k6666
LV.9
2
2022-11-10 09:16

创新的隔离式数字通信技术  FluxLink,直接决定了InnoSwitch3的高效性。

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k6666
LV.9
3
2022-11-10 09:16

该芯片设计在任何输入电压及负载条件下均可提供94%的高效性能,将电源损耗大幅降低25%,体积减小35%

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k6666
LV.9
4
2022-11-10 09:17

集成了完善的保护特性,包括输入过压保护、输出过压保护、过流保护、过功率保护、短路保护、过温保护输出整流管开路/短路保护、引脚开路/短路保护等。

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2022-11-10 10:01
@k6666
该芯片设计在任何输入电压及负载条件下均可提供94%的高效性能,将电源损耗大幅降低25%,体积减小35%

该系列产品设计采用新型超薄InSOPTM封装,爬电距离/电气间隙超过11 mm,轻松满足中国5000米海拔CQC要求。

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2022-11-10 10:02

对能耗、外形尺寸或热约束提出严苛要求的电源,一个是变压器,另一个是主控芯片,采用PI的InnoSwitch,可大大节省空间,降低制造成本。

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天晴朗
LV.6
7
2022-11-12 19:34

只需要搭配一些必要的被动元器件和协议芯片,设计很简单了

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svs101
LV.8
8
2022-11-14 15:32
@奋斗的青春
该系列产品设计采用新型超薄InSOPTM封装,爬电距离/电气间隙超过11mm,轻松满足中国5000米海拔CQC要求。

inn3367对于小功率30W以内的小功率PD快充设计,其内置MOS芯片,兼顾性能和成本,性能更优。

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紫蝶
LV.9
9
2022-11-15 09:30
@k6666
该芯片设计在任何输入电压及负载条件下均可提供94%的高效性能,将电源损耗大幅降低25%,体积减小35%

芯片的集成功能及保护功能,大大缩小产品的体积,降低产品的成本,非常不错。

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紫蝶
LV.9
10
2022-11-15 09:31
@奋斗的青春
该系列产品设计采用新型超薄InSOPTM封装,爬电距离/电气间隙超过11mm,轻松满足中国5000米海拔CQC要求。

innoswitch系列的封装利于产品的散热,工艺简化,同时过电流能力增强。

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紫蝶
LV.9
11
2022-11-15 09:31
@天晴朗
只需要搭配一些必要的被动元器件和协议芯片,设计很简单了

 是的,需要搭配协议芯片实现不同的快充设计支持,整体功率越来越大。

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spowergg
LV.10
12
2022-11-16 20:19
@svs101
inn3367对于小功率30W以内的小功率PD快充设计,其内置MOS芯片,兼顾性能和成本,性能更优。

其内部集成的氮化镓器件支持超高的开关频率,超低导阻,无反向恢复损耗,快速且可控制的上升和下降时间。

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飞翔2004
LV.10
13
2022-11-16 20:35
@spowergg
其内部集成的氮化镓器件支持超高的开关频率,超低导阻,无反向恢复损耗,快速且可控制的上升和下降时间。

可降低低压侧同步整流驱动损耗,提高开关频率至500KHz以上,有效降低同步整流驱动器发热,从而大幅度缩小适配器体积。

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方笑尘MK
LV.6
14
2022-11-18 13:44

inn3367对于兼容设计不同手机的快充电源插座,很容易实现,很不错  。

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ehi763
LV.6
15
2022-11-19 09:59
@天晴朗
只需要搭配一些必要的被动元器件和协议芯片,设计很简单了

Inno3-PD只接受PD协议。客户定制的协议可以使用InnoSwitch3-Pro。它是外置控制器做协议沟通的。可以添加客户需要的特别的协议

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ehi763
LV.6
16
2022-11-19 10:01

GAN优势是开关损耗和导通损耗都很小。这样利于降低IC温升,更高频率工作。而更高的耐压利于耐受雷击浪涌冲击

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紫蝶
LV.9
17
2022-11-21 10:15
@ehi763
Inno3-PD只接受PD协议。客户定制的协议可以使用InnoSwitch3-Pro。它是外置控制器做协议沟通的。可以添加客户需要的特别的协议

通过协议转换芯片电路,支持更多协议类的终端设备使用,通用型的。

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buckk
LV.2
18
2022-11-25 15:18

电源设计已向集成化,小型化发展。体验是很不错

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2022-11-25 15:43

NN3367设计的USB电源,整个设计精简的外围电路,这个方案做出来的成本如何?功率密度呢?是否可以设计成苹果小型化?

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dy-cGFHx7p4
LV.1
20
2022-11-25 15:57

学习了

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lishuai110
LV.4
21
2022-11-25 17:36

这个价格多少钱,有没有100W的牙呀

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trllgh
LV.9
22
2022-12-18 12:32

INN3367可以在QR模式下单独操作,这时如果使用普通的RCD钳位,可利用其高频的特点缩小变压器体积。

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ehi763
LV.6
23
2023-01-13 21:08
@k6666
集成了完善的保护特性,包括输入过压保护、输出过压保护、过流保护、过功率保护、短路保护、过温保护输出整流管开路/短路保护、引脚开路/短路保护等。

芯片内部集成控制器,高压MOS管,同步整流控制器和反馈电路,集成度非常高,有效简化快充电源设计。

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trllgh
LV.9
24
2023-02-13 20:59
@svs101
inn3367对于小功率30W以内的小功率PD快充设计,其内置MOS芯片,兼顾性能和成本,性能更优。

由于省去了体积较大的光耦器,它能够节省空间和提高功率密度,这一点对于适配器和充电器来说特别有用

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xxbw6868
LV.9
25
2023-03-05 20:28
@k6666
该芯片设计在任何输入电压及负载条件下均可提供94%的高效性能,将电源损耗大幅降低25%,体积减小35%

通用的I2C可实现输出电压及电流的动态控制,这样方便控制宽电压输出的PPS充电。

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tabing_dt
LV.10
26
2023-03-05 20:56
@ehi763
芯片内部集成控制器,高压MOS管,同步整流控制器和反馈电路,集成度非常高,有效简化快充电源设计。

InnoSwitch3-Pro同样在初级和次级有两个控制器,中间通过FluxLink跨接在安规隔离带之间,进行高低压信息传输。

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opingss88
LV.10
27
2023-06-12 21:07
@飞翔2004
可降低低压侧同步整流驱动损耗,提高开关频率至500KHz以上,有效降低同步整流驱动器发热,从而大幅度缩小适配器体积。

无论在PCB板上还是在封装上,保证高压漏极与其它所有引脚之间满足高压爬电要求

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lishuai110
LV.4
28
2023-06-25 16:00

这款做PD方案的话,变压器是官方自己设计好的参数吗,还有大小能做到多少。

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黑夜公爵
LV.10
29
2023-08-12 22:16
@svs101
inn3367对于小功率30W以内的小功率PD快充设计,其内置MOS芯片,兼顾性能和成本,性能更优。

光耦器镜像三极管的击穿电压要高于在最高瞬态输入电压情况下的偏置电压

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spowergg
LV.10
30
2023-11-11 12:57
@lishuai110
这款做PD方案的话,变压器是官方自己设计好的参数吗,还有大小能做到多少。

在PD设备的电路架构中,主要关注3个参数:尺寸、效率以及EMC。

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tmpeger
LV.10
31
01-15 22:26

在软启动结束后,一旦反馈引脚电流低于IFB阈值,控制器立即短路和开路故障

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