在PI手册里看到这样一个波形，和实际电路测出来的波形也很一致。下面主要来看看这个应力尖峰如何消除。
这是反激电源原边MOS的应力波形，很经典的一幅图。简单来说就是在反激电路中，MOS管关断之后变压器会将原边的能量转移到副边。但漏感中的能量却无法转移，这部分的能量会在电路中的杂散电容上产生振铃。
MOS在关断后，其两端电压由三部分组成，输入电压最大值Vinmax，副边折射电压VoR=N x Vout和振铃产生的尖峰电压Vspike。
MOS尖峰必须得到抑制，不能很容易出问题，RCD吸收电路是比较简单有效，经济的方案。
MOS开通时刻，能量存储在励磁电感Lm和漏感Ls中，当MOS关断时候，Lm中能量会传到副边，但漏感中能量却不会。
这时候漏感会释能，D1导通给C1充电，当充电电压到达Vclamp时，D1截止，C1通过R1放电。因此电阻R需要耗散能量，其封装选型和Layout应满足散热设计。
