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INn3279设计的隔离电源

Inn3279芯片整合了多种保护功能，包括线电压过压和欠压保护、输出过压和过电流限制，以及过温关机。此系列装置支援常见的Latch与Auto-restart组合，可满足多种应用的要求。将一次侧、二次侧和回授电路整合在单一表面接合封装中。在最新发布的系列成员中，GaN切换开关取代了 IC 一次侧的传统硅高压电晶体，减少了电流流过时的导通损耗，并大大降低了运作期间的切换损失。

INN3279设计的160 VAC – 264 VAC 输入电源，输出电压 42 V /，电流2 A。电路设计简单，隔离输出84W电源，输出效率可以到93%，非常的不错。

电源开发设计的电路原理图

设计PCB的时候参考布局如下，注意主控IC的输出端布局

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紫蝶
LV.9
2
2023-02-15 20:35

在PCB设计的时候需要注意环路布局，确保环路面积小，减小干扰。

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dy-KNLyiTzn
LV.4
3
2023-02-16 12:48

这个方案还是比较简洁呀，外围器件都比较少

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奋斗的青春
LV.10
4
2023-02-16 17:03
@dy-KNLyiTzn
这个方案还是比较简洁呀，外围器件都比较少

电路主控IC的集成度比较高，性能强，这样外围电路的设计就简单化了很多。

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k6666
LV.9
5
2023-02-16 18:45
@dy-KNLyiTzn
这个方案还是比较简洁呀，外围器件都比较少

电路中的初级和次级反激式控制器使用特有的FluxLink通信通道进行耦合，缩小了产品的体积。

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svs101
LV.8
6
2023-02-16 19:53

先进的保护/安全特性 ，内部集成输出过压保护(OVP)， SR FET栅极驱动开路检测、 迟滞热关断保护等功能

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fengxbj
LV.8
7
2023-02-16 20:34

基于PowiGaN的INN3279设计的电源在整个负载范围内的效率高达95％，功耗也低。

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ehi763
LV.6
8
2023-02-18 20:35
@奋斗的青春
电路主控IC的集成度比较高，性能强，这样外围电路的设计就简单化了很多。

Inno3279该芯片内部集成准谐振反激控制器和集成的主开关管，同步整流控制器和内置反馈，以及恒功率输出,适合和其它芯片物理接口实现快充功能。

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spowergg
LV.10
9
2023-02-18 21:07
@k6666
电路中的初级和次级反激式控制器使用特有的FluxLink通信通道进行耦合，缩小了产品的体积。

除了采用氮化镓可以缩小体积外，采用贴片保险丝、Y电容等小器件，电容、工字电感等柱状器件横置，变压器沉板处理等设计也很大程度上帮助缩小充电器体积

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hjk23
LV.2
10
2023-02-19 21:08

局部简洁，尺寸还可以，不错

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dy-StTIVH1p
LV.8
11
2023-02-20 06:11

需要增加外接隔离器件来保护电路么

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trllgh
LV.9
12
2023-02-20 20:38
@dy-StTIVH1p
需要增加外接隔离器件来保护电路么

FluxLink通信技术取代光耦器，具有隔离作用，可大幅增强绝缘性能，增加了可靠性。

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快乐的小天使
LV.8
13
2023-02-22 21:54

GaN切换开关取代了 IC 一次侧的传统硅高压电晶体，减少了电流流过时的导通损耗

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opingss88
LV.10
14
2023-06-07 21:22
@k6666
电路中的初级和次级反激式控制器使用特有的FluxLink通信通道进行耦合，缩小了产品的体积。

降压式变换器拓扑结构，最小直流输入电压输入电容的值应足够大才能满足标准

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tmpeger
LV.10
15
2023-09-17 21:43
@trllgh
FluxLink通信技术取代光耦器，具有隔离作用，可大幅增强绝缘性能，增加了可靠性。

只有在整流桥堆导通期间，传导干扰的电流才会流向交流电网输入端

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快乐的小天使
LV.8
16
2023-09-18 20:59

GaN 开关管可以减少电流流过时的导通损耗

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spowergg
LV.10
17
2023-09-18 21:22
@ehi763
Inno3279该芯片内部集成准谐振反激控制器和集成的主开关管，同步整流控制器和内置反馈，以及恒功率输出,适合和其它芯片物理接口实现快充功能。

INN3279C内置750V PowiGaN技术,适配器密闭环境中宽电压输入可输出65W,这里降额使用是为了降低发热。

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opingss88
LV.10
18
2023-11-18 21:46

满载时所有的开关周期都将被使能;在极轻负载时几乎所有的开关周期都将被关闭

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飞翔2004
LV.10
19
2023-12-03 16:51
@快乐的小天使
GaN开关管可以减少电流流过时的导通损耗

除了改善传导损耗外,使用GaN还可以降低开关损耗，更高的效率、更小的占地面积和更轻的重量。

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方笑尘MK
LV.7
20
2023-12-07 10:58

隔离电源的输出和输入之间都绝缘隔离，不会形成回路，更加安全

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tmpeger
LV.10
21
2024-02-18 22:48

自适应开关周期导通延长是指在初级电流未达到电流限流点前继续保持此开关周期导通

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xxbw6868
LV.9
22
2024-03-09 17:23
@飞翔2004
除了改善传导损耗外,使用GaN还可以降低开关损耗，更高的效率、更小的占地面积和更轻的重量。

通过有源钳位的方式实现功率管软开关,既减小开关损耗,提高转换效率,又支持更高开关频率,可充分发挥新型功率管氮化镓GaN的优势。

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opingss88
LV.10
23
2024-05-13 21:08

施加的电流用于控制输入过压的停止逻辑， 并提供前馈信号以控制输出电流和远程开关功能

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黑夜公爵
LV.10
24
2024-07-18 20:16

自适应开关周期导通延长是指在初级电流未达到电流限流点前继续保持此开关周期导通

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opingss88
LV.10
25
2024-09-16 21:27

当功率MOSFET导通时，器件利用储存在初级旁路引脚电容内的能量工作

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opingss88
LV.10
26
2024-11-19 21:22

最大的实际持续输出功率是在开放式设计及有足够的散热

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方笑尘MK
LV.7
27
01-11 10:21

GaN HEMT的高电子迁移率使其在高频应用中表现尤为突出，能够提供更快的开关速度和更高的频率响应

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