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用TOP258设计的35W的电源

      TOPSwitch器件有多种封装形式，采用DiP-8和SMD-8封装的，可以将它们接到印制电路板的铜箔上，将芯片产生的热量直接传到印制电路板上，不用另设散热器，节省了成本。而采用新的eSIP封装后，便可设计出极具成本和性能优势的132kHz反激式转换器电源。内部集成的开关管击穿电压高，高达700V，这使得可在变压器中使用较高的匝数比，这样对给定DC输出而言，次级电压得以降低，从而降低整流器二极管的功耗和成本。

     电源为通用输入的反激式电源，输出为35 W，采用了TOP258PN器件设计两路输出电路，分别为12V、2A和5V、2.2A,对于那些需要高效率双输出电源的应用场合，此设计同样适用。AC输入经整流(D1–D4)、滤波(C4)、连接到初级侧功率元件(T1和U1)。EMI滤波由元件C1、C2、C3、L1、C7和C11提供。热敏电阻RT1在交流上电时可以限制浪涌电流。电阻R3和R4将额定欠压(UV)锁定和过压(OV)关断分别限制在103 V和450 V。欠压锁定可防止电源在低压下出现过热情况，并可消除在通电和断电时的电压扰动。过压关断防止电源出现输入浪涌情况。

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紫蝶
LV.9
2
2023-03-08 09:13

TOP258芯片集成了高压开关电流源,多模式PWM控制,振荡器,热关断电路等保护功能。

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奋斗的青春
LV.10
3
2023-03-08 13:59

不同的封装设计满足不同功率等级的应用需求，同时散热工艺也有差别。

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飞翔2004
LV.10
4
2023-03-08 19:37
@奋斗的青春
不同的封装设计满足不同功率等级的应用需求，同时散热工艺也有差别。

eSIP封装的占位面积更小，所用的电路板面积也更小。

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大海的儿子
LV.10
5
2023-03-08 19:55
@紫蝶
TOP258芯片集成了高压开关电流源,多模式PWM控制,振荡器,热关断电路等保护功能。

TOPSwitch-HX产品系列可以设计6.5W到333W的功率范围，只需要少量的外部元件。

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trllgh
LV.9
6
2023-03-09 19:37
@飞翔2004
eSIP封装的占位面积更小，所用的电路板面积也更小。

eSIP封装同TO-220封装具有同样低的热阻抗，但eSIP封装在PCB上的装配高度很低。

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ehi763
LV.6
7
2023-03-09 19:50
@大海的儿子
TOPSwitch-HX产品系列可以设计6.5W到333W的功率范围，只需要少量的外部元件。

采用多模式控制机制，可以在不同的开关模式之间平滑切换，能在任何负载模式下实现最优效率。

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spowergg
LV.10
8
2023-03-11 21:09
@ehi763
采用多模式控制机制，可以在不同的开关模式之间平滑切换，能在任何负载模式下实现最优效率。

高频率设计还可以减少输出纹波，从而减小所需输出电容的大小和数量，从而进一步降低输出级成本。

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紫蝶
LV.9
9
2023-03-13 10:58
@ehi763
采用多模式控制机制，可以在不同的开关模式之间平滑切换，能在任何负载模式下实现最优效率。

TOP258脉宽调制 (PWM) 控制系统的全部功能集成到三端芯片中,内含脉宽调制器、功率开关场效应管 (MOSFET)。

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紫蝶
LV.9
10
2023-03-13 10:58
@ehi763
采用多模式控制机制，可以在不同的开关模式之间平滑切换，能在任何负载模式下实现最优效率。

TOP258的D为内部MOS管的漏极,也是芯片功率电路输入端,一般经过变压器初级绕组

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fengxbj
LV.8
11
2023-03-14 16:06
@飞翔2004
eSIP封装的占位面积更小，所用的电路板面积也更小。

PI芯片的这个封装毕竟独特，散热片好处理。

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大海的儿子
LV.10
12
2023-04-15 20:46
@trllgh
eSIP封装同TO-220封装具有同样低的热阻抗，但eSIP封装在PCB上的装配高度很低。

频率抖动和经过优化的开关技术被用来降低辐射EMI和传导EMI。

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k6666
LV.9
13
2023-06-06 18:30
@trllgh
eSIP封装同TO-220封装具有同样低的热阻抗，但eSIP封装在PCB上的装配高度很低。

TOP258电源采用132 kHz的工作频率，降低了变压器及电源的尺寸

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紫蝶
LV.9
14
2023-06-07 11:29
@fengxbj
PI芯片的这个封装毕竟独特，散热片好处理。

该系列的产品P、G或M封装无需使用散热片最大输出功率可达35 W，230 VAC时最大输出功率达48 W

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紫蝶
LV.9
15
2023-06-08 11:26
@ehi763
采用多模式控制机制，可以在不同的开关模式之间平滑切换，能在任何负载模式下实现最优效率。

TOPSwitch的拓扑电路将高压功率MOS-FET、脉宽调制(PWM)控制器、故障自动保护和其它控制电路集成，工作频率提高到132 kHz。

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trllgh
LV.9
16
2023-07-16 13:41
@奋斗的青春
不同的封装设计满足不同功率等级的应用需求，同时散热工艺也有差别。

由于可以选择外部降低流限，在需要更高效率或散热条件很差的低功率应用中，可以选用较大的TOPSwitch器件。

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黑夜公爵
LV.10
17
2023-11-15 21:31

单级PFC目前只能提供较小的功率和较差的输出稳定度，以及较低的成本和尚可的可靠性

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快乐的小天使
LV.8
18
2023-11-15 21:55

欠压锁定可防止电源在低压下出现过热情况，并可消除在通电和断电时的电压扰动，比较实用

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新月GG
LV.10
19
2023-11-28 20:06
@快乐的小天使
欠压锁定可防止电源在低压下出现过热情况，并可消除在通电和断电时的电压扰动，比较实用

欠压锁定可以保护开关电源，防止在输入低压时，电源工作于某些极端情况下而损坏。

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ehi763
LV.6
20
01-15 13:03
@飞翔2004
eSIP封装的占位面积更小，所用的电路板面积也更小。

这种封装简单的夹片提供了采用将器件与散热片固定在一起的低成本方法。

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trllgh
LV.9
21
01-15 13:32
@ehi763
这种封装简单的夹片提供了采用将器件与散热片固定在一起的低成本方法。

附在eSIP封装上的散热片位于器件的源极，不需要绝缘垫片，因此不会干扰信号。

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xxbw6868
LV.9
22
02-03 13:01
@紫蝶
TOP258的D为内部MOS管的漏极,也是芯片功率电路输入端,一般经过变压器初级绕组

开关断开后，漏感能量不会传递到次级，而是在变压器初级绕组和开关之间产生高压尖峰。

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ehi763
LV.6
23
02-03 13:22
@xxbw6868
开关断开后，漏感能量不会传递到次级，而是在变压器初级绕组和开关之间产生高压尖峰。

还会在断开的开关和初级绕组的等效电容与变压器的漏感之间，产生高频振铃

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spowergg
LV.10
24
02-03 13:45
@ehi763
还会在断开的开关和初级绕组的等效电容与变压器的漏感之间，产生高频振铃

对于输出功率在约2W以上的电源来说，可以使用钳位电路来安全耗散漏感能量，达到控制MOSFET电压尖峰的目的。

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tmpeger
LV.10
25
04-08 21:46

反馈引脚接收来自初级反馈偏置绕组的信号或通过光耦器接收信号

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快乐的小天使
LV.8
26
04-09 22:52

提高变压器的匝数比，可以降低次级电压从而降低整流器二极管的功耗和成本。

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快乐的小天使
LV.8
27
04-09 22:55

为了放置在低压下出现过热情况可以及时进行欠压锁定

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奋斗的青春
LV.10
28
06-12 13:46
@大海的儿子
TOPSwitch-HX产品系列可以设计6.5W到333W的功率范围，只需要少量的外部元件。

最关键的问题是变压器的设计，即如何求得一个最佳电感值的变压器，使TOPSwitch得到充分利用

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黑夜公爵
LV.10
29
08-09 21:37

R3增大的程度受光耦器晶体管耐压及功耗额定限制，在设计最终定案前要进行完整的测试

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opingss88
LV.10
30
10-09 22:05

反压尖峰发生时刻与原边尖峰电压发生时刻无关，与二极管续流结束时刻无关

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