这是一个超声波电源，逆变部分使用半桥结构，硬开关，IGBT参数为60A/1350V。DC直流用降压型IGBT斩波器获得。该电路在DC180V以下可以稳定可靠工作，但是只要超过200V后，上电工作必然爆管子，基本上是半桥的IGBT爆，其中上桥臂的IGBT爆管概率更高一些，下桥臂IGBT不一定爆。斩波的IGBT一般不爆。
IGBT驱动电路用的是EXB841，采用官方文档推荐的接法。负载是一个20Khz的超声波换能器。这个电源在大约500W功率左右可以24小时连续工作。
用示波器测量驱动波形，在不给半桥供电的情况下，两路半桥驱动波形没有问题，如下图所示，有足够的死区，死区时间大约8us。蓝色曲线是上桥臂，黄色曲线下桥臂。示波器是泰克TDS2120。
给半桥供电，发现上桥臂的驱动波形变了：一是电压值变了，应该是受半桥电压基准变高的原因；二是下管关闭后和上管开通前的死区没了，如下图所示
但是分别测量（即只用一个表笔测，不同时测两路）两路驱动波形，波形又是正常的，如下图所示，两路之间是有明显的死区的。不过上管驱动波形在负压有一个明显的毛刺，正对应下管关闭的时候。难道是下管关闭导致的上管提前开通？
然后在带载的情况下（接上超声换能器）测量集电极和发射极电压Vce波形，发现完全没有死区，每个IGBT开通时间基本就是50%。即使把两路驱动波形Vge之间死区时间调的很宽，Vce波形也没有任何变化，没有死区时间。
放大波形，发现大约有200ns的共通时间。
这个应该就是爆管的原因。IGBT可以承受短时间的短路，但是电流过大短时间也会损坏。这就能解释为什么低压时可以一直正常工作，电压一高就爆管。
我的问题是，明明两路驱动波形的死区已经足够宽了，但是两路输出Vce之间就是没有死区，不论采取调节吸收电路阻容参数、调整栅极电阻、栅极电阻反向并联快恢等措施，都不能丝毫改变IGBT开通时间为50%的现象。半桥IGBT的输出死区怎么就消失了呢。斩波IGBT的开通时间倒是严格受到PWM波形的控制的
已经在网上查找了很长时间的资料了，因本人电学知识有限，仍然没有找到输出没有死区的原因，恳求各位高手指点迷津。
