最近在对一款单级反激LED驱动电源进行雷击浪涌测试时，用示波器监测了初级主MOS管的漏源极电压Vds和漏源极电流Ids，波形见图片：蓝色是电压波形，黄色是电流波形。
已知MOS管Vds标称耐压是650VDC，正常工作时，MOS管的Vds关断电压+漏感电压尖峰在560VDC左右。 从示波器图片中可以看出，雷击浪涌冲击时，MOS管Vds关断电压升高到780VDC，同时有雪崩电流流过。
我想计算此时一个开关周期实际消耗在MOS管上的雪崩能量，并将此能量跟MOS管规格书上的雪崩能量数据进行对比。
我的疑问：①如果计算出的实际雪崩能量小于MOS管规格书上的雪崩能量数值， 是不是就说明MOS管在此雷击浪涌条件下基本是安全的，不会造成MOS管雪崩击穿损坏？
②我使用的实际雪崩能量的计算公式：Vds*Ids(RMS)*t ，其中Vds取780VDC，Ids(RMS)取雪崩电流从最大值开始降到零这一段时间的均方根2.842A，t取雪崩电流从最大值降到零这一段的时间20微秒。 这样计算一个开关周期实际消耗在MOS管上的雪崩能量对吗？
③我在网上查询到另外计算雪崩能量的公式：0.5*Lm*Ipk^2，其中Lm是与MOS管串联的电感的感量，Ipk是雪崩开始时流过MOS管漏源级的电流峰值。 这个网上查到的公式，只适用于MOS管生产厂家测试MOS管的雪崩能量呢
，还是可以用在我这个雷击浪涌测试时计算实际消耗在MOS管上的雪崩能量呢？
请各位指点解惑。
