变压器一次电源的一端连接到直流母线。另一个连接到高压（500 V）MOSFET（Q4），该级联码是连接到INN3977CQ IC（U1）内的集成电源MOSFET的排水管。在这种配置下，一次电源的有效排水源额定电压为1250 VPK。高压陶瓷电容器C1和C16用于DC输入电压的解耦电容器，由D1、D2、R1、R2和C2形成的低成本RCD钳由于变压器泄漏电感的影响，将峰值漏极电压限制在921 VDC输入时的约1100 V。电容器C15，Y电容器，用于衰减输出端上的高频共模噪声。
集成电路为自启动，当首次施加直流输入电压时，使用内部高压电流源为BPP引脚电容器C4充电。在正常运行过程中，主侧绕组由变压器上的辅助绕组供电。其输出配置为回弹绕组，使用二极管D3和电容器C3进行整流和滤波，并通过电流限制电阻R3馈入BPP引脚。齐纳二极管VR2和VR3夹住INN3977CQ IC（U1）的最大漏极电压，低于650 V。VR1确保Q4的最大栅极电压不超过15 V。电阻R13、R14和C17提供偏置以增强Q4的栅极。
INN397CQ IC的次级侧提供输出电压、输出电流传感和驱动到提供同步整流的MOSFET。对12 V输出的输出整流由SRFETQ1和Q2提供。低ESR电容器、C7、C8、C9、C12、C13和输出电感器L1提供滤波。由Q1、Q2的R6、R7和C5组成的RC缓冲网络抑制SRfet的高频振铃，这是由变压器绕组的泄漏电感和二次迹电感引起的。Q1和Q2的门是根据通过R4检测到的绕组电压和IC的FWD引脚来打开的。在连续传导模式操作中，在辅助侧控制器从主开始指挥新的开关周期之前关闭。在不连续模式下，当通过MOSFET的电压降到地面以下时，MOSFET被关闭。主侧MOSFET的二次侧控制确保了它永远不会与同步整流MOSFET同时开启。MOSFET驱动信号输出在SR引脚上。集成电路的二次侧由二次绕组正向电压或输出电压自供电。
电阻器R8和R10形成一个感知输出电压的分压器网络。INN3977CQ IC具有1.265 V的内部参考。电容器C11提供与影响电源运行的高频噪声的解耦，C10和R9是前馈网络，以加快响应时间以降低输出纹波。输出电流由R5感知，其阈值约为35 mV，以减少损耗。一旦超过了这些电阻器上的电流感知阈值，该设备将调整开关脉冲的数量，以保持一个固定的输出电流。
