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Inn3379设计的快充电源

为了实现更高的功率密度并降低外围器件数量，集成度更高的合封氮化镓芯片用一颗芯片完成氮化镓功率器件、PWM控制、驱动、保护等功能，既能够提升整体方案的性能，同时也能减少PCB板的占用，缩小尺寸并减少物料成本。

INN3379支持100-240VAC输入，输出5V3A、9V2.22A、9V2.77A、15V2A、20V1.5A、3.3-11V3A，30W Max。芯片极大地简化了反激式电源转换器的设计和制造，宽电压范围条件下，密闭外壳内可以输出 65W 功率。采用合封氮化镓芯片，一颗芯片即可实现原有数颗芯片的功能，不仅使电源芯片外围器件数量大幅降低，而且有效降低了快充方案在高频下的寄生参数，电源工程师在应用过程中能更加方便、快捷地完成调试，加速产品研发周期。

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k6666
LV.9
2
05-18 09:53

氮化镓功率器件高频率低损耗的优势，能够提高充电器的功率密度，减小体积和重量，更加便于携带。

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飞翔2004
LV.10
3
05-18 16:38

内置反激式控制器、初级开关管，以及次级测检测和同步整流控制器，还带有高压隔离保护的集成反馈链路，集成度非常高。

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快乐的小天使
LV.8
4
05-18 21:20

集成度更高的合封氮化镓芯片是指把多个功能电路集成了，极大简化了外围功能电路的设计难度和布局

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dy-mb2U9pBf
LV.8
5
05-19 16:15

INN3379芯片极大地简化了反激式电源转换器的设计和制造，一颗芯片即可实现原有数颗芯片的功能，不仅使电源芯片外围器件数量大幅降低，而且有效降低了快充方案在高频下的寄生参数。

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大海的儿子
LV.10
6
05-20 13:19
@快乐的小天使
集成度更高的合封氮化镓芯片是指把多个功能电路集成了，极大简化了外围功能电路的设计难度和布局

使用时无需搭配光耦，内建多重保护功能符合安规要求，用于USB PD 输出。

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trllgh
LV.9
7
05-22 08:56
@dy-mb2U9pBf
INN3379芯片极大地简化了反激式电源转换器的设计和制造，一颗芯片即可实现原有数颗芯片的功能，不仅使电源芯片外围器件数量大幅降低，而且有效降低了快充方案在高频下的寄生参数。

INN3379C属于InnoSwitch3-Pro家族，不过与其他型号不同的是，INN3379C采用了PI独家的PowiGaN技术。

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spowergg
LV.10
8
05-23 09:15
@trllgh
INN3379C属于InnoSwitch3-Pro家族，不过与其他型号不同的是，INN3379C采用了PI独家的PowiGaN技术。

内置了GaN氮化镓功率器件，相比传统MOSFET可以输出更大功率。

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xxbw6868
LV.9
9
05-24 10:03
@spowergg
内置了GaN氮化镓功率器件，相比传统MOSFET可以输出更大功率。

具有高集成度和丰富的功能，在应用时仅需极少的外围器件，有效减小整体方案的尺寸，降低BOM成本。

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奋斗的青春
LV.10
10
05-24 16:11
@trllgh
INN3379C属于InnoSwitch3-Pro家族，不过与其他型号不同的是，INN3379C采用了PI独家的PowiGaN技术。

GaN技术还是很不错，简化设计

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奋斗的青春
LV.10
11
05-24 16:11
@dy-mb2U9pBf
INN3379芯片极大地简化了反激式电源转换器的设计和制造，一颗芯片即可实现原有数颗芯片的功能，不仅使电源芯片外围器件数量大幅降低，而且有效降低了快充方案在高频下的寄生参数。

快充设计的典型应用

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千影
LV.5
12
05-25 18:07

集成度高，功率密度大，简化设计，提高效率。

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千影
LV.5
13
05-25 18:30

合封氮化镓芯片的集成度如何影响功率电子器件设计？

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沈夜
LV.7
14
05-25 18:30

如何提升新一代电源芯片的功率密度和效率？

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追魂幡℃
LV.7
15
05-26 20:58

3379的输入电压非常全面

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XHH9062
LV.9
16
05-26 22:44

看起来比较紧凑

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CDJ01
LV.5
17
05-27 08:14

功率密度可以做到多少

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yangweiping
LV.5
18
06-28 17:13

多重保护机制，内部隔离技术，节省了光耦空间，高集成芯片，更加方便、快捷地完成调试，加速产品研发周期。

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黑夜公爵
LV.10
19
09-13 22:30

反馈引脚直接连接到分压器网络，以实现快速瞬态负载响应

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执年
LV.3
20
10-17 16:05

支持多种输出配置，使用起来很灵活

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