反激电源如果不追求效率，特别是小功率电源，需要优化成本时一般都选择次级二极管整流，简单可靠。但对于大电流的反激电源，虽然使用简单的二极管整流器和滤波器足以满足输出的需要，但二极管整流的劣势会体现出来，如果使用SR FET能显著提高工作效率，进而满足欧洲CoC和美国能源部(DoE)能效标准要求。
FET设计与选型注意事项：
SR FET栅极应直接连接至这款控制器的同步整流管驱动引脚，不在SR FET栅极电路连接任何额外的电阻。SR FET驱动器使用次级旁路引脚作为供电端，该电压的典型值为4.4 V。因此不太适合使用高开通阈值电压的MOSFET；开通阈值电压在1.5 V至2.5 V之间的MOSFET较为适合。RDS(ON)一般是 8 mOhm~18mOhm用的比较多。
反激周期开始与SR FET导通之间稍微有一点延迟。在此期间， SR FET的体二极管传导电流。如果使用外部并联肖特基二极管，该电流大部分都流经肖特基二极管。主要是体二极管压降一般比肖特基二极管大一些。
InnoSwitch3-CP IC检测到反激周期结束时， SR FETRDS(ON)两端电压达到0 V，反激周期的剩余部分期间电流将换向至SR FET的体二极管或外部并联肖特基二极管。使用与SR FET并联的肖特基二极管可以提供更高效率，通常一个1 A表面贴装肖特基二极管已足够满足使用需要。
输出绕组的漏感与SR FET电容(COSS)之间的相互作用会在绕组的电压反向（由于初级开关导通）时电压波形出现振荡。这种振荡可通过使用连接于SR FET两端的RC缓冲器进行抑制。缓冲器电阻阻值范围介于10 W至47 W之间（较高的电阻值会导致比较明显的效率下降）。大部分设计当中均可采用1 nF至2.2 nF的电容值。
