SIC1181KQ和SIC1182KQ是适合SiC MOSFET的单通道门极驱动器。该器件利用PI革命性的固体绝缘FluxLink技术实现了加强绝缘。其峰值输出驱动电流可达±8A，可直接驱动600A/800A（典型值）以下的开关器件。该器件还具有原方和副方欠压保护(UVLO)、带温度和过程补偿输出阻抗的轨到轨输出等更多特性，可确保产品即使在严苛的条件下也能安全工作。在汽车电子领域中，MOSFET应用需要更高要求。比如在AUTOMBILE HID LAMP BALLAST中，防反接电路、PWM驱动电路、全桥电路、续流电路等都需要MOSFET的参与。
我们都知道，SiC是一种基于硅和碳的复合半导体材料，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOS导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。与传统硅基器件相比，SiC的击穿场强是传统硅基器件的10倍，导热系数是传统硅基器件的3倍，非常适合于高压应用。相较而言，SiC MOS跨导变化较低，VGS的较小变化不会引起很大的电流变化，所以SiC MOSFET驱动电路的设计时需要注意：
1、一般情况下，-5V＜VGS＜20V的范围能够发挥SiC MOSFET的性能，所以提供驱动电压的电源最好能够满足VDD=00025V,VEE=-10V，才能够覆盖更广泛的SiC型号。
2、VGS电压必须有较快的上升沿和下降沿。
3、需要有最小正负电压的欠压锁定。
4、和硅基器件一样，需要有各种保护电路，过电流、短路、钳位等保护功能。
5、对于整个回路的布线尽可能地减小杂散电感，由于较快的开关速度，相对于硅基的要求更高，要求杂散电感尽可能小。
总之，SiC MOS是未来趋势，在要求较高的汽车电子中应用会越来越多，都可广泛应用于逆变器、镇流器、适配器、充电器、PC电源、电视机电源、电焊机电源等各领域。
