innoswitch开发的60w隔离StackFET反激电源

电源采用INN3679开发的24 V 、2.5 A输出反激电源，从90vac到440 VAC的非常宽的输入电压范围。

NN3679C的主侧将高压功率MOSFET和主侧控制器组合成一个低成本的单片IC。MOSFET Q3是连接在变压器和INN3679C漏极之间的级联码。这种StackFET配置将主开关的有效漏源电压额定值提高到1250 VPK。

在标称交流输入下能到 90%以上的平均效率，小于 100mw的空载输入功率，集成保护和可靠性功能，输出短路，过压保护，输入电压监视器，具有精确的棕合/棕合保护。