低压侧电路 INN3990CQ（IC200）的次级侧提供输出电压检测、输出电流检测以及同步整流MOSFET（SR FET）的门极驱动。SR FETs Q100和Q101整流变压器T200次级绕组上的电压，然后由输出电容器C102至C104滤波。由电阻器R100至R102和电容器C100形成的RC型缓冲器抑制SR FET漏源节点中的高频振荡。 IC200内部的次级控制器控制SR FET的开关。定时基于通过电阻器R106从FWD引脚感知的负边缘电压转换。电容器C110和电阻器R106形成一个低通滤波器，减少SR关闭时FWD引脚看到的电压尖峰，并确保最大额定值150 V不会超过。
在连续导通模式下，初级侧功率MOSFET在次级控制器请求新的开关周期之前被关闭。在不连续导通模式下，当SR FET上的电压降至VSR(TH)7以下时，SR FET被关闭。次级对初级侧功率MOSFET的控制消除了两个开关交叉导通的可能性，并确保可靠的同步整流操作。 IC200的次级侧通过次级绕组正向电压（通过R106和FWD引脚）或输出电压（通过VOUT引脚）供电。在这两种情况下，能量都用于通过内部调节器为去耦电容器C111充电。 二极管D101、D102和电阻器R108充当次级侧输出过压保护（次级OVP）。
在输出过压事件期间，电流将通过这些组件注入IC200的BPS引脚，并触发IC进入自动重启（AR）模式。 INN3990CQ具有1.265 V的内部FB引脚参考电压。电阻器R113和R114形成InnoSwitch3-AQ设计的基本分压反馈网络。对于此设计，通过R113和R114设置的输出电压值比额定输出电压高10-15%，这是实现精确电压调节电路的要求。 电容器C107提供高频噪声对电源操作影响的去耦。电容器C108和电阻器R112形成一个前馈网络，以加快反馈响应时间并降低输出纹波。
通过监测并联电阻器R109到R111上的电压降来感测输出电流。使用的结果电流测量通过R106和C109进行过滤，并跨IS和SECONDARY GROUND引脚进行监控。内部电流感应阈值约为35 mV，用于减少损耗。一旦达到阈值，IC200将控制脉冲数量以保持固定的输出电流。当输出电压降至调节值的90%以下时，IC进入自动重启（AR）操作，并在负载电流降至CC限制以下时恢复。二极管D100限制R109到R111上的电压降，以在过载或短路条件下保护IS引脚。
