MOS管的电容特性
MOSFET的三个主要电容参数是输入电容（Ciss）、输出电容（Coss）和反向传输电容（Crss），这些参数决定了器件在开关过程中的速度和效率。由于 MOSFET的结构，会产生寄生电容（CGS、CGD、CDS）。这些寄生电容会影响开关特性。在MOSFET中，栅极由一层薄的氧化硅实现绝缘。因此，功率MOSFET在栅极-漏极、栅极-源极和漏极-源极之间具有电容，具体如图所示。电容会影响MOSFET的开关性能。
输入电容Ciss = Cgs + Cgd输出电容Coss = Cds + Cgd反向传输电容Crss = Cgd这三个电容几乎不受温度变化的影响，因此，驱动电压、开关频率会比较明显地影响MOS管的开关特性，而温度的影响却比较小。Ciss：是栅极到源极（Cgs）和栅极到漏极（Cgd）电容的总和。它影响MOSFET的开启速度，因为在开关过程中需要为这些电容充电。Coss：是漏极到源极（Cds）和栅极到漏极（Cgd）电容的总和。它影响MOSFET的关闭速度，因为在关闭过程中需要为这些电容放电。Crss：是栅极到漏极（Cgd）电容。它在高频应用中尤其重要，因为它影响MOSFET的交叉导通和信号完整性。
电容参数ciss,coss,crss
输入电容，Ciss
输入电容 Ciss 影响延迟时间。当 Ciss 大时，延迟时间长，因为在功率 mos 管导通/关断时必须对大量电荷进行充电/放电。Ciss 越大，功率损耗越大。因此，Ciss 小的功率 mos 管是理想的。Ciss：输入电容（Ciss＝Cgd＋Cgs） 栅极-漏极和栅极-源极电容之和：它影响延迟时间；Ciss越大，延迟时间越长。输出电容，Coss输出电容 Coss影响关断特性。当 Coss 较大时，漏源电压 VDS 的电压变化率 dv/dt 在功率 mos 管关断时降低，从而降低了噪声的影响，但增加了导通关闭下降时间t f。Coss：输出电容（Coss＝Cgd＋Cds） 栅极-漏极和漏极-源极电容之和：它影响关断特性和轻载时的损耗。如果Coss较大，关断dv／dt减小，这有利于噪声。但轻载时的损耗增加。反向传输电容，Crss反向传输电容，Crss 也称为镜像电容。Crss 影响高频特性。Crss 越大，越出现以下特征:导通时漏源电压 VDS 的下降时间较长（导通上升时间 t r较长）关断时漏源电压 VDS 的上升时间较长（关断下降时间 t f较长）功率损耗大Crss：反向转移电容（Crss＝Cgd） 栅极-漏极电容：Crss越大，漏极电流上升特性越差，这不利于MOSFET的损耗。高速驱动需要低电容。MOSFET的电容模型：
MOSFET的典型电容特性：
