电路设计采用反激式转换器拓扑结构，从高电压输入提供隔离的低电压输出。反激变压器T200的初级绕组连接在高电压直流输入和内置于INN3990CQ（IC200）中的900 V GaN功率MOSFET开关的漏极之间。
为了限制内部GaN MOSFET开关在关闭过程中看到的漏源电压峰值，在初级侧绕组上放置了一个R2CD型缓冲电路。应使用超快速（或更好）的表面贴装AEC-Q认证二极管。二极管D203符合爬电和间隙要求，并确保二极管上的反向电压不会超过其额定值的70-75%。电容器C203和C204捕获来自变压器T200的泄漏感抗能量。选择电容值以最小化缓冲电阻网络上的电压波动，并在开关周期内保持接近恒定的功率耗散。电阻器R221至R230耗散缓冲电容器存储的能量。选择电阻值使得它们的平均电压不会超过它们电压额定值的80%，并且耗散的功率小于它们额定功率的50%。
IC200是自启动的，使用内部高压电流源为BPP电容器（C210）充电。
变压器T200辅助绕组在正常工作期间为主侧的IC200供电。这减少了从内部高压电流源获取的电力，提高了整体效率，并减少了IC200的发热。辅助绕组的输出通过二极管D204和电容器C208及C209进行整流和滤波。电流通过电阻器R235馈送到BPP引脚。
