INN3947CQ的次级侧提供输出电压、输出电流检测以及用于同步整流(SR)MOSFET的门极驱动。变压器T1的次级绕组上的电压通过同步整流MOSFET Q1进行整流,并通过聚合物电容器C15和C17进行滤波。开关过程中的高频振荡由电阻R7、R8和电容器C13形成的RC阻尼器减少。
Q1的开关由IC1内部的次级侧控制器控制。控制基于通过电阻R6感知的绕组电压。电容器C10减少了FWD引脚上的电压尖峰,以确保该引脚看到的电压不会超过其最大额定值150 V。
在连续导通模式操作中,初级侧功率MOSFET在次级侧控制器从初级侧发出新开关周期命令之前刚刚关闭。在断续模式下,当SR MOSFET两端的电压降低于某个阈值时,大约为VSR(TH),SR MOSFET将关闭。次级侧对初级侧功率MOSFET的控制避免了两个开关的任何可能交叉导通,并确保了可靠的同步整流操作。
IC的次级侧通过次级绕组正向电压(通过R6和FWD引脚)或输出电压(通过VOUT引脚)自我供电。在这两种情况下,能量都用于通过内部调节器给去耦电容器C14充电。
电阻R10和R11形成一个电压分压网络,用于感知输出电压。INN3947CQ IC有一个内部参考电压为1.265 V的FB引脚。电容器C11为电源操作提供高频噪声解耦。C16和R12形成一个前馈网络,以加快反馈响应时间并降低输出纹波。
通过监测电阻R13两端的电压降来感应输出电流。所得的电流测量结果与去耦电容器C12一起过滤,并在IS和SECONDARY GROUND引脚之间进行监控。大约35 mV的内部电流感应阈值用于减少损耗。一旦超过此阈值,INN3947CQ IC1将进入自动重启(AR)操作,直到负载电流降至阈值以下。