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并联在IGBT的CE两端电容器类型的选择

有谁知道并联在IGBT两端电容器应该选择何种材料(此处用作ZVS的谐振电容),先谢了!
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蒲公英的翅膀
LV.6
2
2005-04-07 12:11
你是指的是RCD吸收的电容吗??好像涤纶的或者CBB的都可以!!
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zyl611
LV.2
3
2005-04-07 12:14
选用DV/DT较高的电容,比较流行的是CDE 941C系列的
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applicate
LV.3
4
2005-04-07 15:26
@zyl611
选用DV/DT较高的电容,比较流行的是CDE941C系列的
不是用来做RC吸收的,RC吸收的好像用CBB的电容就可以了,
好像CDE的电容是用来吸收母排上的电压尖峰,
我用的电路结构为全桥移相ZVS,由于设置的死区时间比较长2US,没有办法.只有在IGBT上面并联电容,这个电容连同结电容与谐振电感一起震荡
进而得到软开关的条件.
我现在不知道并联什么材料的电容器比较合适.请大家指点!
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liuxing925
LV.6
5
2005-04-08 19:44
@applicate
不是用来做RC吸收的,RC吸收的好像用CBB的电容就可以了,好像CDE的电容是用来吸收母排上的电压尖峰,我用的电路结构为全桥移相ZVS,由于设置的死区时间比较长2US,没有办法.只有在IGBT上面并联电容,这个电容连同结电容与谐振电感一起震荡进而得到软开关的条件.我现在不知道并联什么材料的电容器比较合适.请大家指点!
CBB电容,我做过的
,一般1.1或则2.2N
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applicate
LV.3
6
2005-04-09 19:55
@liuxing925
CBB电容,我做过的,一般1.1或则2.2N
谢谢,超前臂我并联10n,而滞后臂我每个并联15n,你觉得如何?
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mr.lan
LV.7
7
2005-04-09 21:22
@applicate
谢谢,超前臂我并联10n,而滞后臂我每个并联15n,你觉得如何?
频率多少?
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applicate
LV.3
8
2005-04-10 16:15
@mr.lan
频率多少?
频率20khz,死区时间2us,所以lr=20uh,cr=40=uf,t/4=2us;是不是死区时间可以设置的更小,比如1us,我一直想知道这个答案.
1
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细节决定成败
LV.7
9
2005-04-10 20:42
@applicate
不是用来做RC吸收的,RC吸收的好像用CBB的电容就可以了,好像CDE的电容是用来吸收母排上的电压尖峰,我用的电路结构为全桥移相ZVS,由于设置的死区时间比较长2US,没有办法.只有在IGBT上面并联电容,这个电容连同结电容与谐振电感一起震荡进而得到软开关的条件.我现在不知道并联什么材料的电容器比较合适.请大家指点!
吸收母排上的电压尖峰
母排指的是什么?
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applicate
LV.3
10
2005-04-11 08:27
@细节决定成败
吸收母排上的电压尖峰母排指的是什么?
正负铜排.
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