直流无刷电机控制求助

IR2110是浮地驱动芯片,高端驱动利用浮地电容中的电荷驱动,只能驱动电压驱动功率管,如MOSFET或IGBT.
看了你的电路图,初步有两处感觉有问题:1.浮地电容太大,影响快速开关,至于浮地电容的选取见所附文章.1113371287.pdf
2.高端驱动利用的是浮地电容中的电荷,选取电容时要使用漏电流小的瓷片电容,尽量保证高端驱动时有足够的驱动电压.而你在每个高端MOSFET的栅极和源极之间10K的电阻将迅速将电容中的电荷放光,使得栅极驱动电压下降.在栅极驱动电压下降的过程中,MOSFET进入放大区,管压降迅速增加,将MOSFET烧毁.至于浮地驱动芯片的正确使用见:
至于烧单片机,是因为你没有将强电部分和控制部分隔离,烧毁MOS管的同时,高压信号串入控制板,除非功率部分不出故障,否则烧坏单片机是不可避免的.1113371828.pdf1113371845.pdf1113371863.pdf

我看你的回帖,你说的浮地(自举)电容问题,我是试了不同的电容值后才选择的,低了高侧没有波形,你说的高端MOSFET的栅极和源机的10k电阻能将电容的电荷放光,我没有看懂,自举电容是接在ir2110的VB和VS之间,HO是它的输出,你给我的资料我看了,我的qq是153728673,能在qq上向你请教吗

主要问题倒不是浮地电容,10K的电阻才是烧片子的关键,在上管开通时,电容中的电荷要维持在整个上管开通期间栅源电压大于8.5V,你仔细看看你栅源之间的10K电阻,行成了一个通道,直接把电荷给放掉了.
另外你看看我传上来的关于浮地电容的选取的文章,浮地电容一般取0.22微法到0.47微法比较合适(取决于开关速度),这是我过去计算的结果,而且使用正常.当然,用示波器看高端的驱动信号是基本看不到的.
今天我没空,你还有疑问直接回帖子,我晚上或明天给你回复.

ir2110 驱动PWM 是要加辅助电源的,不加会烧管的.

請教您
為何使用FQA24N50 24A/500V 的MOSFET管來驅動2KW的電動機

建议换功率大一点的MOS管试试!

兄弟,你可以考虑选择带有体二极管的 IGBT, 估计 Mos 管的功耗不够,另外要带体二极管,因为可以反向释放.

另外你的动力地核信号地一定要一点接,不能多点混接,注意板子上的地.你在哪里啊?

在什么地方?加什么辅助电源?我就用一路15V电源驱动三相开关磁阻电机,能正常工作.

你在每个MOSFET的栅源极之间反向并联的18V稳压二极管是很不错的,可以避免尖峰电压脉冲击穿栅源极.但是与之并联10K的电阻将驱动电荷给放掉了(结合IR2110的内部原理图分析,你能看出来),而且在此过程中使得MOS管进入放大区导致过热烧毁.你将这个电阻去掉试试.另外有人建议你采用IGBT,这个建议很不错,推荐使用IRF的600V产品.具体型号你自己上该公司网站查,耐压和电流余量放大些.另外在2110的VCC和COM之间靠近2110处再接一个4.7微法的独石电容.如果你的驱动信号是TTL电平,请将VDD接5V电源,以保证驱动信号兼容TTL电平.

谢谢大家,今天上午老板找我有点事,没有上网,我的mos管用的是32安500v的

Sami兄:你说的地的问题,我也在考虑,你能具体说说吗,

谢谢你,关于pcb布局问题,应该注意什么,我的一个朋友说pcb布局不好也会影响,

另外一个问题是,mos管的缓冲电路设计,我用rc和rcd做的,但是在电阻上的功耗很大,我用10w的电阻很烫手(用2kw的电炉做模拟负载)

驱动芯片这一块的地应该属于信号地,输入电源的地应该属于动力地,这些地要尽量大一点,然后在某一个位置接在一起,不要多点接.这样可以避免地上有浮的电位,我的拙见,兄弟在哪里做电机啊,我是 做 Fairchild 的产品的.

电炉是电阻性负载,可以不需要关断缓冲,不能很好地模拟电机绕组,另外你的缓冲电容多大?RCD缓冲电路的电阻和电容的选取要适当,电容太小起不到缓冲作用,太大又增大了管子开通时的附加电流也使得电阻发热严重.你找相关资料重新计算一下,一般的电力电子书里面都有.

关于PCB布局,要将强电和弱电分开,最好进行隔离,不能隔离的话,就如第9贴所说,一点接地,且地线要尽量宽.

我在成都做电机控制,Samic兄,你在那里卖FAIRCHILD的产品

我的RCD电容值是0.02uf,是调试时看波形取的值,电阻是51欧

我现在使用的是2SK1522,50a500v的mos管

电容具体取值要根据负载电流和管子关断时间计算,不能看波形来取.你找相关资料看看.

**此帖已被管理员删除**

你在电路中有几致命问题:
1)PWM千万别用廉价MCU软件产生.上电过程和死机状态你根本无法确定.
2)D3/D4/D6/D7该成10BQ040,1N4148在这简直是添乱.
3)Q2的D到Q5的S和Q3的D到Q6的S接CBB18/630V/224的电容----千万不可改变.
4)建议换掉仙童的FET,主要是该公司的元件分散性太差,做单管的电源还凑合,做其它的太难用.建议用IRGB20N60PD
5)去掉RCD吸收
6)每半桥的两FET间要近.
7)滤波电容必须靠FET安装,间距必须小于5CM.
8)注意散热.

谢谢各位仁兄了,我现在把我改了的原理图在传上来1113530259.pdf

我记下了你的电话,谢先生

去掉RCD吸收会增加MOSFET关断时的电压冲击和关断损耗,很不安全

I服了YOU了,10K电阻还没去掉,电路能用才怪呢.为避免上下管直通,建议使用带死区保护的IR2130或IR2136,一片可以顶三片2110.

我画了一个图,标明高端驱动电荷是怎么跑掉的.自己看吧1113564418.pdf

谢谢你,我看懂了,