@renchj
朋友,我有点看法:我认为:D2、Q3和R4构成了一个加速关断电路.在mosfet开通时D2提供给Q3的基极一个偏置电压,保证Q3有一个不大的偏置电流,在mosfet关断时R4的存在使得mosfet加速关断.个人看法供朋友参考!
刚才做个实验,D2在通过0.4A电流时压降才0.45V,那个PNP三极管EB结电压0.65V(空载测量).
由于三极管是贴片的,二极管也没型号(估计是锗管),现在板子没办法加电,但是从用意看,应该是加速MOS管结电容释放,但是有无法理解.
望大家多多献策!