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做金卤灯镇流器用什么IC较好?

做金卤灯镇流器用什么IC较好?
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7516275
LV.4
2
2005-05-28 10:37
自己顶一下
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changze
LV.9
3
2005-05-28 11:30
IR的,,,2159可以改用,,,,
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7516275
LV.4
4
2005-05-30 19:21
@changze
IR的,,,2159可以改用,,,,
贴个图
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2005-05-31 09:56
@changze
IR的,,,2159可以改用,,,,
IR2159已经不生产了,建议用21592或21593.
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lion9891
LV.2
6
2005-05-31 10:39
@changze
IR的,,,2159可以改用,,,,
仁兄,看你发了很多贴,应该说是我的前辈吧!请问你有用过TI公司的UCC2305做过HID汽车头灯的经验吗?愚兄我现在画了一个板子,但是可能因为外围元件参数的原因,现在的VCC都不正常.能否指点一,二,本人在此谢过.
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changze
LV.9
7
2005-05-31 14:02
@lion9891
仁兄,看你发了很多贴,应该说是我的前辈吧!请问你有用过TI公司的UCC2305做过HID汽车头灯的经验吗?愚兄我现在画了一个板子,但是可能因为外围元件参数的原因,现在的VCC都不正常.能否指点一,二,本人在此谢过.
做了一下,,,不太好用,,,,后来按它的工作方法用2845代替它了,,,,

这个芯片使用的要求是比较高的,,,它有很多条件都达到这后才会正常工作,,,总之调试比较麻烦,,,价格而且又很高,,,
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changze
LV.9
8
2005-05-31 14:02
@lion9891
仁兄,看你发了很多贴,应该说是我的前辈吧!请问你有用过TI公司的UCC2305做过HID汽车头灯的经验吗?愚兄我现在画了一个板子,但是可能因为外围元件参数的原因,现在的VCC都不正常.能否指点一,二,本人在此谢过.
还有它的布线干扰也是要求较高的,,,
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2005-05-31 23:27
这最好是用IR的IR2153+IR2111来做了.目前市场大多采用此方案
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allanyao
LV.4
10
2005-06-01 00:28
@changze
做了一下,,,不太好用,,,,后来按它的工作方法用2845代替它了,,,,这个芯片使用的要求是比较高的,,,它有很多条件都达到这后才会正常工作,,,总之调试比较麻烦,,,价格而且又很高,,,
Changze大哥,请问一下那如果我用UC3842+IR2153(半桥)这样也可以办到吗
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allanyao
LV.4
11
2005-06-01 00:30
@changze
还有它的布线干扰也是要求较高的,,,
Changze大哥请问一下这意思是说对EMI要求高吗,还是有其他意思?不好意思问题粉多,不过对电子镇流器真的越来越有兴趣,所以有问题都想知道答案?
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allanyao
LV.4
12
2005-06-01 00:31
@changze
还有它的布线干扰也是要求较高的,,,
Changze大哥请问一下这意思是说对EMI要求高吗,还是有其他意思?不好意思问题粉多,不过对电子镇流器真的越来越有兴趣,所以有问题都想知道答案?
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changze
LV.9
13
2005-06-01 08:28
@allanyao
Changze大哥,请问一下那如果我用UC3842+IR2153(半桥)这样也可以办到吗
3845
+2153+2111,,,,
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rodman
LV.6
14
2005-06-01 16:38
@simon_wang
这最好是用IR的IR2153+IR2111来做了.目前市场大多采用此方案
专营电子灌封黑胶
   厂价直销,价格优惠,性能优良,有多种性能规格可供选择,具体电话联系或前往我公司面议,根具量而定.很多大公司都用我们的产品.欢迎各位大虾电话咨询.
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7516275
LV.4
15
2005-06-02 15:00
@simon_wang
这最好是用IR的IR2153+IR2111来做了.目前市场大多采用此方案
是半桥吗?
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流明
LV.2
16
2005-06-02 18:38
做金卤灯镇流器用2030吧!能做到300W
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simon_wang
LV.6
17
2005-06-02 20:51
@7516275
是半桥吗?
做全桥的
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rodman
LV.6
18
2005-06-03 17:21
@7516275
自己顶一下
全桥驱动器UBA2030T及其应用

1前言

飞利浦公司利用“BCD750功率逻辑工艺方法”制造的UBA2030T,是为驱动全桥拓扑结构中的功率MOSFET而专门设计的高压IC.UBA2030T只需用很少量的外部元件,即可组成高强度放电(HID)灯电子镇流器电路,并且为HID灯驱动电路的设计提供了解决方案.

2封装、内部结构及引脚功能

UBA2030T采用24脚SO封装,顶视图如图1所示.

UBA2030T芯片集成了自举二极管、振荡器、高压和低压电平移相器、高端(左、右)和低端(左、右)驱动器及控制逻辑等电路,其内部结构框图如图2所示.

表1列出了UBA2030T的引脚功能.

2主要参数及特点

2.1主要参数

UBA2030T的主要参数及参考数据如表2所列.

2.2主要特点



图1SO24封装顶视图

UBA2030T的主要特点如下:

内置自举二极管,用作驱动全桥电路可使外部元件减少到最低限度;

高压输入直达570V,为驱动内部电路和全桥



图2UBA2030T的内部结构框图

表1引脚功能 脚号  符号  功能描述  
1  GLR  低端右边MOSFET的栅极驱动器输出  
2  PGND  低端左、右MOSFET的源极功率地  
3  GLL  低端左边MOSFET的栅极驱动器输出  
4,6,9,16,17,19  n.c.  不连接  
5  RC  内部振荡器RC输入  
7  BE  控制输入使能  
8  BER  桥路参考输入使能  
10  FSL  浮置电源电压左边输出  
11  GHL  高端左边MOSFET栅极驱动器输出  
12  SHL  高端左边MOSFET源极  
13  SHR  高端右边MOSFET源极  
14  GHR  高端右边MOSFET栅极驱动器输出  
15  FSR  浮置电源电压右边输出  
18  HV  高压电源输入  
20  EXO  外部振荡器输入  
21  SD  关闭输入  
22  DTC  死区时间控制输入  
23  VDD  内部(低压)电源  
24  SGND  信号地  



表2主要参数及参考数据 符号  参数  条件  最小值  典型值  最大值  单位  
高压  
VHV  高压电源(电压)     0  -  570  V  
启动(经脚HV施加)  
Istrtu  启动电流     -  0.7  1.0  mA  
Vth(osc,strt)  启动振荡门限电压  在fbridge=500Hz下,无载  14.0  15.5  17.0  V  
Vth(osc,strt)  停止振荡门限电压  在fbridge=500Hz下,无载  11.5  13.0  14.5  V  
输出驱动器  
Io(source)  输出源电流  VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=0V  140  190  240  mA  
Io(sink)  输出灌电流  VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=15V  200  260  320  mA  
内部振荡器  
fbridge  桥路振荡器频率  EXQ脚连接到SGND  50  -  50000  Hz  
外部振荡器  
fosc(ext)  外部振荡器频率  RC脚连接到SGNDfbridge=fosc(ext)/2  100  -  100000  Hz  
死区时间  
tdead  死区时间控制范围(外部可调)     0.4  -  4  μs  
桥路使能  
IIH  高电平输入电流  使能激活  100  -  700  μA  
IIL  低电平输入电流  使能堵塞  0  -  20  μA  
关闭  
VIH  高电平输入电压  关闭激活:1ΔVSD/Δt1>5V/ms  4.5  -  VDD  V  
VIL  低电平输入电压  关闭阻塞:1ΔVSD/Δt1>5V/ms  0  -  0.5  V  
II(SD)  输入电流     0  -  50  μA  
VDD范围:0V~18V

中的MOSFET,IC提供自己产生的低电源电压;

利用在DTC脚和SGND脚之间连接的电阻器RDT来设定死区时间tdead,并且RDT=270tdead-70,RDT(min)=50kΩ,RDT(max)=1MΩ(RDT的单位为kΩ时,tdead的单位为μs);

振荡器频率可调,当使用内部振荡器时,桥路(bridge)频率可利用外部电阻器ROSC和电容器COSC设定:fbridge=1/(2×8×ROSC×COSC),并要求ROSC=200kΩ~2MΩ;

内置PMOS高压移相器,以控制桥路使能功能;

具有关闭功能,只要在SD脚上的输入达到4.5V,全桥中的4只MOSFET则被关断.

3应用介绍

UBA2030T典型应用主要是在高压的(HPS)灯和金属卤灯这类HID灯电子镇流器电路中作为全桥驱动器.

3.1基本应用电路

用UBA2030T作驱动器和HID灯为负载的全桥基本拓扑结构如图3所示.在这个应用电路中,



图3UBA2030T作驱动器、HID灯为负载的全桥基本电路



图4带外部控制电路的HID灯全桥拓扑结构



图5控制电路以桥路高端作参考的HID灯驱动器电路



图6用低压DC电源为内部电路

提供电流的HID灯全桥驱动器电路

BER脚、BE脚、EXO脚和SD脚都接系统地,没有使用桥路使能和关闭功能.当使用内部振荡器时,桥路换向频率由ROSC和COSC的取值决定.当HV施加电压超过振荡触发门限(典型值是15.5V)时,振荡器开始振荡.如果在HV脚上的电压降至振荡器停止门限(典型值是13V)电压,IC将重新进入启动状态.

一旦IC开始正常工作,在功率开关HL(Q1)和LR(Q4)导通时,HR(Q3)和LL(Q2)则截止;当HR(Q3)和LL(Q2)导通时,HL(Q1)和LR(Q4)则截止.UBA2030T提供的换向逻辑,保证了在HID灯中能产生交变电流.

  HID灯的启动需要施加一个3kV~10kV的高压脉冲.由带负阻特性的触发元件、电容器和升压线圈等组成的点火器电路,在通电之后能产生足够使HID灯击穿的高电压,使灯引燃.为防止HID灯出现“声共振”现象,导致电弧不稳,烧坏灯管,对于HID灯驱动电路,往往还要采取“声共振”抑制措施.

3.2带外部振荡器控制的应用电路

图4示出的是带外部振荡器控制电路的HID灯全桥拓扑结构.在该应用电路中,UBA2030T的RC脚、BER脚和BE脚连接系统地,桥路换向频率由外部振荡器决定,关闭输入脚(SD脚)可以用作关断全桥电路中的全部MOSFET.

3.3控制电路以桥路高端作参考的HID灯全桥驱动器电路

UBA2030T在驱动HID灯全桥系统中作为换向器元件使用.HID灯的使用寿命依赖于通过石英壁的钠迁移量.为使钠迁移比率减至最小,HID灯以系统地为参考时,必须在负压下工作.图5示出的是控制单元以桥路高端作参考的HID灯全桥驱动器电路.在该应用电路中,BER脚和HV脚都连接到系统地.

图6所示的以桥路高端作为参考的又一种HID灯全桥驱动电路.BER脚连接系统地,通过HV脚流入IC内部低压电路的电流可以由低压DC电源(如电池)提供,如图6中虚线所示.RDT的数值在50kΩ与1000kΩ之间.当RDT=220KΩ时,死区时间tdead是1μs.

在任何应用中,在IC脚HV上的电压不能低于在VDD脚上的电压.否则,不论是在启动状态还是进入正常工作期间,全桥都不会正确工作.在启动阶段,IC的EXO脚和SD脚都应处于低电平.在EXO脚和SD脚的电压为时间函数时,其变化速率应大于5V/ms.
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yeming-1
LV.5
19
2005-06-04 09:51
@rodman
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7516275
LV.4
20
2005-06-06 09:03
@rodman
全桥驱动器UBA2030T及其应用1前言飞利浦公司利用“BCD750功率逻辑工艺方法”制造的UBA2030T,是为驱动全桥拓扑结构中的功率MOSFET而专门设计的高压IC.UBA2030T只需用很少量的外部元件,即可组成高强度放电(HID)灯电子镇流器电路,并且为HID灯驱动电路的设计提供了解决方案.2封装、内部结构及引脚功能UBA2030T采用24脚SO封装,顶视图如图1所示.UBA2030T芯片集成了自举二极管、振荡器、高压和低压电平移相器、高端(左、右)和低端(左、右)驱动器及控制逻辑等电路,其内部结构框图如图2所示.表1列出了UBA2030T的引脚功能.2主要参数及特点2.1主要参数UBA2030T的主要参数及参考数据如表2所列.2.2主要特点图1SO24封装顶视图UBA2030T的主要特点如下:内置自举二极管,用作驱动全桥电路可使外部元件减少到最低限度;高压输入直达570V,为驱动内部电路和全桥图2UBA2030T的内部结构框图表1引脚功能脚号  符号  功能描述  1  GLR  低端右边MOSFET的栅极驱动器输出  2  PGND  低端左、右MOSFET的源极功率地  3  GLL  低端左边MOSFET的栅极驱动器输出  4,6,9,16,17,19  n.c.  不连接  5  RC  内部振荡器RC输入  7  BE  控制输入使能  8  BER  桥路参考输入使能  10  FSL  浮置电源电压左边输出  11  GHL  高端左边MOSFET栅极驱动器输出  12  SHL  高端左边MOSFET源极  13  SHR  高端右边MOSFET源极  14  GHR  高端右边MOSFET栅极驱动器输出  15  FSR  浮置电源电压右边输出  18  HV  高压电源输入  20  EXO  外部振荡器输入  21  SD  关闭输入  22  DTC  死区时间控制输入  23  VDD  内部(低压)电源  24  SGND  信号地  表2主要参数及参考数据符号  参数  条件  最小值  典型值  最大值  单位  高压  VHV  高压电源(电压)    0  -  570  V  启动(经脚HV施加)  Istrtu  启动电流    -  0.7  1.0  mA  Vth(osc,strt)  启动振荡门限电压  在fbridge=500Hz下,无载  14.0  15.5  17.0  V  Vth(osc,strt)  停止振荡门限电压  在fbridge=500Hz下,无载  11.5  13.0  14.5  V  输出驱动器  Io(source)  输出源电流  VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=0V  140  190  240  mA  Io(sink)  输出灌电流  VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=15V  200  260  320  mA  内部振荡器  fbridge  桥路振荡器频率  EXQ脚连接到SGND  50  -  50000  Hz  外部振荡器  fosc(ext)  外部振荡器频率  RC脚连接到SGNDfbridge=fosc(ext)/2  100  -  100000  Hz  死区时间  tdead  死区时间控制范围(外部可调)    0.4  -  4  μs  桥路使能  IIH  高电平输入电流  使能激活  100  -  700  μA  IIL  低电平输入电流  使能堵塞  0  -  20  μA  关闭  VIH  高电平输入电压  关闭激活:1ΔVSD/Δt1>5V/ms  4.5  -  VDD  V  VIL  低电平输入电压  关闭阻塞:1ΔVSD/Δt1>5V/ms  0  -  0.5  V  II(SD)  输入电流    0  -  50  μA  VDD范围:0V~18V中的MOSFET,IC提供自己产生的低电源电压;利用在DTC脚和SGND脚之间连接的电阻器RDT来设定死区时间tdead,并且RDT=270tdead-70,RDT(min)=50kΩ,RDT(max)=1MΩ(RDT的单位为kΩ时,tdead的单位为μs);振荡器频率可调,当使用内部振荡器时,桥路(bridge)频率可利用外部电阻器ROSC和电容器COSC设定:fbridge=1/(2×8×ROSC×COSC),并要求ROSC=200kΩ~2MΩ;内置PMOS高压移相器,以控制桥路使能功能;具有关闭功能,只要在SD脚上的输入达到4.5V,全桥中的4只MOSFET则被关断.3应用介绍UBA2030T典型应用主要是在高压的(HPS)灯和金属卤灯这类HID灯电子镇流器电路中作为全桥驱动器.3.1基本应用电路用UBA2030T作驱动器和HID灯为负载的全桥基本拓扑结构如图3所示.在这个应用电路中,图3UBA2030T作驱动器、HID灯为负载的全桥基本电路图4带外部控制电路的HID灯全桥拓扑结构图5控制电路以桥路高端作参考的HID灯驱动器电路图6用低压DC电源为内部电路提供电流的HID灯全桥驱动器电路BER脚、BE脚、EXO脚和SD脚都接系统地,没有使用桥路使能和关闭功能.当使用内部振荡器时,桥路换向频率由ROSC和COSC的取值决定.当HV施加电压超过振荡触发门限(典型值是15.5V)时,振荡器开始振荡.如果在HV脚上的电压降至振荡器停止门限(典型值是13V)电压,IC将重新进入启动状态.一旦IC开始正常工作,在功率开关HL(Q1)和LR(Q4)导通时,HR(Q3)和LL(Q2)则截止;当HR(Q3)和LL(Q2)导通时,HL(Q1)和LR(Q4)则截止.UBA2030T提供的换向逻辑,保证了在HID灯中能产生交变电流.  HID灯的启动需要施加一个3kV~10kV的高压脉冲.由带负阻特性的触发元件、电容器和升压线圈等组成的点火器电路,在通电之后能产生足够使HID灯击穿的高电压,使灯引燃.为防止HID灯出现“声共振”现象,导致电弧不稳,烧坏灯管,对于HID灯驱动电路,往往还要采取“声共振”抑制措施.3.2带外部振荡器控制的应用电路图4示出的是带外部振荡器控制电路的HID灯全桥拓扑结构.在该应用电路中,UBA2030T的RC脚、BER脚和BE脚连接系统地,桥路换向频率由外部振荡器决定,关闭输入脚(SD脚)可以用作关断全桥电路中的全部MOSFET.3.3控制电路以桥路高端作参考的HID灯全桥驱动器电路UBA2030T在驱动HID灯全桥系统中作为换向器元件使用.HID灯的使用寿命依赖于通过石英壁的钠迁移量.为使钠迁移比率减至最小,HID灯以系统地为参考时,必须在负压下工作.图5示出的是控制单元以桥路高端作参考的HID灯全桥驱动器电路.在该应用电路中,BER脚和HV脚都连接到系统地.图6所示的以桥路高端作为参考的又一种HID灯全桥驱动电路.BER脚连接系统地,通过HV脚流入IC内部低压电路的电流可以由低压DC电源(如电池)提供,如图6中虚线所示.RDT的数值在50kΩ与1000kΩ之间.当RDT=220KΩ时,死区时间tdead是1μs.在任何应用中,在IC脚HV上的电压不能低于在VDD脚上的电压.否则,不论是在启动状态还是进入正常工作期间,全桥都不会正确工作.在启动阶段,IC的EXO脚和SD脚都应处于低电平.在EXO脚和SD脚的电压为时间函数时,其变化速率应大于5V/ms.
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7516275
LV.4
21
2005-06-06 09:03
@流明
做金卤灯镇流器用2030吧!能做到300W
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changze
LV.9
22
2005-06-06 09:57
@7516275
贴个图
兄台,,,,你说话好硬哟!!!!!
(贴个图)好像别人应该的一样,,,,!!!!!!!
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