MOSFET IRFAE50 损耗怎么计算??

MOSFET IRFAE50 损耗怎么计算?? r=1.2 欧 ,TR和TF分别为,68和24 纳秒. 其中电源频率为200KHZ. 还需要知道什么? 假设各阶段电流已知道! 具体应该怎么计算??请高手指点一下.

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b.r.g.j.wallace航天电源

LV.8

2005-05-30 10:10

你要算开关损耗还是导通损耗?

凌初

LV.2

2005-05-30 12:03

@b.r.g.j.wallace航天电源

你要算开关损耗还是导通损耗?

开关损耗包括,导通损耗吗?听起来好像是?

如果不是,分别怎么算!

凌初

LV.2

2005-05-30 12:06

@b.r.g.j.wallace航天电源

你要算开关损耗还是导通损耗?

开关损耗包括导通损耗吗?

如果不是,那分别怎么算呢? 急啊!!

凌初

LV.2

2005-05-31 08:10

怎么没有人理我啊!??????

柳西塔

LV.3

2005-05-31 11:13

@凌初

怎么没有人理我啊!??????

导通损耗好象是D-S之间的内阻*电流的平方.
开关损耗怎么算我也想知道

b.r.g.j.wallace航天电源

LV.8

2005-06-01 23:03

@柳西塔

导通损耗好象是D-S之间的内阻*电流的平方.开关损耗怎么算我也想知道

具体怎么算,等我整理后再说,反正对于开关损耗来说,我们关心的就是Qg(栅极总电荷).因为它直接决定着输入电容,Ciss,Cgs等等.Qg大,电容大的时候,前极的驱动能力要求相对就要大,这其中原因很多,比如说其中之一就是你要先对那些电容充电;在关断的时候,也需要将电容的电放完.另外栅极电荷的累积,也会对MOSFET的性能,寿命产生影响.这就是我们为什么在设计的时候要在VGS之间加一个R＝几K的电阻.