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MOS管的D漏极和S源极之间连个电容是起什么作用啊?

MOS管的D漏极和S源极之间连个电容是起什么作用啊?500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/75/2074671236061176.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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2009-03-03 14:59
壓EMI 的
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LV.1
3
2009-03-03 15:17
要看你那MOS用在那里呀.用的地方不一样所起的作用也不会一样的.
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power1952
LV.2
4
2009-03-03 15:19
@
要看你那MOS用在那里呀.用的地方不一样所起的作用也不会一样的.
是单端反激电源的开关MOS,3843+20N60
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power1952
LV.2
5
2009-03-03 15:20
这个电容对MOS会有什么影响!
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LV.1
6
2009-03-03 15:28
@power1952
这个电容对MOS会有什么影响!
变压器原边串个电容.原边的波形会有振荡现象.
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2009-03-03 15:54
@
变压器原边串个电容.原边的波形会有振荡现象.
改善EMI,但效率会降低
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晶熔铁
LV.7
8
2009-03-03 19:30
@zhong721123
改善EMI,但效率会降低
不同场合不同作用.主要还是吸收尖峰,改善EMI,限制作用于MOS FET上的du/dt,提高MOS FET工作可靠性.
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2009-03-04 12:55
@晶熔铁
不同场合不同作用.主要还是吸收尖峰,改善EMI,限制作用于MOSFET上的du/dt,提高MOSFET工作可靠性.
一般没有直接这样用的,除非是为了实现零电压,否则容易造成MOS管开通的时候大电流的损坏.即使加容量也会很小.
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zkybuaa
LV.5
10
2009-03-04 18:37
@晶熔铁
不同场合不同作用.主要还是吸收尖峰,改善EMI,限制作用于MOSFET上的du/dt,提高MOSFET工作可靠性.
有这样用的吗?
开通前如果C上电压不为零,储能会完全消耗在管子内部.
ZVS倒是常常这样用.
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hqyzh
LV.6
11
2009-03-04 19:32
@ytdfwangwei
一般没有直接这样用的,除非是为了实现零电压,否则容易造成MOS管开通的时候大电流的损坏.即使加容量也会很小.
电容要是还大点呢
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晶熔铁
LV.7
12
2009-03-04 21:27
@zkybuaa
有这样用的吗?开通前如果C上电压不为零,储能会完全消耗在管子内部.ZVS倒是常常这样用.
一般此电容不会大于200P-300P(对于ID为5A-9A的MOS管,谐振式除外),并多见于S极对地有限流电阻的反激式场合.此电容是否会在MOS管导通时产生较大的短路电流,一方面取决于容量大小及电容自身的等效串联电阻,同时也取决于该MOS管G极的上升速率.实测此电容有无的区别是副边二极管导通或关断毛刺明显减低,EMI空间辐射亦有所降低.
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xulin029
LV.5
13
2012-08-03 17:16
@晶熔铁
一般此电容不会大于200P-300P(对于ID为5A-9A的MOS管,谐振式除外),并多见于S极对地有限流电阻的反激式场合.此电容是否会在MOS管导通时产生较大的短路电流,一方面取决于容量大小及电容自身的等效串联电阻,同时也取决于该MOS管G极的上升速率.实测此电容有无的区别是副边二极管导通或关断毛刺明显减低,EMI空间辐射亦有所降低.
请教,多见于S极有限流电阻的反激式场所。这个是什么意思?
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fagehy
LV.2
14
2012-08-03 17:21
没什么作用吧
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2012-08-03 18:04

吸收开关管的尖峰的

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晶熔铁
LV.7
16
2012-08-22 23:00
@xulin029
请教,多见于S极有限流电阻的反激式场所。这个是什么意思?
小功率反激电源中。
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许北华
LV.1
17
2012-10-15 10:41
@zhangwei0846
吸收开关管的尖峰的
改善EMI,但效率会降低
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