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高频场合下MOSFET的驱动

我目前在做H BIRDGE 的电路,PWM的频率为5~6MHZ.目前的情况是MOSFET不能够按照预想的进行关断或导通而一直处于导通状态.拿单个的N或则P沟道的MOSFET在5~6MHZ的情况下进行关断或导通试验都是失败的.
我选择的MOSFET是 ONSEMI 的 NTR4501N,NTR4502P
NTR4501N:Ciss=200PF,Total gate charge=2.4nC,turn-on delay time=6.5ns,turn-off delay time=12ns,rise time=12ns,fall time=3ns
NTR4502P的参数也差不多是这样.
目前我认为 管子完全可以在这样的频率下进行导通和关断工作,出现失败的原因是驱动不够.但是我在管子的前面加了BUFFER,高频三极管这些可以增加驱动能力的电路后还是不行.所以我想请问各位:1:管子是否合适;2:驱动电路应该怎么做;3:是否会有其他的问题导致(DEAD TIME 电路已经做好了,不用考虑了)
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