推挽开关电源变压器

没人回复呢,现在帮人的好人哪去了哦!

你的这个变压器,算是可以算,
我想问一下你,做过推挽没有?
开关频率100K,那振荡频率就要200K,
你用什么芯片?
能否把图贴上来看看?
你准备选多大的磁芯?

准备用EE55或是EC52磁芯

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/75/3196181237172685.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

单片机的,MOS管并联推动,请帮我算算参数.谢谢了!

开关频率可以调的(25K-200K),请按100K帮我计算就可以了.谢谢

单片机做这个电源  不是很好
单片机的速度达不到
你还是用TL494做吧   振荡频率110K  开关频率55K

你是做 PFM  变频的吗?

我现在只能用这个做.你说能算,还是帮我算一下变压器吧!非常谢谢了!(用55K开关频率算也是可以的!)

不是PFM变频的.用在数字功放的.

本人推荐一个适合初学者实验的绕法供参考:EE-55B磁芯骨架,原边用直径1.45mm的漆包线3根并绕,3匝+3匝,头尾相接为中心线;副边用单根1.45mm漆包线,8匝+8匝头尾相接为中心线.1.45mm的漆包线相对较硬,初学者徒手操作,注意绕制方法及相位关系,层间用3层黄胶纸绝缘.

初级匝数N=100000000V/4fBA
其中:
V:输入最高电压,单位V;
f:工作频率,单位Hz;
B:磁通密度,单位G;
A:磁芯有效截面积.单位cm2



次级按N1/N2=V1/V2,B=1000-3000

设最高电压为 13.5V  磁芯 EE55*27.5*21  AE=3.54

13.5*100000000/4*55000*1500*3.54
=1350000000/220000*1500*3.54
=135000/22*1500*3.54
=135000/33000*3.54
=135/33*3.54
=135/116.82
=1.18T
取2T
次级匝数=(27+1.2)/12*2
=28.2*2/12
=56.4/12
=4.7
取 5 T

初级有效电流=400/0.85/12=39.2A  按40A计算
初级单边电流 =40/1.4=28.6A
初级采用4根并绕
28.6/4=7.2A
初级线径 D=1.13*√I/J   I为电流  J为电流密度  
电流密度取4
D= 1.13*√1.8
D=1.13*1.34
初级线径 D=1.51mm *4根 并绕 2T
1.5线径太粗 不好绕线或改成 1.0*9根并绕2T

次级有效电流=400/27*2=7.4A
次级  D=1.13*√7.4/4
D=1.13*√1.85
D=1.13*1.36
D=1.53
取直径 1.5mm 单根绕 5T

谢谢你的回复.我会按你的方法试试.

非常感谢,我按你的方法试试.(请问磁芯需不需要加气隙?还有这种推挽很容易出现磁不平衡,有些什么好的方法解决?)

测试,效率很低,只有60%左右.

推挽 不要气息

回楼主:提高效率可增加原边匝数试之,匝比不变.防止磁饱和的主要措施是做好原边推挽绕组在磁芯中分布的对称性.

EE55磁芯有2种  你的是不是截面=3.54平方厘米的?

磁芯是3.54CM2(55.15*27.5*20.7)的呀,我是用铜片绕的,应该没有分布不均的问题吧!?

主要是MOS管比较烫.

另:请问各位师富,推挽的软开关应该怎么设计?谢谢!

选的什么MOS  几个?
是不是MOS 不够?

50A/60V 两边各两个

你的管子不知道 少哪里去了
你的管子做150W还差不多
你的初级
要用2对 IRF3205 TO-220    55V/110A  8 mR
每边一对

我初次线都是用铜皮绕的.初次0.5MM厚,次级用0.12MM厚.

需要那么大电流吗?请问是根据什么选的?谢谢!

POWER20071983老师,能不能分享一份电路图给我参考呀!