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MOSFET与IGBT的区别

经常看到别人使用MOSFET和IGBT来设计开关电源,小功率的采用MOSFET,大功率的使用IGBT,粗略的知道MOSFET饱和导通压降较小,但是具体有啥区别还真不知道,不知道哪位达人说下???
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2009-04-23 11:05
电压超过300V后,MOSFET的导通压降迅速变大,损耗变大,这种情况改用IGBT做开关器件最好
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2009-04-23 15:06
IGBT是绝缘栅双极晶体管.MOSFET是功率场效应晶体管.前者是复合器件,后者是单极型器件.但它们都是电压控制型器件,也称场控器件.两者在正向导通结数,器件控制方式,正反向阻断电压,门极信号,结温,安全工作区,延迟时间,存储时间------等方面均相同或近似.而后者有更高的开关频率,可>100KHZ
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aoe123
LV.1
4
2009-04-26 09:27
多谢两位回复,还想知道的更多,
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2009-04-27 11:47
@aoe123
多谢两位回复,还想知道的更多,
还想知道哪方面的东西呢?
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