MOSFET与IGBT的区别

经常看到别人使用MOSFET和IGBT来设计开关电源,小功率的采用MOSFET,大功率的使用IGBT,粗略的知道MOSFET饱和导通压降较小,但是具体有啥区别还真不知道,不知道哪位达人说下???

全部回复(4)

只看楼主

正序查看

倒序查看

命运宠爱

LV.3

2009-04-23 11:05

电压超过300V后,MOSFET的导通压降迅速变大,损耗变大,这种情况改用IGBT做开关器件最好

天涯-天涯

LV.1

2009-04-23 15:06

IGBT是绝缘栅双极晶体管.MOSFET是功率场效应晶体管.前者是复合器件,后者是单极型器件.但它们都是电压控制型器件,也称场控器件.两者在正向导通结数,器件控制方式,正反向阻断电压,门极信号,结温,安全工作区,延迟时间,存储时间------等方面均相同或近似.而后者有更高的开关频率,可>100KHZ