正规Motorala 的MJE13003面积2.8*2.8,现在无论是深爱还是吉半华微的管子面积有它一半就算可以了!质量都是半斤八两,但我知道管子的毛利都在35%以上,暴利了.
所以华微上市去年尽赚5干万,深爱有本钱投两个亿在关外盖新厂,现在神气着呢!深爱,吉半华微的制造技术是63年使用最低价三重扩散工艺,最主要缺点是饱和压降大3倍,大开关时间长,当然也有一个优点,由于是单晶,耐击穿能力稍强.只配作5元以下EB.
国内小厂的器件制造工艺和它们完全一样的,所用设备完全一样,有些比它们还好!当然小厂的量小叫小厂,但价廉啊!
深爱,吉半华微生产双极BJT都是国外不要了的垃圾旧生产线! 说到新生产线无锡华晶绍兴华越是新线,生产水平最高是无锡华晶上海新进.
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网友评论:目前,国产的13005产品在节能灯和电子镇流器电子变压器市场应用的很广泛.深爱的管子采用的是SIPOS平面工艺,华微的管子采用的是磷硅玻璃加终端截止环的工艺.电流能力都是5A.时间参数上基本都在2-6us范围内.最重要的是看怎么用.做一体灯可以做到45W.做电子镇流器可以做到55W.做电子变压器可以做到70W.
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网友评论:目前,国产的13005产品在节能灯和电子镇流器电子变压器市场应用的很广泛.深爱的管子采用的是SIPOS平面工艺,华微的管子采用的是磷硅玻璃加终端截止环的工艺.电流能力都是5A.时间参数上基本都在2-6us范围内.最重要的是看怎么用.做一体灯可以做到45W.做电子镇流器可以做到55W.做电子变压器可以做到70W.
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无论是用SIPOS(一种半绝缘掺氧多晶硅薄膜,技术来源自中科院半导体所),还是磷硅玻璃都只能叫钝化膜,叫一种加工技术不妥, SIPOS,终端截止环.目的只是减弱BJT的表面电场,从而达到提高耐压BVceo的目的,对其它交直流参数无影响,不用也行.另外SIPOS使漏电流成量级增加,这是一大忌讳,国外大公司用在发热的功率器件甚少.幸好EB不值钱少计较!
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网友评论:~~~~~~~L03N60用过吗怎么样...刚接到样品...
你推荐一款给大家试试...你肯定是三极管公司的吧.讲的好清楚
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谢谢您的鼓励!再在这儿闹闹!
国外一流EB都用VDMOS,驱动用IR,Philiph, Moto专用高压浮电位和驱动器如IR2151等,这种SPIC加工设计工艺太难,以至韩国.日本.台湾都无类似产品,像样点的半桥都用IC驱动变压器工作,纯用一个磁环驱动工作方式是中国特色,78年有关EB的第一篇文章就是这样,成本低啊!
深爱,吉半华微对这些非常清楚,所以他们一直花大本钱开展VDMOS研发生产!本人所知,国内中科皖半导体所(有8个学部委员),华晶,上海新进,华越刚能批量生产这玩意.深爱,吉半华微还有相当距离!
同一种型号同一生产厂家,同一生产批功率BJT的toff时间参数上基本都在2-6us范围内,这句话非常内行,实际上国外厂家能控制toff时间参数在75%范围,而国内能控制toff时间参数在100%范围算好的了!
学过功率电子学的朋友都知道,半桥一定要留有死区时间dead time以防共导通!而EB工作于40-50KHZ频率T在20us左右,想想看toff时间参数在2-6us范围内实在可怕!当然Toff由Td和tf构成,tf在0.5-1us右左,
这位朋友L03N60,估计应该是N沟Power MOS,3A/600V,用在40WEB可以.如果是POWER BJT,效果大同小异,要降低Bjt的结温,选择关断时间Tf小的BJT最好!
如果有朋友要为难这些牛B的推销员,拿toff时间参数对付他,他一定送钱给您!
不知这位朋友满意不!I do not feel well this time.顶一下好吗!
使用功率双极晶体管必看,看后牛B的BJT推销员一定会送钱给你!
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@曾经心痛
当心有人揍你 小子[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/31/1120869782.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
13003 芯片2.8*2.8??楼主是不是搞错了,应该是13005的吧
如果是13005的话,我公司的13005芯片为2.68*2.68的,比MOT的是小了点点,不过比你说的XX XX XX XX等牌子的要好的多吧
如果是13005的话,我公司的13005芯片为2.68*2.68的,比MOT的是小了点点,不过比你说的XX XX XX XX等牌子的要好的多吧
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@msxxl
台湾华昕三极管,听说过,品质应属上品.但你一定要告诉用户,你为什么与众不同!
现在的行销员,业务员都会把自己的产品吹上天,到底怎么个好法也没有几个能够说出来的,这样的后果就是让采购和工程师不知道相信谁了.
我公司用于照明和镇流器上的13系列产品,之所以客户反应很好,质量稳定,主要原因是我们的芯片.采用日本TUOREX的,芯片体积都比现在市场上要大,单就13005而言,一般品牌的只能做50W以下,我们可以做到60W以下,这样,更能够适应客户的线路需要.而且我公司不是代理,也不是经销,是厂家直销,如果产品有问题,我们可以让自己的工程师和客户联系,能够实实在在的为客户解决问题.
在者,我们也可以为客户设计更适合他们的MOS管.比如,我们给XXX照明公司专门设计的1N45,在达到客户要求的情况下,更好的为客户节约成本.
我公司用于照明和镇流器上的13系列产品,之所以客户反应很好,质量稳定,主要原因是我们的芯片.采用日本TUOREX的,芯片体积都比现在市场上要大,单就13005而言,一般品牌的只能做50W以下,我们可以做到60W以下,这样,更能够适应客户的线路需要.而且我公司不是代理,也不是经销,是厂家直销,如果产品有问题,我们可以让自己的工程师和客户联系,能够实实在在的为客户解决问题.
在者,我们也可以为客户设计更适合他们的MOS管.比如,我们给XXX照明公司专门设计的1N45,在达到客户要求的情况下,更好的为客户节约成本.
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@liujf
顶!兄台所言及是!另我想请教一下,双极型加纯磁环驱动方式,是否有致命的弱点?根据三极管的参数不同,是否必然有大部分坏机是由于共态导通造成的?
大家知道,EB最易坏的时间发生在刚启动灯管谐振得高压的瞬间,这时加在BJT 的dv/dt,di/dt应力最大,理论上讲电流应为Vcc/2(160V)电压除以冷灯管灯丝电阻(10Ω),实际上由于所用器件的电流往往达不这个值,负载线会往BJT输出特性曲线I-V的电压方向移动,而这时集射电压可能高达100V左右,也许这时电流才5A,所以BJT的瞬态功耗会高达600W,幸好正常启动这个时间很短,如果灯管老化,或者进入辉光放电,或者启动时间稍长,EB会立即损坏!
长话短说,双极型加纯磁环驱动方式有致命的弱点,大部分坏机是由于共态导通造成的,用多功能进口如HP 500MHZ四通道示波器加进口高压5000V高压探头会观察到共导通现象.而在正常点灯状态几乎没有!
当然共导通并不意味着一定会损坏EB,这像一个人站在悬崖边不一定会摔死一样,还得看这人心理承受能力和他站的地方岩石坚固不!
顶!兄台所言及是!另我想请教一下,双极型加纯磁环驱动方式,是否有致命的弱点?根据三极管的参数不同,是否必然有大部分坏机是由于共态导通造成的?
长话短说,双极型加纯磁环驱动方式有致命的弱点,大部分坏机是由于共态导通造成的,用多功能进口如HP 500MHZ四通道示波器加进口高压5000V高压探头会观察到共导通现象.而在正常点灯状态几乎没有!
当然共导通并不意味着一定会损坏EB,这像一个人站在悬崖边不一定会摔死一样,还得看这人心理承受能力和他站的地方岩石坚固不!
顶!兄台所言及是!另我想请教一下,双极型加纯磁环驱动方式,是否有致命的弱点?根据三极管的参数不同,是否必然有大部分坏机是由于共态导通造成的?
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@msxxl
大家知道,EB最易坏的时间发生在刚启动灯管谐振得高压的瞬间,这时加在BJT的dv/dt,di/dt应力最大,理论上讲电流应为Vcc/2(160V)电压除以冷灯管灯丝电阻(10Ω),实际上由于所用器件的电流往往达不这个值,负载线会往BJT输出特性曲线I-V的电压方向移动,而这时集射电压可能高达100V左右,也许这时电流才5A,所以BJT的瞬态功耗会高达600W,幸好正常启动这个时间很短,如果灯管老化,或者进入辉光放电,或者启动时间稍长,EB会立即损坏! 长话短说,双极型加纯磁环驱动方式有致命的弱点,大部分坏机是由于共态导通造成的,用多功能进口如HP500MHZ四通道示波器加进口高压5000V高压探头会观察到共导通现象.而在正常点灯状态几乎没有! 当然共导通并不意味着一定会损坏EB,这像一个人站在悬崖边不一定会摔死一样,还得看这人心理承受能力和他站的地方岩石坚固不! 顶!兄台所言及是!另我想请教一下,双极型加纯磁环驱动方式,是否有致命的弱点?根据三极管的参数不同,是否必然有大部分坏机是由于共态导通造成的?
历害历害,小弟佩服!~~
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@msxxl
大家知道,EB最易坏的时间发生在刚启动灯管谐振得高压的瞬间,这时加在BJT的dv/dt,di/dt应力最大,理论上讲电流应为Vcc/2(160V)电压除以冷灯管灯丝电阻(10Ω),实际上由于所用器件的电流往往达不这个值,负载线会往BJT输出特性曲线I-V的电压方向移动,而这时集射电压可能高达100V左右,也许这时电流才5A,所以BJT的瞬态功耗会高达600W,幸好正常启动这个时间很短,如果灯管老化,或者进入辉光放电,或者启动时间稍长,EB会立即损坏! 长话短说,双极型加纯磁环驱动方式有致命的弱点,大部分坏机是由于共态导通造成的,用多功能进口如HP500MHZ四通道示波器加进口高压5000V高压探头会观察到共导通现象.而在正常点灯状态几乎没有! 当然共导通并不意味着一定会损坏EB,这像一个人站在悬崖边不一定会摔死一样,还得看这人心理承受能力和他站的地方岩石坚固不! 顶!兄台所言及是!另我想请教一下,双极型加纯磁环驱动方式,是否有致命的弱点?根据三极管的参数不同,是否必然有大部分坏机是由于共态导通造成的?
佩服!!我在做冷启动时,会有莫名其妙的炸机,本人想,同50Hz的包络波是否有关(ET),一直想做到能在50Hz不同的相角进行短路测试并观测,但无法做到,不只贵兄由此高见
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@msxxl
大家知道,EB最易坏的时间发生在刚启动灯管谐振得高压的瞬间,这时加在BJT的dv/dt,di/dt应力最大,理论上讲电流应为Vcc/2(160V)电压除以冷灯管灯丝电阻(10Ω),实际上由于所用器件的电流往往达不这个值,负载线会往BJT输出特性曲线I-V的电压方向移动,而这时集射电压可能高达100V左右,也许这时电流才5A,所以BJT的瞬态功耗会高达600W,幸好正常启动这个时间很短,如果灯管老化,或者进入辉光放电,或者启动时间稍长,EB会立即损坏! 长话短说,双极型加纯磁环驱动方式有致命的弱点,大部分坏机是由于共态导通造成的,用多功能进口如HP500MHZ四通道示波器加进口高压5000V高压探头会观察到共导通现象.而在正常点灯状态几乎没有! 当然共导通并不意味着一定会损坏EB,这像一个人站在悬崖边不一定会摔死一样,还得看这人心理承受能力和他站的地方岩石坚固不! 顶!兄台所言及是!另我想请教一下,双极型加纯磁环驱动方式,是否有致命的弱点?根据三极管的参数不同,是否必然有大部分坏机是由于共态导通造成的?
高Q谐振和共态导通是有些说不清的关系.
我曾经把一个镇流器的输出高压端开路,灯丝端短路之后用24V电源驱动;此时输出的谐振电压峰值达到400V,管子出现共态导通,用示波器看的见.而且换磁环调参数全都没用.
我曾经把一个镇流器的输出高压端开路,灯丝端短路之后用24V电源驱动;此时输出的谐振电压峰值达到400V,管子出现共态导通,用示波器看的见.而且换磁环调参数全都没用.
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@剑心
高Q谐振和共态导通是有些说不清的关系.我曾经把一个镇流器的输出高压端开路,灯丝端短路之后用24V电源驱动;此时输出的谐振电压峰值达到400V,管子出现共态导通,用示波器看的见.而且换磁环调参数全都没用.
24V工作时的共态导通有一些容易测量的表现(容易测量指的是:示波器的夹子接到电源负极,跟电路板共地):
半桥开关输出边沿陡直的方波(实测上升时间只有250ns),而不是ZVS工作时的梯形波(上升时间在微秒量级)
地线不同位置之间的电压波形出现很细的尖峰(串了电阻可以看的更清楚)
基极电压上升段出现尖头的小缺口;下降段由0.7V直接跳变到负的好几V.
谁有在与市电隔离的300V直流电源上工作的测试设备,可以看看这些现象是否还出现,找一个适合判断共态导通的指标.
关于共态导通的机理,初步的想法是:
输出负载回路只是电感和电阻,靠磁饱和产生振荡时,不会共态导通:
因为这时半桥输出电压不变号,反馈电压就不变号.只有在一只管子关死,对面二极管进入续流状态,半桥输出电压极性改变之后另一只管子才能开通.(这就是深爱半导体的那篇分析工作原理的文章里描述的工作过程)
输出负载回路处于谐振状态时,存储效应就有可能产生共态导通:
因为反馈电压基本上只由谐振的正弦波形决定,跟开关元件有没有正确动作关系不大.
这可能就是启动谐振容易共态导通,以及输出电压较高,谐振Q值高的T8大功率节能灯难做的原因.
半桥开关输出边沿陡直的方波(实测上升时间只有250ns),而不是ZVS工作时的梯形波(上升时间在微秒量级)
地线不同位置之间的电压波形出现很细的尖峰(串了电阻可以看的更清楚)
基极电压上升段出现尖头的小缺口;下降段由0.7V直接跳变到负的好几V.
谁有在与市电隔离的300V直流电源上工作的测试设备,可以看看这些现象是否还出现,找一个适合判断共态导通的指标.
关于共态导通的机理,初步的想法是:
输出负载回路只是电感和电阻,靠磁饱和产生振荡时,不会共态导通:
因为这时半桥输出电压不变号,反馈电压就不变号.只有在一只管子关死,对面二极管进入续流状态,半桥输出电压极性改变之后另一只管子才能开通.(这就是深爱半导体的那篇分析工作原理的文章里描述的工作过程)
输出负载回路处于谐振状态时,存储效应就有可能产生共态导通:
因为反馈电压基本上只由谐振的正弦波形决定,跟开关元件有没有正确动作关系不大.
这可能就是启动谐振容易共态导通,以及输出电压较高,谐振Q值高的T8大功率节能灯难做的原因.
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@剑心
24V工作时的共态导通有一些容易测量的表现(容易测量指的是:示波器的夹子接到电源负极,跟电路板共地):半桥开关输出边沿陡直的方波(实测上升时间只有250ns),而不是ZVS工作时的梯形波(上升时间在微秒量级)地线不同位置之间的电压波形出现很细的尖峰(串了电阻可以看的更清楚)基极电压上升段出现尖头的小缺口;下降段由0.7V直接跳变到负的好几V.谁有在与市电隔离的300V直流电源上工作的测试设备,可以看看这些现象是否还出现,找一个适合判断共态导通的指标.关于共态导通的机理,初步的想法是:输出负载回路只是电感和电阻,靠磁饱和产生振荡时,不会共态导通:因为这时半桥输出电压不变号,反馈电压就不变号.只有在一只管子关死,对面二极管进入续流状态,半桥输出电压极性改变之后另一只管子才能开通.(这就是深爱半导体的那篇分析工作原理的文章里描述的工作过程)输出负载回路处于谐振状态时,存储效应就有可能产生共态导通:因为反馈电压基本上只由谐振的正弦波形决定,跟开关元件有没有正确动作关系不大.这可能就是启动谐振容易共态导通,以及输出电压较高,谐振Q值高的T8大功率节能灯难做的原因.
大功率节能灯及T5灯管,由于管径细启辉电压高,末用过的新灯管或者用久了的灯管启辉电压更高!
所以一种外形漂亮叫"郎明"的一体化28W直管形灯坏得历害!
灯开瞬间如果灯管进入辉光放电状态,而这时灯管两端的高压由于EB工作于辉光放电,至使灯管两端的高压比正常相比大幅下降,时间稍长,EB会损坏!
对这个问题我们有相当好的解决办法,非常抱歉我不能在这儿继续讲这个问题了!请您原谅!
但你继续实验定会找到好的解决办法!祝你成功.
所以一种外形漂亮叫"郎明"的一体化28W直管形灯坏得历害!
灯开瞬间如果灯管进入辉光放电状态,而这时灯管两端的高压由于EB工作于辉光放电,至使灯管两端的高压比正常相比大幅下降,时间稍长,EB会损坏!
对这个问题我们有相当好的解决办法,非常抱歉我不能在这儿继续讲这个问题了!请您原谅!
但你继续实验定会找到好的解决办法!祝你成功.
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@曾经心痛
当心有人揍你 小子[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/31/1120869782.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
呵,同意.说这话的人才是真正的无聊之极!我也看了你若干个贴子,看得出你还是有点“水平”的,你说你能耐说说别人家的产品也就罢了,这个其实也无可厚非,技术的水平本来就是无止镜的,但人家公司老总跟你有什么瓜葛,说什么“寻总、秦明一群说着大话表面老实无聊北方佬”让大家看看,这是什么话,用几个字可以概括你这个人“轻浮”“狂妄”“无聊”“荒唐”“滑稽” ……!philip 13003 2.8*2.8 ? 是13005 2.8*2.8 又怎么样?吉半和深爱比philips 小你就觉得会比他差吗?你有统计过中国市场上镇流器用国产13005 一年有多少量、出口又是多少?所谓的“烂生产线”外加“63年的工艺水平”又能说明什么?表面上看上去你确实很懂,但在行家看看你的贴子,就觉得很好笑,国内与国外的技术方面特别是半导体这块相差是很大,有距离,那代表什么?代表我们自己可以大跃进式的超赶英美,还是像你这样"如果你的技术比Philiph,Osram低,技术又属于你自已,一定要有自知之明,据我所知,国内还没有成熟的HID!!,否则国内就没有人投那么大的资去研究!我手下十几个毕业于国内前十名大学的硕士、博士以及在国外混了3年的我组成的团队就成了大家的笑柄.” “如果你的技术是你个人灵感小发明,我劝你少去害人.我们公司曾经想走捷径,买过一个国产HID大发明, 花第一笔钱买了21页每页值约1.5W Yuan的秘密图纸, 花第二笔钱造了1000台HID(其中用户返回463台,己灌封无法修复).”详见话题:话题:汽车HID成套技术转让(新开贴) 哈哈,有意思吧!吉半也好,深爱也好,华晶也好,那些老总你不要否认他们的的确确为了我们国家的半导体行业做了实实在在的事情,也挣到了实实在在的钱.而你呢?带什么博士.......我想你也水平不低,本事高也去买些垃圾生产线或者垃圾技术来挣钱让大家看看你的洋气劲!为什么会有这样的举措呢?嫉妒、羡慕还是..?可惜、可怜........(建议admin 将一些类似的论题删除!)
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@kkkkkkkk
呵,同意.说这话的人才是真正的无聊之极!我也看了你若干个贴子,看得出你还是有点“水平”的,你说你能耐说说别人家的产品也就罢了,这个其实也无可厚非,技术的水平本来就是无止镜的,但人家公司老总跟你有什么瓜葛,说什么“寻总、秦明一群说着大话表面老实无聊北方佬”让大家看看,这是什么话,用几个字可以概括你这个人“轻浮”“狂妄”“无聊”“荒唐”“滑稽”……!philip130032.8*2.8?是130052.8*2.8又怎么样?吉半和深爱比philips小你就觉得会比他差吗?你有统计过中国市场上镇流器用国产13005一年有多少量、出口又是多少?所谓的“烂生产线”外加“63年的工艺水平”又能说明什么?表面上看上去你确实很懂,但在行家看看你的贴子,就觉得很好笑,国内与国外的技术方面特别是半导体这块相差是很大,有距离,那代表什么?代表我们自己可以大跃进式的超赶英美,还是像你这样"如果你的技术比Philiph,Osram低,技术又属于你自已,一定要有自知之明,据我所知,国内还没有成熟的HID!!,否则国内就没有人投那么大的资去研究!我手下十几个毕业于国内前十名大学的硕士、博士以及在国外混了3年的我组成的团队就成了大家的笑柄.”“如果你的技术是你个人灵感小发明,我劝你少去害人.我们公司曾经想走捷径,买过一个国产HID大发明,花第一笔钱买了21页每页值约1.5WYuan的秘密图纸,花第二笔钱造了1000台HID(其中用户返回463台,己灌封无法修复).”详见话题:话题:汽车HID成套技术转让(新开贴)哈哈,有意思吧!吉半也好,深爱也好,华晶也好,那些老总你不要否认他们的的确确为了我们国家的半导体行业做了实实在在的事情,也挣到了实实在在的钱.而你呢?带什么博士.......我想你也水平不低,本事高也去买些垃圾生产线或者垃圾技术来挣钱让大家看看你的洋气劲!为什么会有这样的举措呢?嫉妒、羡慕还是..?可惜、可怜........(建议admin将一些类似的论题删除!)
看了你的文章,就知道你是一个好推销员!能说个姓吗!将来我一定在你们老总面前美言你几句!
我挣不到钱!你们厂挣钱那么容易!工资那么高!我当然是又嫉妒、又羡慕您们了!钱多就是大爷嘛!所以我是即可惜、又可怜......我要是有钱,我都要入你那行吃你那行的饭了......希望你激动过后冷静一点,再希望你推销你的BJT时,把电学参数、用法要交待清楚,千万不要隐瞒一些问题,以免误导我们,你们的管子那么俏那么精贵,我们怕拿不到货,历来都是钱货两清啊!
K在英文里就是"佬"的意思,如"chinak"就是外国喊"中国佬"意思.
顺便问一下,你们的功率VDMOS研究出来了吗!有产品了吗?
我挣不到钱!你们厂挣钱那么容易!工资那么高!我当然是又嫉妒、又羡慕您们了!钱多就是大爷嘛!所以我是即可惜、又可怜......我要是有钱,我都要入你那行吃你那行的饭了......希望你激动过后冷静一点,再希望你推销你的BJT时,把电学参数、用法要交待清楚,千万不要隐瞒一些问题,以免误导我们,你们的管子那么俏那么精贵,我们怕拿不到货,历来都是钱货两清啊!
K在英文里就是"佬"的意思,如"chinak"就是外国喊"中国佬"意思.
顺便问一下,你们的功率VDMOS研究出来了吗!有产品了吗?
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@kkkkkkkk
呵,同意.说这话的人才是真正的无聊之极!我也看了你若干个贴子,看得出你还是有点“水平”的,你说你能耐说说别人家的产品也就罢了,这个其实也无可厚非,技术的水平本来就是无止镜的,但人家公司老总跟你有什么瓜葛,说什么“寻总、秦明一群说着大话表面老实无聊北方佬”让大家看看,这是什么话,用几个字可以概括你这个人“轻浮”“狂妄”“无聊”“荒唐”“滑稽”……!philip130032.8*2.8?是130052.8*2.8又怎么样?吉半和深爱比philips小你就觉得会比他差吗?你有统计过中国市场上镇流器用国产13005一年有多少量、出口又是多少?所谓的“烂生产线”外加“63年的工艺水平”又能说明什么?表面上看上去你确实很懂,但在行家看看你的贴子,就觉得很好笑,国内与国外的技术方面特别是半导体这块相差是很大,有距离,那代表什么?代表我们自己可以大跃进式的超赶英美,还是像你这样"如果你的技术比Philiph,Osram低,技术又属于你自已,一定要有自知之明,据我所知,国内还没有成熟的HID!!,否则国内就没有人投那么大的资去研究!我手下十几个毕业于国内前十名大学的硕士、博士以及在国外混了3年的我组成的团队就成了大家的笑柄.”“如果你的技术是你个人灵感小发明,我劝你少去害人.我们公司曾经想走捷径,买过一个国产HID大发明,花第一笔钱买了21页每页值约1.5WYuan的秘密图纸,花第二笔钱造了1000台HID(其中用户返回463台,己灌封无法修复).”详见话题:话题:汽车HID成套技术转让(新开贴)哈哈,有意思吧!吉半也好,深爱也好,华晶也好,那些老总你不要否认他们的的确确为了我们国家的半导体行业做了实实在在的事情,也挣到了实实在在的钱.而你呢?带什么博士.......我想你也水平不低,本事高也去买些垃圾生产线或者垃圾技术来挣钱让大家看看你的洋气劲!为什么会有这样的举措呢?嫉妒、羡慕还是..?可惜、可怜........(建议admin将一些类似的论题删除!)
我见过Electronic BALLAST的生产厂家,老板开的是奔驰,但捡测仪器实验手段可说是惨不忍睹,加起来还不如他车的两个前大灯(1.2W/只).我们好多应用工程师就是在这样的环境下研发世界上性价比最高产品.
而半导体器件、集成电路涉及知识面宽,技术复杂,我们好多应用工程师无法、也不可能把这些东西搞明白,就靠你们这些推销员介绍,而你们这些推销员往住又是一群人际关糸行家、酒仙、耍家,对技术似懂非懂(举例来说负责推销秦总可说对半导体就是一知半解,他的学历必竟只是大专也!),又不和不管钱无技技术员沟通、交朋友......结果当然是问题多多了.
而半导体器件、集成电路涉及知识面宽,技术复杂,我们好多应用工程师无法、也不可能把这些东西搞明白,就靠你们这些推销员介绍,而你们这些推销员往住又是一群人际关糸行家、酒仙、耍家,对技术似懂非懂(举例来说负责推销秦总可说对半导体就是一知半解,他的学历必竟只是大专也!),又不和不管钱无技技术员沟通、交朋友......结果当然是问题多多了.
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@msxxl
我见过ElectronicBALLAST的生产厂家,老板开的是奔驰,但捡测仪器实验手段可说是惨不忍睹,加起来还不如他车的两个前大灯(1.2W/只).我们好多应用工程师就是在这样的环境下研发世界上性价比最高产品.而半导体器件、集成电路涉及知识面宽,技术复杂,我们好多应用工程师无法、也不可能把这些东西搞明白,就靠你们这些推销员介绍,而你们这些推销员往住又是一群人际关糸行家、酒仙、耍家,对技术似懂非懂(举例来说负责推销秦总可说对半导体就是一知半解,他的学历必竟只是大专也!),又不和不管钱无技技术员沟通、交朋友......结果当然是问题多多了.
本来想附和你的,但是你一句话让我很不舒服.凭什么你就说大专毕业的营销人员就不行了,就不知道你所谓的"专业知识"了,是不是营销人员就非得是大本,还是非得是研究生,博士生了;的确,在电路设计以及产品结构上,做推销的应该是比不上你们这些吃专业饭的,但这并不表示做推销的不知道自己的产品的特性,不知道各种参数吧.真的是有够气人!~~
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@ansico
本来想附和你的,但是你一句话让我很不舒服.凭什么你就说大专毕业的营销人员就不行了,就不知道你所谓的"专业知识"了,是不是营销人员就非得是大本,还是非得是研究生,博士生了;的确,在电路设计以及产品结构上,做推销的应该是比不上你们这些吃专业饭的,但这并不表示做推销的不知道自己的产品的特性,不知道各种参数吧.真的是有够气人!~~
有些公司的产品说明书很厚,有些很薄,为什么会薄呢,没写的当然薄了!
如果缺某个电学参数,公司又不告诉你,您想一想,你能乱解释一通不成!就是大本,研究生,博士生没做大量试验也不行!而做试验是既花精力又劳神的事,另外如果测试结果不好,反馈到BJT的设计制造前端找事给前面工程师干,多来两次你不挨骂都不行!在国营单位干活,还不是你好他好大家好!
通常一个大专生要对半导体知搞清楚,非得静下心来苦读苦研5-6年不可,想一想,有这个必要吗?就算你是半导体方面研究生,也得在这方面实干3-4才行.即使这样又能说明什么呢?拿到钱才是真的!
比尔盖次只读到大一,丁磊也只是个本科,华为任在非刚好大专,李加成更差刚小学毕业,你要说中国那个读过博士的人有千万,我还真举不出个例孑来.
你要你肯干勤奋,坚持执着,眼光独到,一定会成功,有谁在乎你是小学、博士!我说得对吗?
如果缺某个电学参数,公司又不告诉你,您想一想,你能乱解释一通不成!就是大本,研究生,博士生没做大量试验也不行!而做试验是既花精力又劳神的事,另外如果测试结果不好,反馈到BJT的设计制造前端找事给前面工程师干,多来两次你不挨骂都不行!在国营单位干活,还不是你好他好大家好!
通常一个大专生要对半导体知搞清楚,非得静下心来苦读苦研5-6年不可,想一想,有这个必要吗?就算你是半导体方面研究生,也得在这方面实干3-4才行.即使这样又能说明什么呢?拿到钱才是真的!
比尔盖次只读到大一,丁磊也只是个本科,华为任在非刚好大专,李加成更差刚小学毕业,你要说中国那个读过博士的人有千万,我还真举不出个例孑来.
你要你肯干勤奋,坚持执着,眼光独到,一定会成功,有谁在乎你是小学、博士!我说得对吗?
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