关于IR2161

1块美金左右

先说你的应用,最后再评估价格.2161目前没有正式RELEASE.

现在用双极型晶体管开发的的卤素灯100W的输出变压器的温度太高了,能达到80度.
想重新开发卤素电子变压器

100VA的电子变压器如果用IR2161+MOSFET,你们的成本是否能够接受?高出了好几倍啊?

请问:用IR2161推MOS 功率能做到多大.

IR2161能作到大约多少钱啊,6块钱能不能作下来.关键是如果再稍微改动下,作150W的200W的也好

如果量大到100K以上,估计可以接近这个价格.少量其实价格并没多大意义.

ken21cn:
如果使用IR830的话,可以作到多少瓦.
作100W 150W可以使用的最经济MOS是什么型号

最经济就是830了.

肯定发烫,用IR2153加好的软起动和保护,强过IR2161.

谁说2161没软启动和保护?? 连死区都是自适应的.

不是说2161没有,而是就那两个功能没又什么大不了.
他的灌/拉电流能力的确太差,只能在35KH时驱动IRF740/IRF840
之类的低电荷MOS,他的软起动在IR2153上稍加几个元件
就可以做到.至于自适应死区时间在实际中好象没太大优势.
客观上表现出的就是同样的MOS,用IR2161比IR2153温升更高,用
IR2153+IRF740可以轻松做到200W,保护电路及软起动是关键.
只要解决好了,你可以做到300W,当然在100V输入时最好用IRF640
,只是前面整流桥很热.

不服你自己去试一下,不要单凭IR的一些宣传妄论.

不知道为何你觉得IR2153的驱动电流会大一些??IR2161的拉灌电流是300mA,400mA.在IR全系列高压驱动中,属于偏高的电流.尽管IR2153没有列出驱动电流,实际是不可能超过500mA的.这个你不信,我没办法.显然,你的驱动温升,不见得是驱动电流差异所导致.同时,740和840并不是低Qg的MOSFET,比它们小的大把多.问题如果不在这,我就不列举740A等系列.说到2161,是否只多了两个功能,最好自己去好好看看内部结构图就明白.IR2153只是在555的基础上增加了600V的半桥驱动,仅此而已.虽然后期在2155/51基础上增加了欠压部分,但它还是个通用的IC,不是专门针对特定应用的.
讨论的焦点不是说2153能做啥,通用IC怎么说,连做PUSH-PULL都可以,你爱做啥都行.关键是是否方便、简单、缩短设计周期....
是不是听IR的宣传妄言,呵呵,我2161在量产的朋友都不少.何况,IR还未正式RELEASE这个IC,我听谁说啊.

你们是不是纸上谈兵,有谁真的亲自去做过呢?

拿点实际的出来!
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你们的罗志明来见过我,你的2161就是从我这给的.用哪个管子不行,要看什么功率,什么频率.只说结果,不说过程,神仙也解决不了问题.这不是什么纸不纸上谈兵的问题.

頂!