DC/DC初级吸收电路的设计讨论

个人认为并在开关管上面,主要是降低开关管的电压应力,吸收关断时的电压尖峰.

并联在线圈上,过高的尖峰电压通过吸收网络流向电源,能抑制电压尖峰;
并联在开关管上,过高的尖峰电压通过吸收网络流向地,同样能抑制电压尖峰.

两种方式目的都是一样的,都是要抑制尖峰电压,降低开关管的电压应力,但这二者之间有何差异?各有何利弊?

并联在线圈上参数选择较为容易,而且可以轻松实现电压钳位;
如果并在开关管上面,开通,关断,RC都会损失能量,开关管容易发热,参数选择也要更加慎重

无论是并在线圈上,还是并在开关上,尖峰电压的吸收电流通路不都是通过吸收回路返回到电源端或地端,并不会通过开关管,为什么并在开关管上开关管更容易发热呢?

吸收回路无非就是RCD之类,一般情况下,并在开关管上,开通时会延长开通时间,并且有些吸收会通过开关管放电,要看具体的线路

我现在做的一个低压升高亚的DC/DC,批量中发现并在线圈上的RCD(C并R再串D)吸收网络,有时反而不好,主要有时有R反而比没有R的尖峰更高,或者初级损耗比正常状态下严重偏大,导致开关管严重发热损坏.实验发现反而是C串D,电压尖峰相对比较低,初级损耗更小,开关管不会发热

如果只是C串D的话,C上的电压没有泻放渠道,应该对抑制尖峰电压无效的阿,实验结果反而这样有效,而且有的时候比RCD都更有效

你这是个误区,如果没有R,C上充的电是不能释放的,它会把电荷积累到最高尖峰,这样这个电路就起不到保护MOSFET的作用了,也抑制不了电压尖峰.
输出躁声会增大,而且MOSFET也危险,因为你现在的是低压电源,你的MOSFET已经选了很高耐压,所以问题没有暴露出来
RCD之所以会造成损耗增大是因为R在消耗能量
RCD与正激的复位绕组不同,并不能把能量返回母线或者回地,它的作用就是保护MOSFET和抑制躁声,在正激拓扑中它的另外作用是帮助磁芯复位.
接Np两端MOSFET的电压钳位在2Vdc,接MOSFET钳位低于2Vdc,前者要求MOSFET耐压应力更高,但是后面的情况在MOSFET要求电流应力更大.
所以设计的时候根据不同情况选取不同电路方式.

我实际观察尖峰电压,确实有的时候没有R尖峰反而更小,加上R尖峰更高,有点糊涂

可以在C上面再串一个小电阻看看效果

小电阻还没加,先看看别的实验结果